The 2 references with contexts in paper T. Ismailov A., H. Gadjiyev M., S. Gadjiyevа M., T. Nezhvedilov D., T. Chelushkina A., Т. Исмаилов А., Х. Гаджиев М., С. Гаджиева М., Т. Нежведилов Д., Т. Челушкина А. (2016) “СВЕТОТРАНЗИСТОР // SVETOTRANZISTOR” / spz:neicon:vestnik:y:2013:i:1:p:7-10

1
Патент РФ No2405230. Способ отвода тепла от тепловыделяющих электронных компонентов в виде излучения/ Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Гаджиева С.М., Нежведилов Т.Д., Челушкина Т.А. Опубл. 27.11.2010. Бюл. No33.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=4178
    Prefix
    Наоборот, появляется возможность дополнить известный эффект Пельтье в ТЭУ для получения эффективного охлаждения. Известен способ отвода тепла от тепловыделяющих электронных компонентов в виде излучения
    Exact
    [1]
    Suffix
    , в котором используются светодиодные излучатели, предназначенные для преобразования тепловой энергии, поступившей с холодных спаев термомодуля в виде электрического тока в энергию излучения.

2
Патент РФ No2487436. Светотранзистор/ Исмаилов Т.А., Гаджиев Х.М., Гаджиева С.М., Нежведилов Т.Д., Челушкина Т.А. Опубл. 10.072013. Бюл. No19.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=4818
    Prefix
    собой соединенные последовательно три полупроводниковые ветви (рис. 1) первая и третья из которых обладает электронной (n), а вторая дырочной (p) проводимостью для n-p-n транзистора или наоборот для p-n-p транзистора. Рисунок 1 - Светотранзистор с p-n-p и n-p-n-структурой В отличие от обычного биполярного транзистора один p-n-переход сформирован в виде светоизлучающего
    Exact
    [2]
    Suffix
    . Для p-n-p-транзистора излучающим переходом является база – эмиттер, для n-p-n-транзистора - база-коллектор. Если электрон перемещается через переход с потерей энергии, то эта энергия выделяется в виде тепла или излучения, а если с приобретением энергии, то теплота поглощается на этом переходе.