The 18 references with contexts in paper F. Bukashev I., A. Shakhmaeva R., Ф. Букашев И., А. Шахмаева Р. (2016) “РАЗРАБОТКА УПРАВЛЯЕМЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ НА ОСНОВЕ БИПОЛЯРНЫХ СО СТАТИЧЕСКОЙ ИНДУКЦИЕЙ ТРАНЗИСТОРОВ (БСИТ) // DEVELOPMENT OF CONTROLLED RECTIFIERS BASED ON THE BIPOLAR WITH STATIC INDUCTION TRANSISTORS (BSIT)” / spz:neicon:vestnik:y:2016:i:3:p:34-44

1
Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р., Букашев Ф.И., Захарова П.Р. Технология, конструкции, методы моделирования и применение БСИТ-транзисторов/ М.: Академия, 2012.-252 с.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7375
    Prefix
    Одним из перспективных полупроводниковых приборов, пригодных для создания и совершенствования управляемых выпрямителей, является биполярный статический индукционный транзистор (БСИТ). Принцип действия и первые экспериментальные образцы статических индукционных транзисторов были разработаны японским ученым Джан-ичи Нишидзава (Junichi Nishidzawa) в начале 1950-х годов
    Exact
    [1,2,3]
    Suffix
    . Несмотря на отличие внутренней структуры, с точки зрения электрических характеристик БСИТ подобен биполярному транзистору, отличаясь от последнего существенно более высоким быстродействием, заметно меньшими потерями в цепи управления и в цепи коммутации, большей областью безопасной работы по причине отсутствия вторичного пробоя [4,5,6].

2
Букашев Ф.И. SPICE-модель биполярного статического индукционного транзистора // Известия вузов. Электроника, No 5, 2009. - С. 15-21.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7375
    Prefix
    Одним из перспективных полупроводниковых приборов, пригодных для создания и совершенствования управляемых выпрямителей, является биполярный статический индукционный транзистор (БСИТ). Принцип действия и первые экспериментальные образцы статических индукционных транзисторов были разработаны японским ученым Джан-ичи Нишидзава (Junichi Nishidzawa) в начале 1950-х годов
    Exact
    [1,2,3]
    Suffix
    . Несмотря на отличие внутренней структуры, с точки зрения электрических характеристик БСИТ подобен биполярному транзистору, отличаясь от последнего существенно более высоким быстродействием, заметно меньшими потерями в цепи управления и в цепи коммутации, большей областью безопасной работы по причине отсутствия вторичного пробоя [4,5,6].

3
Григорьев Б.И. Состояние и перспективы развития теории силовых биполярных транзисторов// Известия высших учебных заведений. Приборостроение. Спб.: ИТМО, 2016, Т. 59 - No 2, с. 95-106.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7375
    Prefix
    Одним из перспективных полупроводниковых приборов, пригодных для создания и совершенствования управляемых выпрямителей, является биполярный статический индукционный транзистор (БСИТ). Принцип действия и первые экспериментальные образцы статических индукционных транзисторов были разработаны японским ученым Джан-ичи Нишидзава (Junichi Nishidzawa) в начале 1950-х годов
    Exact
    [1,2,3]
    Suffix
    . Несмотря на отличие внутренней структуры, с точки зрения электрических характеристик БСИТ подобен биполярному транзистору, отличаясь от последнего существенно более высоким быстродействием, заметно меньшими потерями в цепи управления и в цепи коммутации, большей областью безопасной работы по причине отсутствия вторичного пробоя [4,5,6].

4
Лагунович Н.Л., Турцевич А.С., Борздов В.М. Новый технологический маршрут изготовления биполярного транзистора со статической индукцией// МНПК «Современные информационные и электронные технологии». Одесса, 2016, С.150-151.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7714
    Prefix
    Несмотря на отличие внутренней структуры, с точки зрения электрических характеристик БСИТ подобен биполярному транзистору, отличаясь от последнего существенно более высоким быстродействием, заметно меньшими потерями в цепи управления и в цепи коммутации, большей областью безопасной работы по причине отсутствия вторичного пробоя
    Exact
    [4,5,6]
    Suffix
    . Важными качествами БСИТ являются низкое входное напряжение управления и малая входная диффузионная емкость, чем обусловливается малая мощность, необходимая для отпирания БСИТ. По проведенной оценке, при частотах выше 300 кГц мощность потерь при переключении у БСИТ ниже, чем у МОП-транзистора того же класса по напряжению и току.

5
Шахмаева А.Р., Шангереева Б.А., Саркаров Т.Э. Технология изготовления транзисторных структур силовой электроники//Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки. 2016. – No1. –Т. 40. -С.31-37.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7714
    Prefix
    Несмотря на отличие внутренней структуры, с точки зрения электрических характеристик БСИТ подобен биполярному транзистору, отличаясь от последнего существенно более высоким быстродействием, заметно меньшими потерями в цепи управления и в цепи коммутации, большей областью безопасной работы по причине отсутствия вторичного пробоя
    Exact
    [4,5,6]
    Suffix
    . Важными качествами БСИТ являются низкое входное напряжение управления и малая входная диффузионная емкость, чем обусловливается малая мощность, необходимая для отпирания БСИТ. По проведенной оценке, при частотах выше 300 кГц мощность потерь при переключении у БСИТ ниже, чем у МОП-транзистора того же класса по напряжению и току.

6
Шахмаева А.Р., Захарова П.Р. Применение САПР SYNOPSYS для моделирования БСИТ-транзистора// Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы материаловедения и наноматериалов: труды VIII Международной конференции.- 910 июня 2011.- М: Изд-во МИСиС, 2011.-С.823-828.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7714
    Prefix
    Несмотря на отличие внутренней структуры, с точки зрения электрических характеристик БСИТ подобен биполярному транзистору, отличаясь от последнего существенно более высоким быстродействием, заметно меньшими потерями в цепи управления и в цепи коммутации, большей областью безопасной работы по причине отсутствия вторичного пробоя
    Exact
    [4,5,6]
    Suffix
    . Важными качествами БСИТ являются низкое входное напряжение управления и малая входная диффузионная емкость, чем обусловливается малая мощность, необходимая для отпирания БСИТ. По проведенной оценке, при частотах выше 300 кГц мощность потерь при переключении у БСИТ ниже, чем у МОП-транзистора того же класса по напряжению и току.

7
Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А. Полевой транзистор с длинным каналом со свойствами короткоканального транзистора// Физика и техника полупроводников. М.: Изд. «Наука», 2014.- No 4 - С. 498-503.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=12818
    Prefix
    от последнего существенно более высоким быстродействием, заметно меньшими потерями в цепи управления и в цепи коммутации, большей областью безопасной работы по причине отсутствия вторичного пробоя. К числу достоинств БСИТ следует также отнести низкое напряжение управления. В настоящее время по совершенствованию технологии и конструкции БСИТ проводятся исследовательские работы
    Exact
    [7,8,9,10]
    Suffix
    . Основным критерием для управляемых выпрямителей может быть введен критерий эффективности - суммарная мощность потерь в управляемом выпрямителе: PdissCR = Iвых(Vвы-Vвых)+VвхIу, (1) где Vвых – выходной ток управляемого выпрямителя, А; Vвх, Vвых – соответственно входное напряжение и выходное напряжение

8
Захарова П.Р. Исследование и анализ изменения параметров канальной области бсит - транзистора средней высоковольтности. Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки. 2013;29(2):15-21
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=12818
    Prefix
    от последнего существенно более высоким быстродействием, заметно меньшими потерями в цепи управления и в цепи коммутации, большей областью безопасной работы по причине отсутствия вторичного пробоя. К числу достоинств БСИТ следует также отнести низкое напряжение управления. В настоящее время по совершенствованию технологии и конструкции БСИТ проводятся исследовательские работы
    Exact
    [7,8,9,10]
    Suffix
    . Основным критерием для управляемых выпрямителей может быть введен критерий эффективности - суммарная мощность потерь в управляемом выпрямителе: PdissCR = Iвых(Vвы-Vвых)+VвхIу, (1) где Vвых – выходной ток управляемого выпрямителя, А; Vвх, Vвых – соответственно входное напряжение и выходное напряжение

9
Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р., Захарова П.Р. Технологическое решение по улучшению параметров кристалла биполярного со статической индукцией транзистора// Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки.-2011.- Т. 20 - No1 - С. 6-10.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=12818
    Prefix
    от последнего существенно более высоким быстродействием, заметно меньшими потерями в цепи управления и в цепи коммутации, большей областью безопасной работы по причине отсутствия вторичного пробоя. К числу достоинств БСИТ следует также отнести низкое напряжение управления. В настоящее время по совершенствованию технологии и конструкции БСИТ проводятся исследовательские работы
    Exact
    [7,8,9,10]
    Suffix
    . Основным критерием для управляемых выпрямителей может быть введен критерий эффективности - суммарная мощность потерь в управляемом выпрямителе: PdissCR = Iвых(Vвы-Vвых)+VвхIу, (1) где Vвых – выходной ток управляемого выпрямителя, А; Vвх, Vвых – соответственно входное напряжение и выходное напряжение

10
Шахмаева А.Р., Шангереева Б.А., Захарова П.Р. Разработка конструктивнотехнологических решений создания БСИТ-транзисторов с применением средств приборно-технологического моделирования//Актуальные направления фундаментальных и прикладных исследований: материалы IV международной научно-практической конференции, 4-5 августа 2014 г.– М., 2014.-С. 172-174
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=12818
    Prefix
    от последнего существенно более высоким быстродействием, заметно меньшими потерями в цепи управления и в цепи коммутации, большей областью безопасной работы по причине отсутствия вторичного пробоя. К числу достоинств БСИТ следует также отнести низкое напряжение управления. В настоящее время по совершенствованию технологии и конструкции БСИТ проводятся исследовательские работы
    Exact
    [7,8,9,10]
    Suffix
    . Основным критерием для управляемых выпрямителей может быть введен критерий эффективности - суммарная мощность потерь в управляемом выпрямителе: PdissCR = Iвых(Vвы-Vвых)+VвхIу, (1) где Vвых – выходной ток управляемого выпрямителя, А; Vвх, Vвых – соответственно входное напряжение и выходное напряжение

11
Шахмаева А.Р., Захарова П.Р. Совершенствование технологии изготовления низковольтного транзистора с наноразмерными величинами активных областей// Прикаспийский журнал. Управление и высокие технологии. 2011.- Т.4 - No16. - С.103-110.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=15309
    Prefix
    Конденсатор C1 емкостью 15 нФ предназначен для поддержания потенциала на базе транзистора VT1 с целью его более быстрого запирания. Здесь реализован метод пропорционально-насыщенного управления биполярным статическим индукционным транзистором
    Exact
    [11]
    Suffix
    . Установлено, что входное напряжение, равное 2,0 В, является нижним рабочим напряжением данного управляемого выпрямителя. Рисунок 1 - Управляемый выпрямитель с пропорционально-насыщенным управлением БСИТ Входное переменное напряжение для макета управляемого выпрямителя формировалось при помощи инвертора, собранного на сильноточных МОП-транзисторах.

12
Патент 2013100562/28 Рос. Федерация: МПК H01L 21/58, No 2534439; заявл. 09.01.2013;опубл. 27.11.2014 Бюл. No33.-4с. Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р., Захарова П.Р. Способ формирования контакта к стоковой области полупроводникового прибора.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=19496
    Prefix
    В процессе работы выбрана оптимальная технология металлизации, состоящая из последовательного напыления четырех слоев (хром-никель-олово-серебро) в едином технологическом цикле и обеспечивающая качественную посадку кристалла на основание корпуса, а также увеличение процента выхода годных изделий на 6-10%
    Exact
    [12-14]
    Suffix
    . Особенность предлагаемого процесса можно объяснить тем, что после металлизации проводится посадка кристалла прибора на основание корпуса, однако в случае одновременного присутствия примесей нескольких металлов на обратной стороне кристалла, даже благородных, часто развивается коррозия паяного соединения, приводя к разрушению контакта без всякого воздействия агрессивных сред [13].

13
Wang, Y., Feng, J., Liu, C. et al. Improvements on voltage-resistant performance of bipolar static induction transistor (BSIT) with buried gate structure. Science in China Series F: Information Sciences, 2012, 55(4): 962.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=19496
    Prefix
    В процессе работы выбрана оптимальная технология металлизации, состоящая из последовательного напыления четырех слоев (хром-никель-олово-серебро) в едином технологическом цикле и обеспечивающая качественную посадку кристалла на основание корпуса, а также увеличение процента выхода годных изделий на 6-10%
    Exact
    [12-14]
    Suffix
    . Особенность предлагаемого процесса можно объяснить тем, что после металлизации проводится посадка кристалла прибора на основание корпуса, однако в случае одновременного присутствия примесей нескольких металлов на обратной стороне кристалла, даже благородных, часто развивается коррозия паяного соединения, приводя к разрушению контакта без всякого воздействия агрессивных сред [13].

  2. In-text reference with the coordinate start=19890
    Prefix
    Особенность предлагаемого процесса можно объяснить тем, что после металлизации проводится посадка кристалла прибора на основание корпуса, однако в случае одновременного присутствия примесей нескольких металлов на обратной стороне кристалла, даже благородных, часто развивается коррозия паяного соединения, приводя к разрушению контакта без всякого воздействия агрессивных сред
    Exact
    [13]
    Suffix
    . Взаимодействие припоя с основой предупреждает барьерный слой никеля. По подслою никеля часто применяют покрытие золота и серебра. Устойчивостью к атмосферному воздействию обладают покрытия оловом, сплавом золото-никель.

14
Wang, Y., Feng, J., Liu, C. et al. Improvement on the dynamical performance of a power bipolar static induction transistor with a buried gate structure. Journal of Semiconductors, 2011, 32 (11): 962.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=19496
    Prefix
    В процессе работы выбрана оптимальная технология металлизации, состоящая из последовательного напыления четырех слоев (хром-никель-олово-серебро) в едином технологическом цикле и обеспечивающая качественную посадку кристалла на основание корпуса, а также увеличение процента выхода годных изделий на 6-10%
    Exact
    [12-14]
    Suffix
    . Особенность предлагаемого процесса можно объяснить тем, что после металлизации проводится посадка кристалла прибора на основание корпуса, однако в случае одновременного присутствия примесей нескольких металлов на обратной стороне кристалла, даже благородных, часто развивается коррозия паяного соединения, приводя к разрушению контакта без всякого воздействия агрессивных сред [13].

15
Napoli, E. and Strollo, A. G. Static Induction Transistors. Wiley Encyclopedia of Electrical and Electronics Engineering, 2014, pp.1–6.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=23350
    Prefix
    Данное сочетание напыляемых слоев обеспечивает получение надежного омического контакта к коллекторной области при посадке кристалла на основание, которое приводит к уменьшению сопротивления омического перехода, что увеличивает процент выхода годных приборов
    Exact
    [15,16,17,18]
    Suffix
    . Вывод. В результате проведенных измерений характеристик макета управляемого выпрямителя на основе БСИТ КТ698И с пропорционально-насыщенным управлением установлена работоспособность макета при входном напряжении от 2,0 В на частоте до 750 кГц.

16
Meenakshi Mataray et al. Modern Power Semiconductor Devices. (IJCSIT) International Journal of Computer Science and Information Technologies, 2012, vol.3, no. 4, pp. 4571 – 4574.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=23350
    Prefix
    Данное сочетание напыляемых слоев обеспечивает получение надежного омического контакта к коллекторной области при посадке кристалла на основание, которое приводит к уменьшению сопротивления омического перехода, что увеличивает процент выхода годных приборов
    Exact
    [15,16,17,18]
    Suffix
    . Вывод. В результате проведенных измерений характеристик макета управляемого выпрямителя на основе БСИТ КТ698И с пропорционально-насыщенным управлением установлена работоспособность макета при входном напряжении от 2,0 В на частоте до 750 кГц.

17
Shaohua Lu and Farid Boussaid. An Inductorless Self-Controlled Rectifier for Piezoelectric Energy Harvesting. Sensors, 2015, p.15.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=23350
    Prefix
    Данное сочетание напыляемых слоев обеспечивает получение надежного омического контакта к коллекторной области при посадке кристалла на основание, которое приводит к уменьшению сопротивления омического перехода, что увеличивает процент выхода годных приборов
    Exact
    [15,16,17,18]
    Suffix
    . Вывод. В результате проведенных измерений характеристик макета управляемого выпрямителя на основе БСИТ КТ698И с пропорционально-насыщенным управлением установлена работоспособность макета при входном напряжении от 2,0 В на частоте до 750 кГц.

18
G. Belkacem1a, S. Lefebvre1, P. Joubert et al. Distributed and coupled 2D electro-thermal model of power semiconductor devices. Eur. Phys. J. Appl. Phys., 2014, 66: 20102.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=23350
    Prefix
    Данное сочетание напыляемых слоев обеспечивает получение надежного омического контакта к коллекторной области при посадке кристалла на основание, которое приводит к уменьшению сопротивления омического перехода, что увеличивает процент выхода годных приборов
    Exact
    [15,16,17,18]
    Suffix
    . Вывод. В результате проведенных измерений характеристик макета управляемого выпрямителя на основе БСИТ КТ698И с пропорционально-насыщенным управлением установлена работоспособность макета при входном напряжении от 2,0 В на частоте до 750 кГц.