The 6 references with contexts in paper M. Gadjialiev M., Z. Pirmagomedov Sh., T. Efendieva N., М. Гаджиалиев М., З. Пирмагомедов Ш., Т. Эфендиева Н. (2016) “ТЕРМОЭДС УЗКОЗОННОГО ПОЛУПРОВОДНИКА n-InSb В ПОПЕРЕЧНОМ МАГНИТНОМ ПОЛЕ // TEMPERATURE AND MAGNETIC FIELD DEPENDENCES OF THERMOELECTRIC POWER IN ELECTRONIC ANTIMONIDE INDIUM” / spz:neicon:vestnik:y:2013:i:4:p:33-37

1
Б.М. Аскеров. Электронные явления переноса в полупроводниках (М. Наука, 1985).
Total in-text references: 3
  1. In-text reference with the coordinate start=3600
    Prefix
    Термоэдс электронной составляющей в поперечном магнитном поле обозначается через ехх. Термоэдс электронного антимонида индия (n-InSb) в поперечном магнитном поле в примесной области исследована в целом ряде работ
    Exact
    [1-6]
    Suffix
    . Теоретически показано и экспериментально подтверждено, что изменение диффузионной доли в слабом поле Ωτ < 1 (где Ω= mc еH *- циклотронная частота, е- заряд электрона, Н – напряженность магнитного поля, m* - эффективная масса электрона, с- скорость света, τ – время релаксации импульса электрона) в зависимости от области температуры меняет свой знак, в сильном поле Ωτ > 1 насыщается,

  2. In-text reference with the coordinate start=4212
    Prefix
    масса электрона, с- скорость света, τ – время релаксации импульса электрона) в зависимости от области температуры меняет свой знак, в сильном поле Ωτ > 1 насыщается, в квантующем магнитном поле Ωτ > 1, ћΩ > kT (где ћ - постоянная Планка, деленная на 2π, k – постоянная Больцмана, T – абсолютная температура) увеличивается пропорционально логарифму υ (где υ = ћΩ/2kT). Согласно теории
    Exact
    [1]
    Suffix
    , как было отмечено выше, знак изменения поперечной магнетотермоэдс ()(0) ee xx e xxH, (где )(H e xx - электронная доля термоэдс в поперечном магнитном поле, (0) e - термоэдс в нулевом поле) в слабом поле зависит от доминирующего при данной температуре механизма рассеяния носителя тока.

  3. In-text reference with the coordinate start=10361
    Prefix
    При температуре близкой к этой температуре e xx , стремится к нулю и можно считать, что в области температур близкой к данной температуре, время релаксации не меняется от энергии электрона. Как видно из кривых 8 и 9 в магнитном поле выше 5 кОе термоэдс после насыщения увеличивается. Согласно теории,
    Exact
    [1]
    Suffix
    рост величины термоэдс с увеличением магнитного поля обусловлен возрастанием электронной составляющей термоэдс пропорционально логарифму отношения ћΩ/2kT. Сравнение данных о термоэдс полученных разными авторами показало, что величины при одинаковых температурах разнятся в пределах точности измерений.

2
Х.И. Амирханов, Р.И. Баширов, М.М. Гаджиалиев. ФТТ, 3, 3743 (1961).
Total in-text references: 4
  1. In-text reference with the coordinate start=3600
    Prefix
    Термоэдс электронной составляющей в поперечном магнитном поле обозначается через ехх. Термоэдс электронного антимонида индия (n-InSb) в поперечном магнитном поле в примесной области исследована в целом ряде работ
    Exact
    [1-6]
    Suffix
    . Теоретически показано и экспериментально подтверждено, что изменение диффузионной доли в слабом поле Ωτ < 1 (где Ω= mc еH *- циклотронная частота, е- заряд электрона, Н – напряженность магнитного поля, m* - эффективная масса электрона, с- скорость света, τ – время релаксации импульса электрона) в зависимости от области температуры меняет свой знак, в сильном поле Ωτ > 1 насыщается,

  2. In-text reference with the coordinate start=6146
    Prefix
    Образцедержатель помещался в криостате, который позволял стационарно сохранять среднюю температуру образца в интервале (4,2 210)К. В классической области поперечных магнитных полей при выполнении условий Ωτ > 1, ћΩ < kT магнетотермоэдс n-InSb с n ~ (21013 - 21014) см-3 измерялась в работах
    Exact
    [2, 3, 4, 6]
    Suffix
    . В [2] измерено ∆ехх в магнитном поле до 25 кОе при температурах К: 22,5; 27; 33; 38 и показано что ∆ехх отрицателен и увеличивается по абсолютной величине с понижением температуры. В работе [3] измерено ∆ехх при температурах К: 96,5; 99; 101,4.

  3. In-text reference with the coordinate start=6161
    Prefix
    Образцедержатель помещался в криостате, который позволял стационарно сохранять среднюю температуру образца в интервале (4,2 210)К. В классической области поперечных магнитных полей при выполнении условий Ωτ > 1, ћΩ < kT магнетотермоэдс n-InSb с n ~ (21013 - 21014) см-3 измерялась в работах [2, 3, 4, 6]. В
    Exact
    [2]
    Suffix
    измерено ∆ехх в магнитном поле до 25 кОе при температурах К: 22,5; 27; 33; 38 и показано что ∆ехх отрицателен и увеличивается по абсолютной величине с понижением температуры. В работе [3] измерено ∆ехх при температурах К: 96,5; 99; 101,4.

  4. In-text reference with the coordinate start=10686
    Prefix
    Согласно теории, [1] рост величины термоэдс с увеличением магнитного поля обусловлен возрастанием электронной составляющей термоэдс пропорционально логарифму отношения ћΩ/2kT. Сравнение данных о термоэдс полученных разными авторами показало, что величины при одинаковых температурах разнятся в пределах точности измерений. В работе
    Exact
    [2,4]
    Suffix
    впервые было показано, что при выполнении условий квантования в магнитном поле (Ωτ > 1, ћΩ > kT , F 0, где F – энергия Ферми) благодаря возникновению уровней Ландау растут обе составляющие термоэдс, причем, резко увеличивается фононная доля термоэдс.

3
И.Л. Дричко, И.В. Мочан. ФТТ, 6, 1902 (1964).
Total in-text references: 3
  1. In-text reference with the coordinate start=3600
    Prefix
    Термоэдс электронной составляющей в поперечном магнитном поле обозначается через ехх. Термоэдс электронного антимонида индия (n-InSb) в поперечном магнитном поле в примесной области исследована в целом ряде работ
    Exact
    [1-6]
    Suffix
    . Теоретически показано и экспериментально подтверждено, что изменение диффузионной доли в слабом поле Ωτ < 1 (где Ω= mc еH *- циклотронная частота, е- заряд электрона, Н – напряженность магнитного поля, m* - эффективная масса электрона, с- скорость света, τ – время релаксации импульса электрона) в зависимости от области температуры меняет свой знак, в сильном поле Ωτ > 1 насыщается,

  2. In-text reference with the coordinate start=6146
    Prefix
    Образцедержатель помещался в криостате, который позволял стационарно сохранять среднюю температуру образца в интервале (4,2 210)К. В классической области поперечных магнитных полей при выполнении условий Ωτ > 1, ћΩ < kT магнетотермоэдс n-InSb с n ~ (21013 - 21014) см-3 измерялась в работах
    Exact
    [2, 3, 4, 6]
    Suffix
    . В [2] измерено ∆ехх в магнитном поле до 25 кОе при температурах К: 22,5; 27; 33; 38 и показано что ∆ехх отрицателен и увеличивается по абсолютной величине с понижением температуры. В работе [3] измерено ∆ехх при температурах К: 96,5; 99; 101,4.

  3. In-text reference with the coordinate start=6349
    Prefix
    В классической области поперечных магнитных полей при выполнении условий Ωτ > 1, ћΩ < kT магнетотермоэдс n-InSb с n ~ (21013 - 21014) см-3 измерялась в работах [2, 3, 4, 6]. В [2] измерено ∆ехх в магнитном поле до 25 кОе при температурах К: 22,5; 27; 33; 38 и показано что ∆ехх отрицателен и увеличивается по абсолютной величине с понижением температуры. В работе
    Exact
    [3]
    Suffix
    измерено ∆ехх при температурах К: 96,5; 99; 101,4. Найдено, что ∆ехх положителен и растет с ростом температуры. В работе [4] измерено ∆ехх при температурах К: 16,8; 24,8; 35; 87; 120,4. Найдено, что при температурах (16,8  35)К ∆ехх отрицателен, а при температурах (87  120,4)К ∆ехх положителен.

4
S.M. Puri, and T.H. Geballe. Phys. Rev., 136, 1767 (1964).
Total in-text references: 4
  1. In-text reference with the coordinate start=3600
    Prefix
    Термоэдс электронной составляющей в поперечном магнитном поле обозначается через ехх. Термоэдс электронного антимонида индия (n-InSb) в поперечном магнитном поле в примесной области исследована в целом ряде работ
    Exact
    [1-6]
    Suffix
    . Теоретически показано и экспериментально подтверждено, что изменение диффузионной доли в слабом поле Ωτ < 1 (где Ω= mc еH *- циклотронная частота, е- заряд электрона, Н – напряженность магнитного поля, m* - эффективная масса электрона, с- скорость света, τ – время релаксации импульса электрона) в зависимости от области температуры меняет свой знак, в сильном поле Ωτ > 1 насыщается,

  2. In-text reference with the coordinate start=6146
    Prefix
    Образцедержатель помещался в криостате, который позволял стационарно сохранять среднюю температуру образца в интервале (4,2 210)К. В классической области поперечных магнитных полей при выполнении условий Ωτ > 1, ћΩ < kT магнетотермоэдс n-InSb с n ~ (21013 - 21014) см-3 измерялась в работах
    Exact
    [2, 3, 4, 6]
    Suffix
    . В [2] измерено ∆ехх в магнитном поле до 25 кОе при температурах К: 22,5; 27; 33; 38 и показано что ∆ехх отрицателен и увеличивается по абсолютной величине с понижением температуры. В работе [3] измерено ∆ехх при температурах К: 96,5; 99; 101,4.

  3. In-text reference with the coordinate start=6479
    Prefix
    В [2] измерено ∆ехх в магнитном поле до 25 кОе при температурах К: 22,5; 27; 33; 38 и показано что ∆ехх отрицателен и увеличивается по абсолютной величине с понижением температуры. В работе [3] измерено ∆ехх при температурах К: 96,5; 99; 101,4. Найдено, что ∆ехх положителен и растет с ростом температуры. В работе
    Exact
    [4]
    Suffix
    измерено ∆ехх при температурах К: 16,8; 24,8; 35; 87; 120,4. Найдено, что при температурах (16,8  35)К ∆ехх отрицателен, а при температурах (87  120,4)К ∆ехх положителен. В работе [6] измерено ∆ехх при температурах К: 67; 83; 110; 120; 160 и показано, что ∆ положителен и растет с ростом температуры.

  4. In-text reference with the coordinate start=10686
    Prefix
    Согласно теории, [1] рост величины термоэдс с увеличением магнитного поля обусловлен возрастанием электронной составляющей термоэдс пропорционально логарифму отношения ћΩ/2kT. Сравнение данных о термоэдс полученных разными авторами показало, что величины при одинаковых температурах разнятся в пределах точности измерений. В работе
    Exact
    [2,4]
    Suffix
    впервые было показано, что при выполнении условий квантования в магнитном поле (Ωτ > 1, ћΩ > kT , F 0, где F – энергия Ферми) благодаря возникновению уровней Ландау растут обе составляющие термоэдс, причем, резко увеличивается фононная доля термоэдс.

5
S.M. Puri. Phys. Rev., 139, 995 (1965).
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=3600
    Prefix
    Термоэдс электронной составляющей в поперечном магнитном поле обозначается через ехх. Термоэдс электронного антимонида индия (n-InSb) в поперечном магнитном поле в примесной области исследована в целом ряде работ
    Exact
    [1-6]
    Suffix
    . Теоретически показано и экспериментально подтверждено, что изменение диффузионной доли в слабом поле Ωτ < 1 (где Ω= mc еH *- циклотронная частота, е- заряд электрона, Н – напряженность магнитного поля, m* - эффективная масса электрона, с- скорость света, τ – время релаксации импульса электрона) в зависимости от области температуры меняет свой знак, в сильном поле Ωτ > 1 насыщается,

6
М.М. Гаджиалиев. ФТП, 36, 282 (2002)
Total in-text references: 3
  1. In-text reference with the coordinate start=3600
    Prefix
    Термоэдс электронной составляющей в поперечном магнитном поле обозначается через ехх. Термоэдс электронного антимонида индия (n-InSb) в поперечном магнитном поле в примесной области исследована в целом ряде работ
    Exact
    [1-6]
    Suffix
    . Теоретически показано и экспериментально подтверждено, что изменение диффузионной доли в слабом поле Ωτ < 1 (где Ω= mc еH *- циклотронная частота, е- заряд электрона, Н – напряженность магнитного поля, m* - эффективная масса электрона, с- скорость света, τ – время релаксации импульса электрона) в зависимости от области температуры меняет свой знак, в сильном поле Ωτ > 1 насыщается,

  2. In-text reference with the coordinate start=6146
    Prefix
    Образцедержатель помещался в криостате, который позволял стационарно сохранять среднюю температуру образца в интервале (4,2 210)К. В классической области поперечных магнитных полей при выполнении условий Ωτ > 1, ћΩ < kT магнетотермоэдс n-InSb с n ~ (21013 - 21014) см-3 измерялась в работах
    Exact
    [2, 3, 4, 6]
    Suffix
    . В [2] измерено ∆ехх в магнитном поле до 25 кОе при температурах К: 22,5; 27; 33; 38 и показано что ∆ехх отрицателен и увеличивается по абсолютной величине с понижением температуры. В работе [3] измерено ∆ехх при температурах К: 96,5; 99; 101,4.

  3. In-text reference with the coordinate start=6667
    Prefix
    В работе [4] измерено ∆ехх при температурах К: 16,8; 24,8; 35; 87; 120,4. Найдено, что при температурах (16,8  35)К ∆ехх отрицателен, а при температурах (87  120,4)К ∆ехх положителен. В работе
    Exact
    [6]
    Suffix
    измерено ∆ехх при температурах К: 67; 83; 110; 120; 160 и показано, что ∆ положителен и растет с ростом температуры. Отметим, что в периодической литературе нет экспериментальной работы по измерению ∆ехх в классической области магнитных полей, в области температур, где термоэдс слабо зависит от поля.