The 12 references with contexts in paper L. Atlukhanova B., F. Gabibov S., M. Rizakhanov A., Л. Атлуханова Б., Ф. Габибов С., М. Ризаханов А. (2016) “НЕСТАНДАРТНЫЕ РЕЛАКСАЦИИ ИНДУЦИРОВАННОЙ ПРИМЕСНОЙ ФОТОПРОВОДИМОСТИ В СОЕДИНЕНИЯХ AII BVI И AIII BV // CUSTOM RELAXATION INDUCED IMPURITY PHOTOCONDUCTIVITY IN THE UNITED AII BVI and AIII BV” / spz:neicon:vestnik:y:2016:i:1:p:15-22

1
Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках, М., ГИФМЛ, 1963, 573 с.
Total in-text references: 3
  1. In-text reference with the coordinate start=3990
    Prefix
    В физике полупроводников широкое распространение получили представления об электронных ловушках (центрах прилипания), как о локальных центрах, способных обмениваться электронами лишь с одной (с-зоной). Исследованию электронных ловушек посвящено большое число работ
    Exact
    [1]
    Suffix
    . Однако физико-химическая природа и различные особенности поведения электронных ловушек недостаточно изучены. Постановка задачи. В данной работе методом индуцированной примесной фотопроводимости выполнены исследования с целью установления кинетических особенностей электронных ловушек в широкозонных фотопроводниках АIIBVI (CdSe, CdS ZnSe и др.) и АIIIBV (GaAs).

  2. In-text reference with the coordinate start=4488
    Prefix
    В данной работе методом индуцированной примесной фотопроводимости выполнены исследования с целью установления кинетических особенностей электронных ловушек в широкозонных фотопроводниках АIIBVI (CdSe, CdS ZnSe и др.) и АIIIBV (GaAs). Методы исследования. Классический вариант релаксации ИПФ в фотопроводниках с одной оптически активной ловушкой описан Рывкиным
    Exact
    [1]
    Suffix
    . Соответствующие кривые кинетики ИПФ, записанные по методике последовательного воздействия на фотопроводник собственным светом с целью неравновесного заполнения электронной ловушки и примесным светом для ее ионизации, состоят из двух стадий.

  3. In-text reference with the coordinate start=9256
    Prefix
    Релаксация ИПФ, подобная релаксации равновесной примесной фотопроводимости. В кристаллах AIIBVl с примесями Ag наблюдаются быстрые ловушки, связанные с изолированным междоузельным донором Agi0 (i=1) [6-9], распределенными по длине донор-донорными парами Ag20 (i=2)
    Exact
    [10,l1]
    Suffix
    и многоатомными частицами Agi0 (i ≥3) [9,12]. Ассоциаты Agi0 (i≥3) являются глубокими центрами с уровнями ниже Ес-0,6 эВ и ведут себя в типичных соединениях как центры равновесной примесной фотопроводимости.

2
Ризаханов М.А., Зобов Е.М. N-образное нарастание и колебания примесного фототока в кристаллах CdSe<Cu>, Физика и техника полупроводников, 1979, том 13, No1, 2030-2032
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=6696
    Prefix
    Стрелками показаны точки включения (↑) и выключения инфракрасного света а в схемы электронных переходов, ответственных за релаксацию ИПФ в GaAs и ZnSe<Ag>. Ранее в CdSe<Au> исследована неустойчивость темнового тока в форме S- образной вольт-амперной характеристики, наблюдаемой как следствие ударной ионизации r-центра рекомбинации Ev +0,6 эВ
    Exact
    [2]
    Suffix
    . Колебания, наблюдаемые на стадии роста равновесного примесного фототока, исследованы в CdSe<Cu> [3]. Роль рабочего центра играет ловушка Ес - 0,11эВ, которая, если судить по ее весьма низкому сечению захвата электрона stn≈ 10-23 м2, может быть причислена к двухзарядным акцепторам.

  2. In-text reference with the coordinate start=7129
    Prefix
    Роль рабочего центра играет ловушка Ес - 0,11эВ, которая, если судить по ее весьма низкому сечению захвата электрона stn≈ 10-23 м2, может быть причислена к двухзарядным акцепторам. Двойные акцепторы с уровнями вблизи с-зоны характерны для соединений AIIBvl [4]. Перечисленные неустойчивости тока в CdSe<Au>, CdSe<Cu> объяснены
    Exact
    [2,3]
    Suffix
    CdSe<Au>, CdSe<Cu> в предположении об их электрической макронеоднородности. Центры Еv +0,6 эВ, Ес - 0,11эВ могут размещаться в объеме крупномасштабных нарушений, в пределах которых формируются электрические поля, достаточные для разогрева носителей заряда и варьировать населенность электронных центров.

3
Ризаханов М.А., Зобов Е.М. Регулирование примесным светом тока в кристаллах CdSe<Au> в области отрицательного дифференциала сопротивления. Физика и техника полупроводников, 1979, т.13, No5, с. 998-1000
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=6798
    Prefix
    Ранее в CdSe<Au> исследована неустойчивость темнового тока в форме S- образной вольт-амперной характеристики, наблюдаемой как следствие ударной ионизации r-центра рекомбинации Ev +0,6 эВ [2]. Колебания, наблюдаемые на стадии роста равновесного примесного фототока, исследованы в CdSe<Cu>
    Exact
    [3]
    Suffix
    . Роль рабочего центра играет ловушка Ес - 0,11эВ, которая, если судить по ее весьма низкому сечению захвата электрона stn≈ 10-23 м2, может быть причислена к двухзарядным акцепторам. Двойные акцепторы с уровнями вблизи с-зоны характерны для соединений AIIBvl [4].

  2. In-text reference with the coordinate start=7129
    Prefix
    Роль рабочего центра играет ловушка Ес - 0,11эВ, которая, если судить по ее весьма низкому сечению захвата электрона stn≈ 10-23 м2, может быть причислена к двухзарядным акцепторам. Двойные акцепторы с уровнями вблизи с-зоны характерны для соединений AIIBvl [4]. Перечисленные неустойчивости тока в CdSe<Au>, CdSe<Cu> объяснены
    Exact
    [2,3]
    Suffix
    CdSe<Au>, CdSe<Cu> в предположении об их электрической макронеоднородности. Центры Еv +0,6 эВ, Ес - 0,11эВ могут размещаться в объеме крупномасштабных нарушений, в пределах которых формируются электрические поля, достаточные для разогрева носителей заряда и варьировать населенность электронных центров.

4
Девлин С.С. Свойства переноса. С.417-464 (в кн. Физика и химия соединений АII ВVI (пер. с англ. под ред. С.А. Медведева), М., изд. «Мир», 1970.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7059
    Prefix
    Роль рабочего центра играет ловушка Ес - 0,11эВ, которая, если судить по ее весьма низкому сечению захвата электрона stn≈ 10-23 м2, может быть причислена к двухзарядным акцепторам. Двойные акцепторы с уровнями вблизи с-зоны характерны для соединений AIIBvl
    Exact
    [4]
    Suffix
    . Перечисленные неустойчивости тока в CdSe<Au>, CdSe<Cu> объяснены [2,3] CdSe<Au>, CdSe<Cu> в предположении об их электрической макронеоднородности. Центры Еv +0,6 эВ, Ес - 0,11эВ могут размещаться в объеме крупномасштабных нарушений, в пределах которых формируются электрические поля, достаточные для разогрева носителей заряда и варьировать населенность электронных центров.

5
Зобов Е.М., Зобов М.Е., Ризаханов М.А. Термическая ионизация электронной ловушки Ес - 0.17 эВ в Zn0,97Cd0,03S(Cu,Cl), облегченная электромодуляцией ее эффективного сечения захвата, Письма в ЖТФ, 2012, т. 38, No1, 86-93.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=8401
    Prefix
    Лавинообразный захват фотоэлектронов может привести к новому поэтапному быстрому росту внутреннего поля в объеме макронеоднородности, достаточному для тепловой ионизации ловушки t2. Прямые доказательства явления термической ионизации ловушки, облегченной электромодуляцией ее сечения захвата электрона, представлены в сравнительно недавно опубликованной работе
    Exact
    [5]
    Suffix
    . Фотоответ в ZnSe<Ag>, благодаря ловушке-пульсара, переходит, как и в названном выше, CdSe<Cu>, в автоколебательный режим под влиянием электрических полей, разгораемых в макронеоднородных фрагментах кристалла в зависимости от интенсивности и характера рекамбинационно активных процессов.

6
Ризаханов М.А., Эмиров Ю.Н, Габибов Ф.С., Хамидов М.М., Шейнкман М.К. Природа оранжевой люминесценции в кристаллах CdS<Ag>, Физика и техника полупроводников, 1978, т. 12, No.7, с. 1342-1345.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=9189
    Prefix
    Релаксация ИПФ, подобная релаксации равновесной примесной фотопроводимости. В кристаллах AIIBVl с примесями Ag наблюдаются быстрые ловушки, связанные с изолированным междоузельным донором Agi0 (i=1)
    Exact
    [6-9]
    Suffix
    , распределенными по длине донор-донорными парами Ag20 (i=2) [10,l1] и многоатомными частицами Agi0 (i ≥3) [9,12]. Ассоциаты Agi0 (i≥3) являются глубокими центрами с уровнями ниже Ес-0,6 эВ и ведут себя в типичных соединениях как центры равновесной примесной фотопроводимости.

7
Ризаханов М.А., Габибов Ф.С. Спектральные сдвиги полос индуцированной примесной фотопроводимости в кристаллах CdS<Ag>, Физика и техника полупроводников, 1979, т.13, No7, 1324-1328.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=9189
    Prefix
    Релаксация ИПФ, подобная релаксации равновесной примесной фотопроводимости. В кристаллах AIIBVl с примесями Ag наблюдаются быстрые ловушки, связанные с изолированным междоузельным донором Agi0 (i=1)
    Exact
    [6-9]
    Suffix
    , распределенными по длине донор-донорными парами Ag20 (i=2) [10,l1] и многоатомными частицами Agi0 (i ≥3) [9,12]. Ассоциаты Agi0 (i≥3) являются глубокими центрами с уровнями ниже Ес-0,6 эВ и ведут себя в типичных соединениях как центры равновесной примесной фотопроводимости.

8
Ризаханов М.А., Зобов Е.М.. Неохлаждаемый примесный детектор ИК света среднего диапазона на основе неравновесно очувствленного CdS<Ag>, Физика и техника полупроводников, 1980, т.14, No12, с 24072410.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=9189
    Prefix
    Релаксация ИПФ, подобная релаксации равновесной примесной фотопроводимости. В кристаллах AIIBVl с примесями Ag наблюдаются быстрые ловушки, связанные с изолированным междоузельным донором Agi0 (i=1)
    Exact
    [6-9]
    Suffix
    , распределенными по длине донор-донорными парами Ag20 (i=2) [10,l1] и многоатомными частицами Agi0 (i ≥3) [9,12]. Ассоциаты Agi0 (i≥3) являются глубокими центрами с уровнями ниже Ес-0,6 эВ и ведут себя в типичных соединениях как центры равновесной примесной фотопроводимости.

9
Ризаханов М.А., Хамидов М.М. Фотостимулированные явления нетепловой диффузии и ассоциации доноров в кристаллах ZnSe<Ag>, Письма в ЖТФ, 1985, т.11, No9, с.561-567.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=9189
    Prefix
    Релаксация ИПФ, подобная релаксации равновесной примесной фотопроводимости. В кристаллах AIIBVl с примесями Ag наблюдаются быстрые ловушки, связанные с изолированным междоузельным донором Agi0 (i=1)
    Exact
    [6-9]
    Suffix
    , распределенными по длине донор-донорными парами Ag20 (i=2) [10,l1] и многоатомными частицами Agi0 (i ≥3) [9,12]. Ассоциаты Agi0 (i≥3) являются глубокими центрами с уровнями ниже Ес-0,6 эВ и ведут себя в типичных соединениях как центры равновесной примесной фотопроводимости.

  2. In-text reference with the coordinate start=9402
    Prefix
    В кристаллах AIIBVl с примесями Ag наблюдаются быстрые ловушки, связанные с изолированным междоузельным донором Agi0 (i=1) [6-9], распределенными по длине донор-донорными парами Ag20 (i=2) [10,l1] и многоатомными частицами Agi0 (i ≥3)
    Exact
    [9,12]
    Suffix
    . Ассоциаты Agi0 (i≥3) являются глубокими центрами с уровнями ниже Ес-0,6 эВ и ведут себя в типичных соединениях как центры равновесной примесной фотопроводимости. Одно и двухатомные центры Agi0, Ag20 выделяются состояниями выше уровня Ес - 0.6 эВ и в достаточно высокоомных соединениях играют роль как электронных ловушек, обуславливают ИПФ.

10
Зобов Е.М., Гарягдиев Г.Г., Ризаханов М.А. Новые квазилинейчатые спектры индуцированной примесной фотопроводимости в CdS<Ag>, обусловленные рапсределенными донор-донорными парами, Физика и техника полупроводников, 1987, т. 21, No9, с.1637-1641.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=9256
    Prefix
    Релаксация ИПФ, подобная релаксации равновесной примесной фотопроводимости. В кристаллах AIIBVl с примесями Ag наблюдаются быстрые ловушки, связанные с изолированным междоузельным донором Agi0 (i=1) [6-9], распределенными по длине донор-донорными парами Ag20 (i=2)
    Exact
    [10,l1]
    Suffix
    и многоатомными частицами Agi0 (i ≥3) [9,12]. Ассоциаты Agi0 (i≥3) являются глубокими центрами с уровнями ниже Ес-0,6 эВ и ведут себя в типичных соединениях как центры равновесной примесной фотопроводимости.

12
Габибов Ф.С. Глубокие электронные центры, обуславливающие равновесную фотопроводимость в CdSe<Ag> в области hν>0,6 эВ. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. Тезисы докл. II научной конференции, Ашхабад. Ылым. 1991, с. 39-40.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=9402
    Prefix
    В кристаллах AIIBVl с примесями Ag наблюдаются быстрые ловушки, связанные с изолированным междоузельным донором Agi0 (i=1) [6-9], распределенными по длине донор-донорными парами Ag20 (i=2) [10,l1] и многоатомными частицами Agi0 (i ≥3)
    Exact
    [9,12]
    Suffix
    . Ассоциаты Agi0 (i≥3) являются глубокими центрами с уровнями ниже Ес-0,6 эВ и ведут себя в типичных соединениях как центры равновесной примесной фотопроводимости. Одно и двухатомные центры Agi0, Ag20 выделяются состояниями выше уровня Ес - 0.6 эВ и в достаточно высокоомных соединениях играют роль как электронных ловушек, обуславливают ИПФ.

13
Лашкарев В.Е., Любченко А.В., Шейнкман М.К. Неравновесные процессы в фотопроводниках, 1981, Киев, "Наукова думка", 285 с.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=9924
    Prefix
    Одно и двухатомные центры Agi0, Ag20 выделяются состояниями выше уровня Ес - 0.6 эВ и в достаточно высокоомных соединениях играют роль как электронных ловушек, обуславливают ИПФ. Из-за значительного различия между сечениями захвата электрона ловушек Agi0, Ag2(i) (stn=10-14 – 10-16 (см. рис.2) и r-центра рекомбинации (srn = 10-17 - 10-19 см2
    Exact
    [13]
    Suffix
    ) процессы повторного захвата электронов на ловушки преобладают над скоростью их рекомбинации. Как следствие, релаксация, связанной с Agi0, Ag2(i)-центрами, приобретает при частоте модуляции инфракрасного света f ≥ 20Гц форму релаксации равновесной примесной фотопроводимости (рис. 2, кривая а ́), в том числе и релаксации фотоответа от многоатомных ассоциатов Agi0 (i≥3).