The 16 references with contexts in paper T. Ismailov A., A. Shakhmaeva R., B. Shangereeva A., Т. Исмаилов А., А. Шахмаева Р., Б. Шангереева А. (2016) “КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ, ВЛИЯЮЩИЕ НА СОПРОТИВЛЕНИЕ БИПОЛЯРНЫХ СО СТАТИЧЕСКОЙ ИНДУКЦИЕЙ ТРАНЗИСТОРОВ (БСИТ) // STRUCTURAL AND TECHNOLOGICAL PARAMETERS AFFECTING THE BIPOLAR STATIC INDUCTION TRANSISTOR (BSIT ) RESISTANCE” / spz:neicon:vestnik:y:2016:i:3:p:83-91

1
Исмаилов Т.А., Шахмаева А. Транзисторные структуры силовой электроники/ СПб.:Политехника, 2011.-125 с.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=5724
    Prefix
    Они являются переключательными элементами для изделий и устройств силовой электроники и в сравнении с их более известными транзисторными прототипами (БМТ, МОП МТ и БТИЗ) превосходят их по основным характеристикам
    Exact
    [1-3]
    Suffix
    . Если рассматривать четыре типа транзисторных ключей: БСИТ, БМТ, МОП МТ и БТИЗ каждый из них имеет свои достоинства и недостатки. МОП МТ имеют заметное преимущество по техническим показателям перед другими конкурирующими типами мощных полупроводниковых приборов в области низковольтных применений (до 200 В), хотя и уступают им по стоимости.

2
Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р., Букашев Ф.И., Захарова П.Р.Технология, конструкции, методы моделирования и применение БСИТ-транзисторов/ М.: Академия, 2012.-252 с.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=5724
    Prefix
    Они являются переключательными элементами для изделий и устройств силовой электроники и в сравнении с их более известными транзисторными прототипами (БМТ, МОП МТ и БТИЗ) превосходят их по основным характеристикам
    Exact
    [1-3]
    Suffix
    . Если рассматривать четыре типа транзисторных ключей: БСИТ, БМТ, МОП МТ и БТИЗ каждый из них имеет свои достоинства и недостатки. МОП МТ имеют заметное преимущество по техническим показателям перед другими конкурирующими типами мощных полупроводниковых приборов в области низковольтных применений (до 200 В), хотя и уступают им по стоимости.

  2. In-text reference with the coordinate start=7818
    Prefix
    Разработанные различные типы БСИТ - транзисторов требуют конструктивных доработок, совершенствования технологии для улучшения выходных характеристик прибора для улучшения таких параметров как пробивное напряжение, сопротивление, быстродействие
    Exact
    [2-3]
    Suffix
    . Основными параметрами, влияющими на характеристики исследуемого транзистора, являются пробивное напряжение и сопротивление, которые, в свою очередь, зависят от конструкции прибора и технологии их изготовления [15-16].

3
Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р., Захарова П.Р. Способ изготовления БСИТ-транзистора с охранными кольцами. Пат. 2013100528/28 Рос. Федерация:МПК H01L 29/70, No 2524145; заявл. 09.01.2013;опубл. 27.07.2014 Бюл. No21.-6с.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=5724
    Prefix
    Они являются переключательными элементами для изделий и устройств силовой электроники и в сравнении с их более известными транзисторными прототипами (БМТ, МОП МТ и БТИЗ) превосходят их по основным характеристикам
    Exact
    [1-3]
    Suffix
    . Если рассматривать четыре типа транзисторных ключей: БСИТ, БМТ, МОП МТ и БТИЗ каждый из них имеет свои достоинства и недостатки. МОП МТ имеют заметное преимущество по техническим показателям перед другими конкурирующими типами мощных полупроводниковых приборов в области низковольтных применений (до 200 В), хотя и уступают им по стоимости.

  2. In-text reference with the coordinate start=7818
    Prefix
    Разработанные различные типы БСИТ - транзисторов требуют конструктивных доработок, совершенствования технологии для улучшения выходных характеристик прибора для улучшения таких параметров как пробивное напряжение, сопротивление, быстродействие
    Exact
    [2-3]
    Suffix
    . Основными параметрами, влияющими на характеристики исследуемого транзистора, являются пробивное напряжение и сопротивление, которые, в свою очередь, зависят от конструкции прибора и технологии их изготовления [15-16].

4
Лагунович Н.Л., Турцевич А.С., Борздов В.М. Новый технологический маршрут изготовления биполярного транзистора со статической индукцией// МНПК «Современные информационные и электронные технологии». Одесса.-, 2016., С. 150-151. 12000000 13000000 14000000 15000000 16000000 17000000 18000000 19000000 20000000 0510152025303540 lз (мкм) lp+=6,5мкм lp+=11,5мкм lp+=16,5мкм
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=6376
    Prefix
    БМТ и БТИЗ сильнее проявляют свои достоинства в высоковольтных применениях (свыше 1000 В), хотя и в ряде устройств средней высоковольтности они также весьма эффективны. БСИТ наиболее предпочтительны в устройствах, требующих применения ключей средней высоковольтности (от 400 до 800 В)
    Exact
    [4,5,6,7]
    Suffix
    . Характеристики БСИТ схожи с характеристиками биполярного транзистора. По сравнению с полевым транзистором БСИТ эффективно работает при параллельном включении и имеет высокое быстродействие, не уступающее полевым транзисторам.

5
Шахмаева А.Р., Захарова П.Р. Разработка типовой структуры нормально-закрытого БСИТ-транзистора// Фундаментальная наука и технологии - перспективные разработки: материалы международной научно-практической конференции, 22-23 мая 2013 г.– М., 2013.-С. 158-160.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=6376
    Prefix
    БМТ и БТИЗ сильнее проявляют свои достоинства в высоковольтных применениях (свыше 1000 В), хотя и в ряде устройств средней высоковольтности они также весьма эффективны. БСИТ наиболее предпочтительны в устройствах, требующих применения ключей средней высоковольтности (от 400 до 800 В)
    Exact
    [4,5,6,7]
    Suffix
    . Характеристики БСИТ схожи с характеристиками биполярного транзистора. По сравнению с полевым транзистором БСИТ эффективно работает при параллельном включении и имеет высокое быстродействие, не уступающее полевым транзисторам.

6
Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р., Захарова П.Р. Технология напыления наноразмерных слоев четырех металлов (Cr-Ni-Sn-Ag) для формирования стоковой области биполярного со статической индукцией транзистора (БСИТ). Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы материаловедения и наноматериалов: труды VIII Международной конференции.- 9-10 июня 2011.- М: Изд-во МИСиС, 2011.-С.815-823.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=6376
    Prefix
    БМТ и БТИЗ сильнее проявляют свои достоинства в высоковольтных применениях (свыше 1000 В), хотя и в ряде устройств средней высоковольтности они также весьма эффективны. БСИТ наиболее предпочтительны в устройствах, требующих применения ключей средней высоковольтности (от 400 до 800 В)
    Exact
    [4,5,6,7]
    Suffix
    . Характеристики БСИТ схожи с характеристиками биполярного транзистора. По сравнению с полевым транзистором БСИТ эффективно работает при параллельном включении и имеет высокое быстродействие, не уступающее полевым транзисторам.

7
Патент No2524145 Российская Федерация, МПК H01L 29/70. Способ изготовления БСИТ-транзистора с охранными кольцами. /Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р., Захарова П.Р.; заявитель и патентообладатель ФГБОУ ВО Дагестанский государственный технический университет.- No2013100528/28; заявл. 09.01.2013; опубл. 27.07.2014 Бюл. No21.6с.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=6376
    Prefix
    БМТ и БТИЗ сильнее проявляют свои достоинства в высоковольтных применениях (свыше 1000 В), хотя и в ряде устройств средней высоковольтности они также весьма эффективны. БСИТ наиболее предпочтительны в устройствах, требующих применения ключей средней высоковольтности (от 400 до 800 В)
    Exact
    [4,5,6,7]
    Suffix
    . Характеристики БСИТ схожи с характеристиками биполярного транзистора. По сравнению с полевым транзистором БСИТ эффективно работает при параллельном включении и имеет высокое быстродействие, не уступающее полевым транзисторам.

8
Патент No2534439 Российская Федерация, МПК H01L 21/58. Способ формирования контакта к стоковой области полупроводникового прибора. /Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р., Захарова П.Р.; заявитель и патентообладатель ФГБОУ ВО Дагестанский государственный технический университет.- No2013100562/28; заявл. 09.01.2013; опубл. 27.11.2014. Бюл. No33.-4с.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=6933
    Prefix
    БСИТ сочетает все лучшие достоинства биполярных транзисторов и полевых транзисторов при низкой стоимости, что позволяет предположить, что в ближайшие годы эти транзисторы смогут заменить биполярные, практически во всех областях применения с одновременным улучшением техникоэкономических показателей РЭА
    Exact
    [8]
    Suffix
    . БСИТ - транзисторы изготавливаются с применением эффективных методов биполярной технологии, хорошо отработанных при производстве мощных транзисторов. Они имеют заметно более низкую стоимость по сравнению как с МОП МТ, так и с БТИЗ.

9
Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р., Захарова П.Р. Технологическое решение по улучшению параметров кристалла биполярного со статической индукцией транзистора. Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки.- 2011.- Т. 20 - No1- С. 6-10.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7549
    Prefix
    Тем не менее, широкое внедрение БСИТ - транзисторов сдерживается как по субъективным причинам (разработчики доверяют проверенным временем мощным полупроводниковым приборам), так и по объективным - небольшой процент выхода годных БСИТ в процессе их производства и достаточно большой разброс получаемых значений нормируемых параметров у этого типа мощных полупроводниковых приборов
    Exact
    [9,10,11,12,13,14]
    Suffix
    . Разработанные различные типы БСИТ - транзисторов требуют конструктивных доработок, совершенствования технологии для улучшения выходных характеристик прибора для улучшения таких параметров как пробивное напряжение, сопротивление, быстродействие [2-3].

10
Шахмаева А.Р., Захарова П.Р. Конструктивно-технологические методы улучшения параметров полупроводниковых приборов. Вестник Саратовского государственного технического университета. -2012.-Т.63 - No1- С. 36-40.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7549
    Prefix
    Тем не менее, широкое внедрение БСИТ - транзисторов сдерживается как по субъективным причинам (разработчики доверяют проверенным временем мощным полупроводниковым приборам), так и по объективным - небольшой процент выхода годных БСИТ в процессе их производства и достаточно большой разброс получаемых значений нормируемых параметров у этого типа мощных полупроводниковых приборов
    Exact
    [9,10,11,12,13,14]
    Suffix
    . Разработанные различные типы БСИТ - транзисторов требуют конструктивных доработок, совершенствования технологии для улучшения выходных характеристик прибора для улучшения таких параметров как пробивное напряжение, сопротивление, быстродействие [2-3].

11
Wang Y., Feng J., Liu C. et al. Improvements on voltage-resistant performance of bipolar static induction transistor (BSIT) with buried gate structure. Science in China Series F: Information Sciences, 2012, 55(4): 962.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7549
    Prefix
    Тем не менее, широкое внедрение БСИТ - транзисторов сдерживается как по субъективным причинам (разработчики доверяют проверенным временем мощным полупроводниковым приборам), так и по объективным - небольшой процент выхода годных БСИТ в процессе их производства и достаточно большой разброс получаемых значений нормируемых параметров у этого типа мощных полупроводниковых приборов
    Exact
    [9,10,11,12,13,14]
    Suffix
    . Разработанные различные типы БСИТ - транзисторов требуют конструктивных доработок, совершенствования технологии для улучшения выходных характеристик прибора для улучшения таких параметров как пробивное напряжение, сопротивление, быстродействие [2-3].

12
Napoli E. and Strollo A.G. Static Induction Transistors. Wiley Encyclopedia of Electrical and Electronics Engineering, 2014, pp.1–6.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7549
    Prefix
    Тем не менее, широкое внедрение БСИТ - транзисторов сдерживается как по субъективным причинам (разработчики доверяют проверенным временем мощным полупроводниковым приборам), так и по объективным - небольшой процент выхода годных БСИТ в процессе их производства и достаточно большой разброс получаемых значений нормируемых параметров у этого типа мощных полупроводниковых приборов
    Exact
    [9,10,11,12,13,14]
    Suffix
    . Разработанные различные типы БСИТ - транзисторов требуют конструктивных доработок, совершенствования технологии для улучшения выходных характеристик прибора для улучшения таких параметров как пробивное напряжение, сопротивление, быстродействие [2-3].

13
Meenakshi Mataray et al. Modern Power Semiconductor Devices. (IJCSIT) International Journal of Computer Science and Information Technologies, 2012, vol.3, no.4, pp. 4571 – 4574.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7549
    Prefix
    Тем не менее, широкое внедрение БСИТ - транзисторов сдерживается как по субъективным причинам (разработчики доверяют проверенным временем мощным полупроводниковым приборам), так и по объективным - небольшой процент выхода годных БСИТ в процессе их производства и достаточно большой разброс получаемых значений нормируемых параметров у этого типа мощных полупроводниковых приборов
    Exact
    [9,10,11,12,13,14]
    Suffix
    . Разработанные различные типы БСИТ - транзисторов требуют конструктивных доработок, совершенствования технологии для улучшения выходных характеристик прибора для улучшения таких параметров как пробивное напряжение, сопротивление, быстродействие [2-3].

14
Belkacem1a G., Lefebvre1 S., Joubert P. et al. Distributed and coupled 2D electro-thermal model of power semiconductor devices. Eur. Phys. J. Appl. Phys., 2014, 66, pp. 20-102
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7549
    Prefix
    Тем не менее, широкое внедрение БСИТ - транзисторов сдерживается как по субъективным причинам (разработчики доверяют проверенным временем мощным полупроводниковым приборам), так и по объективным - небольшой процент выхода годных БСИТ в процессе их производства и достаточно большой разброс получаемых значений нормируемых параметров у этого типа мощных полупроводниковых приборов
    Exact
    [9,10,11,12,13,14]
    Suffix
    . Разработанные различные типы БСИТ - транзисторов требуют конструктивных доработок, совершенствования технологии для улучшения выходных характеристик прибора для улучшения таких параметров как пробивное напряжение, сопротивление, быстродействие [2-3].

15
Jiang Y., Zeng C., Du H. et al. Holding-voltage drift of a silicon-controlled rectifier with different film thicknesses in silicon-on-insulator technology. Journal of Semiconductors, 2012, 33 (3): 962.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=8038
    Prefix
    Основными параметрами, влияющими на характеристики исследуемого транзистора, являются пробивное напряжение и сопротивление, которые, в свою очередь, зависят от конструкции прибора и технологии их изготовления
    Exact
    [15-16]
    Suffix
    . Постановка задачи. С этой целью были проведены исследования влияния конструктивных и технологических параметров на сопротивление транзистора. Структура БСИТ -транзистора приведена на рисунке 1. Рисунок 1- Структура БСИТ-транзистора Методы исследования.

16
Shaohua Lu and Farid Boussaid. An Inductorless Self-Controlled Rectifier for Piezoelectric Energy Harvesting. Sensors, 2015, p.15. Refenences: 1. Ismailov T.A., Shakhmaeva A.R. Transistor structures of power electronics. St. Petersburg: Politehnika, 2011, 125p. (In Russian)
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=8038
    Prefix
    Основными параметрами, влияющими на характеристики исследуемого транзистора, являются пробивное напряжение и сопротивление, которые, в свою очередь, зависят от конструкции прибора и технологии их изготовления
    Exact
    [15-16]
    Suffix
    . Постановка задачи. С этой целью были проведены исследования влияния конструктивных и технологических параметров на сопротивление транзистора. Структура БСИТ -транзистора приведена на рисунке 1. Рисунок 1- Структура БСИТ-транзистора Методы исследования.