The 2 references with contexts in paper T. Ismailov A., H. Gadjiyev M., P. Magomedova A., T. Chelushkinа A., Т. Исмаилов А., Х. Гаджиев М., П. Магомедова А., Т. Челушкина А. (2016) “ЭНЕРГОЭФФЕКТИВНЫЙ ТЕПЛООТВОД НА ОСНОВЕ МНОГОКАСКАДНОГО ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО УСТРОЙСТВА С ПРИМЕНЕНИЕМ ДИОДОВ ГАННА // ENERGYEFFICIENT HEAT DISSIPATION THROUGH MULTISTAGE THERMOELECTRIC DEVICE USING GUNN DIODES” / spz:neicon:vestnik:y:2015:i:4:p:14-21

1
Патент РФ No2288555. Термоэлектрический теплоотвод/Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Нежведилов Т.Д., Гафуров К.А.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7165
    Prefix
    Таким образом, многокаскадный термоэлектрический теплоотвод способен обеспечить надежное функционирование микроэлектронной аппаратуры в стационарных и нестационарных режимах работы в условиях динамической нагрузки
    Exact
    [1]
    Suffix
    . Методы исследования. Дальнейшее совершенствование теплоотвода целесообразно проводить в направлении повышения доли отвода тепла за счет излучения, причем излучение будет создаваться не за счет теплового нагрева атомов полупроводника, а за счет других эффектов, которые при генерации электромагнитного излучения не создают высоких температур.

2
Патент РФ No2558217 Способ отвода тепла от тепловыделяющих электронных компонентов в виде электромагнитной энергии на основе диодов Ганна/ Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Нежведилов Т.Д., Челушкина Т.А.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=8258
    Prefix
    нелинейными характеристиками, то помимо обычного эффекта Пельтье возникнет еще и излучение в структурах, эквивалентных диоду Ганна и, такой теплоотвод будет отводить дополнительную энергию в окружающую среду в виде электромагнитного излучения сверхвысокочастотного диапазона. Применение диодов Ганна в качестве систем охлаждения позволит изготовить более энергоэффективные системы охлаждения
    Exact
    [2]
    Suffix
    . Расчет параметров энергоэффективного теплоотвода на основе многокаскадного термоэлектрического устройства с применением диодов Ганна можно провести по следующим соотношениям. Обозначим температуры переходов - Т0, Т1, .