The 14 references with contexts in paper P. Magomedova A., П. Магомедова А. (2017) “ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ БИПОЛЯРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ // POWER, METALLURGICAL AND CHEMICAL MECHANICAL ENGINEERING THERMOELECTRIC EVENTS IN LIGHT-EMITTING BIPOLAR SEMICONDUCTOR STRUCTURES” / spz:neicon:vestnik:y:2017:i:2:p:77-86

1
Дмитриев А. И., Таланцев А. Д., Зайцев С. В., Данилов Ю. А., Дорохин М. В., Звонков Б. Н., Коплак О. В., Моргунов Р. Б. Фотолюминесцентный отклик квантовой ямы на изменение магнитного поля δ-слоя Mn в гетероструктурахInGaAs/GaAs // Журнал экспериментальной и теоретической физики. – 2011. – Т. 140. – No 1. – С. 158-169.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=6276
    Prefix
    Аналогично оказывает воздействие высокое быстродействие на уровень тепловыделений активных электронных компонентов. Инерционность тепловых процессов не позволяет осуществить режим термостабилизации, так как затруднен конвективный и кондуктивный теплообмен с окружающей средой для СБИС
    Exact
    [1]
    Suffix
    . Для устранения этих недостатков малоэффективно повышение производительности систем охлаждения различного типа – требуется изготовление энергосберегающих биполярных полупроводниковых структур. Постановка задачи.

2
Анатычук Л.И. Термоэлектричество. Т.2. Термоэлектрические преобразователи энергии. Киев, Черновцы: Институт термоэлектричества, 2003. - 386c.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7963
    Prefix
    Применение соответствующих материалов при изготовлении полупроводникового перехода, позволяет вместо выделения тепла на полупроводниковом переходе при рекомбинации электрона с вакансией осуществить формирование фотонов, причем, чем больше энергия электрона, тем выше энергия фотона – от инфракрасных до ультрафиолетовых значений спектра
    Exact
    [2-13]
    Suffix
    . В этом случае полупроводниковая активная структура вместо теплового нагрева будет незначительно нагреваться, существенно охлаждаться и отводить большую часть энергии в виде электромагнитного излучения оптического диапазона.

3
Исмаилов Т.А. Термоэлектрические полупроводниковые устройства и интенсификаторы теплопередачи. - СПб.: Политехника, 2005.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7963
    Prefix
    Применение соответствующих материалов при изготовлении полупроводникового перехода, позволяет вместо выделения тепла на полупроводниковом переходе при рекомбинации электрона с вакансией осуществить формирование фотонов, причем, чем больше энергия электрона, тем выше энергия фотона – от инфракрасных до ультрафиолетовых значений спектра
    Exact
    [2-13]
    Suffix
    . В этом случае полупроводниковая активная структура вместо теплового нагрева будет незначительно нагреваться, существенно охлаждаться и отводить большую часть энергии в виде электромагнитного излучения оптического диапазона.

4
Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Нежведилов Т.Д. Термостабилизация микроэлектронной аппаратуры при помощи полупроводниковых термоэлектрических устройств. - Махачкала: ИПЦ ДГТУ, 2013. – 149 с.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7963
    Prefix
    Применение соответствующих материалов при изготовлении полупроводникового перехода, позволяет вместо выделения тепла на полупроводниковом переходе при рекомбинации электрона с вакансией осуществить формирование фотонов, причем, чем больше энергия электрона, тем выше энергия фотона – от инфракрасных до ультрафиолетовых значений спектра
    Exact
    [2-13]
    Suffix
    . В этом случае полупроводниковая активная структура вместо теплового нагрева будет незначительно нагреваться, существенно охлаждаться и отводить большую часть энергии в виде электромагнитного излучения оптического диапазона.

5
Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М. Охлаждение радиоэлектронных систем: учебное пособие. - Махачкала: ИПЦ ДГТУ, 2012. – 165 с.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7963
    Prefix
    Применение соответствующих материалов при изготовлении полупроводникового перехода, позволяет вместо выделения тепла на полупроводниковом переходе при рекомбинации электрона с вакансией осуществить формирование фотонов, причем, чем больше энергия электрона, тем выше энергия фотона – от инфракрасных до ультрафиолетовых значений спектра
    Exact
    [2-13]
    Suffix
    . В этом случае полупроводниковая активная структура вместо теплового нагрева будет незначительно нагреваться, существенно охлаждаться и отводить большую часть энергии в виде электромагнитного излучения оптического диапазона.

6
Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М. Термоэлектрическое охлаждение тепловыделяющих компонентов микроэлектронной техники. - Москва: «Академия», 2012. – 136 с.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7963
    Prefix
    Применение соответствующих материалов при изготовлении полупроводникового перехода, позволяет вместо выделения тепла на полупроводниковом переходе при рекомбинации электрона с вакансией осуществить формирование фотонов, причем, чем больше энергия электрона, тем выше энергия фотона – от инфракрасных до ультрафиолетовых значений спектра
    Exact
    [2-13]
    Suffix
    . В этом случае полупроводниковая активная структура вместо теплового нагрева будет незначительно нагреваться, существенно охлаждаться и отводить большую часть энергии в виде электромагнитного излучения оптического диапазона.

7
Дорохин М. В., Данилов Ю. А. Измерение поляризационных характеристик излучения наногетероструктур: учебно-методическое пособие. – Нижний Новгород: Нижегородский госуниверситет, 2011.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7963
    Prefix
    Применение соответствующих материалов при изготовлении полупроводникового перехода, позволяет вместо выделения тепла на полупроводниковом переходе при рекомбинации электрона с вакансией осуществить формирование фотонов, причем, чем больше энергия электрона, тем выше энергия фотона – от инфракрасных до ультрафиолетовых значений спектра
    Exact
    [2-13]
    Suffix
    . В этом случае полупроводниковая активная структура вместо теплового нагрева будет незначительно нагреваться, существенно охлаждаться и отводить большую часть энергии в виде электромагнитного излучения оптического диапазона.

8
Вихрова О. В., Данилов Ю. А., Дроздов Ю. Н., Звонков Б. Н., Iikawa F., Brasil M. J. S. P. Свойства квантово-размерных структур GaAs/InGaAs, содержащих δ<Mn>-легированные слои // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2007. – No 2. – С. 9-12.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7963
    Prefix
    Применение соответствующих материалов при изготовлении полупроводникового перехода, позволяет вместо выделения тепла на полупроводниковом переходе при рекомбинации электрона с вакансией осуществить формирование фотонов, причем, чем больше энергия электрона, тем выше энергия фотона – от инфракрасных до ультрафиолетовых значений спектра
    Exact
    [2-13]
    Suffix
    . В этом случае полупроводниковая активная структура вместо теплового нагрева будет незначительно нагреваться, существенно охлаждаться и отводить большую часть энергии в виде электромагнитного излучения оптического диапазона.

9
Патент РФ на изобретение No2507613. Каскадное светоизлучающее термоэлектрическое устройство / Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Гаджиева С.М., Нежведилов Т.Д., Челушкина Т.А., опубл. 20.02.2014.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7963
    Prefix
    Применение соответствующих материалов при изготовлении полупроводникового перехода, позволяет вместо выделения тепла на полупроводниковом переходе при рекомбинации электрона с вакансией осуществить формирование фотонов, причем, чем больше энергия электрона, тем выше энергия фотона – от инфракрасных до ультрафиолетовых значений спектра
    Exact
    [2-13]
    Suffix
    . В этом случае полупроводниковая активная структура вместо теплового нагрева будет незначительно нагреваться, существенно охлаждаться и отводить большую часть энергии в виде электромагнитного излучения оптического диапазона.

10
Патент РФ на изобретение No2405230. Способ отвода тепла от тепловыделяющих электронных компонентов в виде излучения / Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Гаджиева С.М., Нежведилов Т.Д., Челушкина Т.А., опубл. 01.06.2009.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7963
    Prefix
    Применение соответствующих материалов при изготовлении полупроводникового перехода, позволяет вместо выделения тепла на полупроводниковом переходе при рекомбинации электрона с вакансией осуществить формирование фотонов, причем, чем больше энергия электрона, тем выше энергия фотона – от инфракрасных до ультрафиолетовых значений спектра
    Exact
    [2-13]
    Suffix
    . В этом случае полупроводниковая активная структура вместо теплового нагрева будет незначительно нагреваться, существенно охлаждаться и отводить большую часть энергии в виде электромагнитного излучения оптического диапазона.

11
Патент РФ No2487436. Светотранзистор/ Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Гаджиева С.М., Нежведилов Т.Д., Челушкина Т.А. Опубл. 10.07.2013.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7963
    Prefix
    Применение соответствующих материалов при изготовлении полупроводникового перехода, позволяет вместо выделения тепла на полупроводниковом переходе при рекомбинации электрона с вакансией осуществить формирование фотонов, причем, чем больше энергия электрона, тем выше энергия фотона – от инфракрасных до ультрафиолетовых значений спектра
    Exact
    [2-13]
    Suffix
    . В этом случае полупроводниковая активная структура вместо теплового нагрева будет незначительно нагреваться, существенно охлаждаться и отводить большую часть энергии в виде электромагнитного излучения оптического диапазона.

12
Патент РФ на изобретение No2507632. Светотранзистор с высоким быстродействием / Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Нежведилов Т.Д., Юсуфов Ш.А., опубл. 20.02.2014.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7963
    Prefix
    Применение соответствующих материалов при изготовлении полупроводникового перехода, позволяет вместо выделения тепла на полупроводниковом переходе при рекомбинации электрона с вакансией осуществить формирование фотонов, причем, чем больше энергия электрона, тем выше энергия фотона – от инфракрасных до ультрафиолетовых значений спектра
    Exact
    [2-13]
    Suffix
    . В этом случае полупроводниковая активная структура вместо теплового нагрева будет незначительно нагреваться, существенно охлаждаться и отводить большую часть энергии в виде электромагнитного излучения оптического диапазона.

13
Holub M., Bhattacharya P. Spin-polarized light-emitting diodes and lasers // J. Phys. D: Appl. Phys. – 2007. – V. 40. – N 2. – P. R179-R203.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7963
    Prefix
    Применение соответствующих материалов при изготовлении полупроводникового перехода, позволяет вместо выделения тепла на полупроводниковом переходе при рекомбинации электрона с вакансией осуществить формирование фотонов, причем, чем больше энергия электрона, тем выше энергия фотона – от инфракрасных до ультрафиолетовых значений спектра
    Exact
    [2-13]
    Suffix
    . В этом случае полупроводниковая активная структура вместо теплового нагрева будет незначительно нагреваться, существенно охлаждаться и отводить большую часть энергии в виде электромагнитного излучения оптического диапазона.

14
Govorov A. O., Kalameitsev A. V. Optical properties of a semiconductor quantum dot with a single magnetic impurity: photoinduced spin orientation // Phys. Rev. B. – 2005. – V. 71. – N 3. – P. 0353381-5.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=8509
    Prefix
    В свою очередь это позволяет не только практически мгновенно обеспечить отвод излишней паразитной энергии в окружающую среду для термостабилизации СБИС, но и повысить энергоэффективность электронных компонентов за счет рекуперации оптического излучения на фотопреобразующих полупроводниковых переходах
    Exact
    [14]
    Suffix
    . Кроме того, возрастет быстродействие полупроводниковых переключающих структур, так как информационный сигнал будет передаваться со скоростью света, а не за счет, медленно дрейфующих через базу биполярной полупроводниковой структуры электронов.