The 3 references with contexts in paper B. Bilalov A., M. Gusejnov K., G. Safaraliev K., Б. Билалов А., М. Гусейнов К., Г. Сафаралиев К. (2016) “ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ И СОСТАВА ПЛЕНОК ТВЕРДОГО РАСТВОРА (SiC)1-x(AlN)x, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ МАГНЕТРОННОГО ОСАЖДЕНИЯ // RESEARCH OF STRUCTURE AND COMPOSITION OF FILMS SOLID SOLUTION (SIC)1-X (ALN)X, RECEIVED BY METHOD MAGNETRON DEPOSITION” / spz:neicon:vestnik:y:2015:i:3:p:15-20

1
Нурмагомедов Ш.А., Сорокин Н.Д., Сафаралиев Г.К., Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. //Изв. АН СССР. Неорг. Мат-лы. Т.22, Вып. 10, с.1872-1874 (1986).
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=3093
    Prefix
    Твердые растворы на их основе являются перспективными материалами для создания приборов опто-и силовой электроники. Псевдобинарные твердые растворы SiC-A3B5, особенно в системах SiC-AIN и SiC-GaN, позволяют существенно расширять диапазон важнейших электрофизических свойств SiC
    Exact
    [1,2]
    Suffix
    . Реальное использование указанных широкозонных материалов в приборостроении определяется уровнем развития технологии р-п-структур и понимания физических процессов в них. Несмотря на значительный прогресс в технологии получения монокристаллических SiC и твердых растворов на их основе (SiC)1-x(AlN)x существует ряд факторов, препятствующих достижению их реального коммерческого потенциала.

2
Сафаралиев Г.К., Курбанов М.К., Офицерова Н.В., Таиров Ю.М.. Изв. РАН. Неорг. матер., No 6. (1995).
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=3093
    Prefix
    Твердые растворы на их основе являются перспективными материалами для создания приборов опто-и силовой электроники. Псевдобинарные твердые растворы SiC-A3B5, особенно в системах SiC-AIN и SiC-GaN, позволяют существенно расширять диапазон важнейших электрофизических свойств SiC
    Exact
    [1,2]
    Suffix
    . Реальное использование указанных широкозонных материалов в приборостроении определяется уровнем развития технологии р-п-структур и понимания физических процессов в них. Несмотря на значительный прогресс в технологии получения монокристаллических SiC и твердых растворов на их основе (SiC)1-x(AlN)x существует ряд факторов, препятствующих достижению их реального коммерческого потенциала.

3
Ласка В.Л., Митрофанов А.П., Карманенко С.Ф.// Электронная техника. Сер. Электровакуумные и газоразрядные приборы. 1985. В.1 (106), 101 с.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=6019
    Prefix
    Расчет протяженности зоны термализации - расстояния от мишени, на которой распыленные атомы в потоке к подложке достигают термодинамического равновесия с рабочим газом, был проведен на основе модели парных соударений в приближении жестких сфер
    Exact
    [3]
    Suffix
    . Рассчитанные на основе данной модели зависимости расстояния от давления Ar для атомов Si, C, Al, N, содержащихся в мишени, при значении кинетической энергии распыленных атомов 5эВ приведены на рисунке 1.