The 16 references with contexts in paper A. Dmitriev I., А. Дмитриев И. (2017) “ФИЗИЧЕСКОЕ КОДИРОВАНИЕ ДАННЫХ С ПОМОЩЬЮ ПОЛЯРИЗАЦИОННЫХ СПИНОВЫХ УСТРОЙСТВ // POWER, METALLURGICAL AND CHEMICAL MECHANICAL ENGINEERING PHYSICAL DATA CODING USING POLARISING SPIN DEVICES” / spz:neicon:vestnik:y:2017:i:2:p:46-54

1
Николаев С. Н., Аронзон Б. А., Рыльков В. В., Тугушев В. В., Демидов Е. С., Левчук С. А., Лесников В. П., Подольский В. В., Гареев Р. Р. Аномальный эффект Холла в Si пленках, сильно легированных Mn // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. – 2009. – Т. 89. – No 12. – С. 707-712.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=6042
    Prefix
    Одним из способов решения этой проблемы является создание приборов спинтроники, в которых для управления их свойствами помимо заряда электрона используется его спин. В основе спинтронных приборов лежат наноструктуры магнитных полупроводников SiMn
    Exact
    [1]
    Suffix
    , GeMn [2, 3], GeCo [4], GaMnAs [5] и т.д. В основе спиновых светодиодов могут быть гетероструктуры, содержащие квантовую яму (люминесцирующий слой) и ферромагнитный слой. В спиновом светодиоде спин-поляризованные носители инжектируются из ферромагнитного контакта, объединенного с квантовой ямой.

2
Дмитриев А. И., Моргунов Р. Б., Казакова О. Л., Танимото И. Спин-волновой резонанс в пленках Ge1-xMnx, обладающих перколяционным ферромагнетизмом // Журнал экспериментальной и теоретической физики. – 2009. – Т. 135. – No 5. – С. 1134-1141.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=6051
    Prefix
    Одним из способов решения этой проблемы является создание приборов спинтроники, в которых для управления их свойствами помимо заряда электрона используется его спин. В основе спинтронных приборов лежат наноструктуры магнитных полупроводников SiMn [1], GeMn
    Exact
    [2, 3]
    Suffix
    , GeCo [4], GaMnAs [5] и т.д. В основе спиновых светодиодов могут быть гетероструктуры, содержащие квантовую яму (люминесцирующий слой) и ферромагнитный слой. В спиновом светодиоде спин-поляризованные носители инжектируются из ферромагнитного контакта, объединенного с квантовой ямой.

3
Моргунов Р. Б., Дмитриев А. И., Tanimoto Y., Кленина И. Б. Магнитный резонанс в нанопроволоках Ge0.99Mn0.01 // Физика твердого тела. – 2007. – Т. 49. – No 2. – С. 285-290.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=6051
    Prefix
    Одним из способов решения этой проблемы является создание приборов спинтроники, в которых для управления их свойствами помимо заряда электрона используется его спин. В основе спинтронных приборов лежат наноструктуры магнитных полупроводников SiMn [1], GeMn
    Exact
    [2, 3]
    Suffix
    , GeCo [4], GaMnAs [5] и т.д. В основе спиновых светодиодов могут быть гетероструктуры, содержащие квантовую яму (люминесцирующий слой) и ферромагнитный слой. В спиновом светодиоде спин-поляризованные носители инжектируются из ферромагнитного контакта, объединенного с квантовой ямой.

4
Моргунов Р. Б., Дмитриев А. И., Tanimoto Y., Kulkarni J. S. Спиновая динамика в ориентированных ферромагнитных нанопроволоках Ge0.99Co0.01 // Физика твердого тела. – 2008. – Т. 50. – No 6. – С. 1058-1063.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=6063
    Prefix
    Одним из способов решения этой проблемы является создание приборов спинтроники, в которых для управления их свойствами помимо заряда электрона используется его спин. В основе спинтронных приборов лежат наноструктуры магнитных полупроводников SiMn [1], GeMn [2, 3], GeCo
    Exact
    [4]
    Suffix
    , GaMnAs [5] и т.д. В основе спиновых светодиодов могут быть гетероструктуры, содержащие квантовую яму (люминесцирующий слой) и ферромагнитный слой. В спиновом светодиоде спин-поляризованные носители инжектируются из ферромагнитного контакта, объединенного с квантовой ямой.

5
Дмитриев А. И., Таланцев А. Д., Зайцев С. В., Данилов Ю. А., Дорохин М. В., Звонков Б. Н., Коплак О. В., Моргунов Р. Б. Фотолюминесцентный отклик квантовой ямы на изменение магнитного поля δ-слоя Mn в гетероструктурах InGaAs/GaAs // Журнал экспериментальной и теоретической физики. – 2011. – Т. 140. – No 1. – С. 158-169.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=6074
    Prefix
    Одним из способов решения этой проблемы является создание приборов спинтроники, в которых для управления их свойствами помимо заряда электрона используется его спин. В основе спинтронных приборов лежат наноструктуры магнитных полупроводников SiMn [1], GeMn [2, 3], GeCo [4], GaMnAs
    Exact
    [5]
    Suffix
    и т.д. В основе спиновых светодиодов могут быть гетероструктуры, содержащие квантовую яму (люминесцирующий слой) и ферромагнитный слой. В спиновом светодиоде спин-поляризованные носители инжектируются из ферромагнитного контакта, объединенного с квантовой ямой.

  2. In-text reference with the coordinate start=21401
    Prefix
    Циркулярная поляризация фотолюминесценции из квантовой ямы InGaAs/GaAs вызвана намагниченностью близкого ферромагнитного слоя GaMnAs (ферромагнетизм в слое GaMnAs приводит к спиновой поляризации дырок в квантовой яме
    Exact
    [5]
    Suffix
    ). Вывод. Сформулированы физические методы кодирования и передачи информации с помощью поляризационных спиновых устройств, использующих спиновую степень свободы. Предложены принципы устройства генератора поляризованного излучения – спинового светодиода.

6
Зайцев С. В., Дорохин М. В., Бричкин А. С., Вихрова О. В., Данилов Ю. А., Звонков Б. Н., Кулаковский В. Д. Ферромагнитное воздействие δ-<Mn>-слоя в GaAs барьере на спиновую поляризацию носителей в InGaAs/GaAs квантовой яме // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики.– 2009. – Т. 90. – No 10. – С. 730-735.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=7876
    Prefix
    Это действительно приведет к тому, что излучение из ямы станет циркулярно-поляризованным (будет иметь ненулевую круговую поляризацию) и поляризация фотолюминесценции из квантовой ямы действительно будет зависеть от намагничивания магнитного слоя
    Exact
    [6]
    Suffix
    . Однако само по себе введение магнитного слоя в квантовую яму существенно снижает квантовый выход фотолюминесценции из ямы и подвижность носителей заряда в квантовой яме [7]. То есть в гетероструктурах с магнитным слоем внутри квантовой ямы получение магнито-управляемого циркулярно-поляризованного излучения теоретически возможно, но квантовый выход фотолюминесценции из ямы и подвижность

  2. In-text reference with the coordinate start=20192
    Prefix
    Результат сложения ζ + и ζ – компонент одинаковой интенсивности – линейно поляризованный свет (с нулевой циркулярной поляризацией). В гетероструктурах без ферромагнитного слоя GaMnAs циркулярная поляризация излучения из квантовой ямы равна нулю
    Exact
    [6]
    Suffix
    . Для получения циркулярно-поляризованного излучения необходимо изменить соотношение интенсивностей ζ + и ζ – компонент. Этого можно добиться, введя в гетероструктуру, содержащую квантовую яму, слой ферромагнитного полупроводника GaMnAs.

7
Аронзон Б. А., Грановский А. Б., Давыдов А. Б., Данилов Ю. А., Звонков Б. Н., Рыльков В. В., Ускова Е. А. Свойства InGaAs/GaAs квантовых ям с δ-легированным слоем в GaAs // Физика твердого тела. – 2007. – Т. 49. – No 1. – С. 165-171.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=8049
    Prefix
    к тому, что излучение из ямы станет циркулярно-поляризованным (будет иметь ненулевую круговую поляризацию) и поляризация фотолюминесценции из квантовой ямы действительно будет зависеть от намагничивания магнитного слоя [6]. Однако само по себе введение магнитного слоя в квантовую яму существенно снижает квантовый выход фотолюминесценции из ямы и подвижность носителей заряда в квантовой яме
    Exact
    [7]
    Suffix
    . То есть в гетероструктурах с магнитным слоем внутри квантовой ямы получение магнито-управляемого циркулярно-поляризованного излучения теоретически возможно, но квантовый выход фотолюминесценции из ямы и подвижность носителей заряда в квантовой яме будут очень низкими.

8
Дорохин М. В., Данилов Ю.А. Измерение поляризационных характеристик излучения наногетероструктур: учебно-методическое пособие. – Нижний Новгород: Нижегородский госуниверситет, 2011.
Total in-text references: 3
  1. In-text reference with the coordinate start=11485
    Prefix
    В России гетероструктуры InGaAs/GaAs/GaMnAs для поляризационных спиновых кодирующих устройств выращивают комбинированным методом ступенчатого эпитаксиального роста в НИФТИ ННГУ им. Н.И. Лобачевского в группе Ю.А. Данилова и М.В. Дорохина
    Exact
    [8-10]
    Suffix
    . На первом этапе на подложке GaAs (001) методом металл-органической гидридной эпитаксии последовательно выращивают буферный слой GaAs, легированный Si, далее размещается дельта-легированный углеродом слой GaAs, затем идет слой нелегированного GaAs, нелегированная квантовая яма InGaAs и, наконец, разделяющий слой GaAs (рис. 1).

  2. In-text reference with the coordinate start=12068
    Prefix
    На следующем этапе в том же реакторе методом лазерного распыления Mn и GaAs мишеней последовательно выращивают слой GaMnAs, толщиной около 2 нм, и покровный слой GaAs. Подробно методика изготовления и аттестации гетероструктур описана в работах
    Exact
    [8-10]
    Suffix
    . Рис. 1. Схематическое изображение гетероструктуры InGaAs/GaAs/GaMnAs Fig. 1. Schematic representation of the InGaAs / GaAs / GaMnAs heterostructure Следует заметить, что если для светоизлучающего слоя используется в основном только GaAs, InAs, InGaAs и изредка CdSe, то материалы для ферромагнитного инжектора отличаются большим разнообразием.

  3. In-text reference with the coordinate start=19389
    Prefix
    Циркулярно-поляризованное рекомбинационное излучение возникает, когда изменение магнитного квантового при межзонном переходе mJ = ±1. Переходы, для которых mJ = –1, приводят к эмиссии ζ + -поляризованного света при распространении вдоль направления +z
    Exact
    [8]
    Suffix
    . Рис. 4. Зонная диаграмма двойной гетероструктуры GaAs/InGaAs с квантовой ямой и схема возможных излучательных электронных переходов при наложении внешнего магнитного поля Fig.4. The band diagram of the double GaAs / InGaAs heterostructure with a quantum well and the scheme of possible radiative electronic transitions when an external magnetic field is applied Спектр излучения гетеростр

9
Вихрова О. В., Данилов Ю. А., Дроздов Ю. Н., Звонков Б. Н., Iikawa F., Brasil M. J. S. P. Свойства квантово-размерных структур GaAs/InGaAs, содержащих δ<Mn>-легированные слои // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2007. – No 2. – С. 9-12.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=11485
    Prefix
    В России гетероструктуры InGaAs/GaAs/GaMnAs для поляризационных спиновых кодирующих устройств выращивают комбинированным методом ступенчатого эпитаксиального роста в НИФТИ ННГУ им. Н.И. Лобачевского в группе Ю.А. Данилова и М.В. Дорохина
    Exact
    [8-10]
    Suffix
    . На первом этапе на подложке GaAs (001) методом металл-органической гидридной эпитаксии последовательно выращивают буферный слой GaAs, легированный Si, далее размещается дельта-легированный углеродом слой GaAs, затем идет слой нелегированного GaAs, нелегированная квантовая яма InGaAs и, наконец, разделяющий слой GaAs (рис. 1).

  2. In-text reference with the coordinate start=12068
    Prefix
    На следующем этапе в том же реакторе методом лазерного распыления Mn и GaAs мишеней последовательно выращивают слой GaMnAs, толщиной около 2 нм, и покровный слой GaAs. Подробно методика изготовления и аттестации гетероструктур описана в работах
    Exact
    [8-10]
    Suffix
    . Рис. 1. Схематическое изображение гетероструктуры InGaAs/GaAs/GaMnAs Fig. 1. Schematic representation of the InGaAs / GaAs / GaMnAs heterostructure Следует заметить, что если для светоизлучающего слоя используется в основном только GaAs, InAs, InGaAs и изредка CdSe, то материалы для ферромагнитного инжектора отличаются большим разнообразием.

10
Вихрова О. В., Данилов Ю. А., Дорохин М. В., Звонков Б. Н., Калентьева И. Л., Кудрин А. В. Ферромагнетизм в GaAs структурах с дельта-легированным Mn слоем // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики.– 2009. – Т. 35. – No 14. – С. 8-17.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=11485
    Prefix
    В России гетероструктуры InGaAs/GaAs/GaMnAs для поляризационных спиновых кодирующих устройств выращивают комбинированным методом ступенчатого эпитаксиального роста в НИФТИ ННГУ им. Н.И. Лобачевского в группе Ю.А. Данилова и М.В. Дорохина
    Exact
    [8-10]
    Suffix
    . На первом этапе на подложке GaAs (001) методом металл-органической гидридной эпитаксии последовательно выращивают буферный слой GaAs, легированный Si, далее размещается дельта-легированный углеродом слой GaAs, затем идет слой нелегированного GaAs, нелегированная квантовая яма InGaAs и, наконец, разделяющий слой GaAs (рис. 1).

  2. In-text reference with the coordinate start=12068
    Prefix
    На следующем этапе в том же реакторе методом лазерного распыления Mn и GaAs мишеней последовательно выращивают слой GaMnAs, толщиной около 2 нм, и покровный слой GaAs. Подробно методика изготовления и аттестации гетероструктур описана в работах
    Exact
    [8-10]
    Suffix
    . Рис. 1. Схематическое изображение гетероструктуры InGaAs/GaAs/GaMnAs Fig. 1. Schematic representation of the InGaAs / GaAs / GaMnAs heterostructure Следует заметить, что если для светоизлучающего слоя используется в основном только GaAs, InAs, InGaAs и изредка CdSe, то материалы для ферромагнитного инжектора отличаются большим разнообразием.

11
Holub M., Bhattacharya P. Spin-polarized light-emitting diodes and lasers // J. Phys. D: Appl. Phys. – 2007. – V. 40. – N 2. – P. R179-R203.
Total in-text references: 3
  1. In-text reference with the coordinate start=12505
    Prefix
    Schematic representation of the InGaAs / GaAs / GaMnAs heterostructure Следует заметить, что если для светоизлучающего слоя используется в основном только GaAs, InAs, InGaAs и изредка CdSe, то материалы для ферромагнитного инжектора отличаются большим разнообразием. Из группы магнитных полупроводников помимо GaMnAs используются также ZnMnSe и CdCr2Se4
    Exact
    [11]
    Suffix
    . Также используются ферромагнитные металлы Co, Fe, CoFe, NiFe-CoFe, Ni80Fe20, MnAs, MnSb и сплавы Гейслера Co2.4Mn1.6Ga и Co2MnGe [11]. Обсудим температурную зависимость магнитного момента гетероструктуры InGaAs/GaAs/GaMnAs, измеренную с помощью СКВИД магнитометра MPMS 5 XL, Quantum Design (рис. 2).

  2. In-text reference with the coordinate start=12644
    Prefix
    Из группы магнитных полупроводников помимо GaMnAs используются также ZnMnSe и CdCr2Se4 [11]. Также используются ферромагнитные металлы Co, Fe, CoFe, NiFe-CoFe, Ni80Fe20, MnAs, MnSb и сплавы Гейслера Co2.4Mn1.6Ga и Co2MnGe
    Exact
    [11]
    Suffix
    . Обсудим температурную зависимость магнитного момента гетероструктуры InGaAs/GaAs/GaMnAs, измеренную с помощью СКВИД магнитометра MPMS 5 XL, Quantum Design (рис. 2). Уменьшение намагниченности слоя GaMnAs с ростом температуры, как и в обычных объемных ферромагнетиках, описывается формулой Блоха (рис. 2) при температурах ниже температуры Кюри ТС = 35 К [11].

  3. In-text reference with the coordinate start=13003
    Prefix
    Обсудим температурную зависимость магнитного момента гетероструктуры InGaAs/GaAs/GaMnAs, измеренную с помощью СКВИД магнитометра MPMS 5 XL, Quantum Design (рис. 2). Уменьшение намагниченности слоя GaMnAs с ростом температуры, как и в обычных объемных ферромагнетиках, описывается формулой Блоха (рис. 2) при температурах ниже температуры Кюри ТС = 35 К
    Exact
    [11]
    Suffix
    . Рис. 2. Температурная зависимость магнитного момента гетероструктуры InGaAs/GaAs/GaMnAs в магнитном поле 1 кЭ, лежащем в плоскости гетероструктуры Fig. 2. Temperature dependence of the magnetic moment of the In-GaAs / GaAs / GaMnAs heterostructure in a 1 ke magnetic field lying in the heterostructure plane Сплошной линией показана аппроксимация формулой Блоха «T 3/2 ».

14
Macdonald A. H., Schiffer P., Samarth N. Ferromagnetic semiconductors: moving beyond (Ga,Mn)As // Nature materials. – 2005. – V. 4. – N 3. – P. 195-202.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=16481
    Prefix
    Однако если марганец добавлен в арсенид галлия в качестве примеси, то его магнитные свойства существенно меняются. В частности, тонкий слой сплава арсенида галлия с марганцем GaMnAs при высокой (~ 10 %) концентрации марганца проявляет ферромагнитные свойства
    Exact
    [14-15]
    Suffix
    . Ферромагнетизм в магнитных полупроводниках A3MnB5 индуцирован носителями заряда (косвенное обменное взаимодействие). Для описания ферромагнетизма используется модель среднего поля, которая постулирует наличие двух взаимодействующих спиновых подсистем: спины делокализованных носителей заряда; локализованные спины магнитных атомов.

15
Ohno H., Matsukura F. A ferromagnetic III-V semiconductor: (Ga,Mn)As // Solid State Commun. – 2001. – V. 117. – N 3. – P. 179-186.
Total in-text references: 4
  1. In-text reference with the coordinate start=16481
    Prefix
    Однако если марганец добавлен в арсенид галлия в качестве примеси, то его магнитные свойства существенно меняются. В частности, тонкий слой сплава арсенида галлия с марганцем GaMnAs при высокой (~ 10 %) концентрации марганца проявляет ферромагнитные свойства
    Exact
    [14-15]
    Suffix
    . Ферромагнетизм в магнитных полупроводниках A3MnB5 индуцирован носителями заряда (косвенное обменное взаимодействие). Для описания ферромагнетизма используется модель среднего поля, которая постулирует наличие двух взаимодействующих спиновых подсистем: спины делокализованных носителей заряда; локализованные спины магнитных атомов.

  2. In-text reference with the coordinate start=17690
    Prefix
    При температуре ферромагнитного перехода эти две энергии сравниваются, и дальнейшее уменьшение температуры ведет к спонтанному спиновому расщеплению и к поляризации спинов, т.е. к ферромагнетизму. Что касается параметров тонких пленок (слоев) GaMnAs, при которых удается наблюдать ферромагнитное взаимодействие между ионами марганца, то в работе
    Exact
    [15]
    Suffix
    было установлено, что существует оптимальное содержание марганца (0.05 − 0.06 атомных долей), при котором формируются пленки, в которых заметная доля атомов Mn замещает Ga, выступая в качестве акцепторов.

  3. In-text reference with the coordinate start=18180
    Prefix
    При большем содержании Mn наблюдаются эффекты образования кластеров MnAs, а главное, заметная часть дополнительно введенных атомов Mn начинает входить в междоузлия, где они выступают в качестве двойных доноров, приводя к уменьшению концентрации дырок и снижению температуры Кюри
    Exact
    [15-16]
    Suffix
    . Связано это с тем, что ферромагнитное упорядочение в обсуждаемых разбавленных магнитных полупроводниках возможно лишь в результате косвенного обмена через свободные дырки (либо дырки примесной зоны).

  4. In-text reference with the coordinate start=18476
    Prefix
    Связано это с тем, что ферромагнитное упорядочение в обсуждаемых разбавленных магнитных полупроводниках возможно лишь в результате косвенного обмена через свободные дырки (либо дырки примесной зоны). Поэтому уменьшение концентрации носителей приводит к подавлению в них ферромагнетизма
    Exact
    [15-16]
    Suffix
    . Обсудим результаты исследования спин-поляризованной фотолюминесценции. Наиболее вероятными фотолюминесцентными электронными переходами являются переходы из зоны проводимости в валентную подзону тяжелых дырок (рис. 4).

16
Edmonds K. W., Boguslawski P., Wang K. Y., Campion R. P., Novikov S. N., Farley N. R. S., Gallagher B. L., Foxon C. T., Sawicki M., Dietl T., Nardelli M. B., Bernholc J. Mn Interstitial Diffusion in (Ga,Mn)As // Phys. Rev. Lett. – 2004. – V. 92. – N 3. – P. 037201-1-4.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=18180
    Prefix
    При большем содержании Mn наблюдаются эффекты образования кластеров MnAs, а главное, заметная часть дополнительно введенных атомов Mn начинает входить в междоузлия, где они выступают в качестве двойных доноров, приводя к уменьшению концентрации дырок и снижению температуры Кюри
    Exact
    [15-16]
    Suffix
    . Связано это с тем, что ферромагнитное упорядочение в обсуждаемых разбавленных магнитных полупроводниках возможно лишь в результате косвенного обмена через свободные дырки (либо дырки примесной зоны).

  2. In-text reference with the coordinate start=18476
    Prefix
    Связано это с тем, что ферромагнитное упорядочение в обсуждаемых разбавленных магнитных полупроводниках возможно лишь в результате косвенного обмена через свободные дырки (либо дырки примесной зоны). Поэтому уменьшение концентрации носителей приводит к подавлению в них ферромагнетизма
    Exact
    [15-16]
    Suffix
    . Обсудим результаты исследования спин-поляризованной фотолюминесценции. Наиболее вероятными фотолюминесцентными электронными переходами являются переходы из зоны проводимости в валентную подзону тяжелых дырок (рис. 4).

17
Govorov A. O., Kalameitsev A. V. Optical properties of a semiconductor quantum dot with a single magnetic impurity: photoinduced spin orientation // Phys. Rev. B. – 2005. – V. 71. – N 3. – P. 0353381-5.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=20872
    Prefix
    Этого можно добиться, введя в гетероструктуру, содержащую квантовую яму, слой ферромагнитного полупроводника GaMnAs. Обменное p-d взаимодействие тяжелой дырки с ионами Mn 2+ в слое GaMnAs пропорционально скалярному произведению магнитного момента дырки j и макроскопической намагниченности M слоя GaMnAs
    Exact
    [17]
    Suffix
    . Упругие напряжения в квантовой яме InGaAs/GaAs вытесняют уровень размерного квантования легких дырок значительно выше по энергии, чем уровень тяжелых дырок [18]. Поэтому фотолюминесценция из квантовой ямы определяется оптическими переходами между 2D-подзонами электронов и тяжелых дырок.

18
Hendorfer G., Schneider J. G-factor and effective mass anisotropies in pseudomorphic strained layers // Sem. Sci. Technol. – 1991. – V. 6. – N 7. – P. 595-601.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=21051
    Prefix
    Обменное p-d взаимодействие тяжелой дырки с ионами Mn 2+ в слое GaMnAs пропорционально скалярному произведению магнитного момента дырки j и макроскопической намагниченности M слоя GaMnAs [17]. Упругие напряжения в квантовой яме InGaAs/GaAs вытесняют уровень размерного квантования легких дырок значительно выше по энергии, чем уровень тяжелых дырок
    Exact
    [18]
    Suffix
    . Поэтому фотолюминесценция из квантовой ямы определяется оптическими переходами между 2D-подзонами электронов и тяжелых дырок. Циркулярная поляризация фотолюминесценции из квантовой ямы InGaAs/GaAs вызвана намагниченностью близкого ферромагнитного слоя GaMnAs (ферромагнетизм в слое GaMnAs приводит к спиновой поляризации дырок в квантовой яме [5]).