The 3 references with contexts in paper A. Shakhmaeva R., А. ШАХМАЕВА Р. (2016) “ИССЛЕДОВАНИЕ ВЗАИМОСВЯЗИ КОНСТРУКЦИИ И ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ПРОБИВНЫМ НАПРЯЖЕНИЕМ // RESEARCH OF INTERRELATION OF A DESIGN AND MANUFACTURING TECHNIQUES OF SEMI-CONDUCTOR DEVICES WITH THEIR PENETRATIVE PRESSURE” / spz:neicon:vestnik:y:2013:i:1:p:26-31

1
Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р. Транзисторные структуры силовой электроники.- Спб.:Политехника, 2011. – 126 с.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=1888
    Prefix
    В р-n переходе при определенной величине обратного смещения наблюдается эффект пробоя, заключающийся в резком увеличении обратного тока через переход. Как известно, существуют три основных механизма пробоя: туннельный, лавинный, тепловой
    Exact
    [1]
    Suffix
    . Туннельный пробой происходит из-за прохождения носителей через изолирующий слой ОПЗ перехода, смещенного в обратном направлении. Для того, чтобы произошло туннелирование, ширина ОПЗ (при большом обратном смещении перехода) должна быть достаточно мала, что достигается в сильнолегированных р+-n+ переходах.

2
B.S. Avset, L. Evensen The effect of metal field plates on multiguard structures with floating p+ guard rings// Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, 1996. Vol. 377. P. 397-403.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=9310
    Prefix
    Наличие поверхностного заряда приводит к увеличению концентрации примеси в приповерхностном слое, из-за чего ширина обеднённой области (ОПЗ) вблизи поверхности отличается от ширины ОПЗ в объёме эпитаксиального слоя
    Exact
    [2]
    Suffix
    . Напряженность поля увеличивается с увеличением концентрации примеси в приповерхностном слое. С помощью охранных колец – значение напряжённости на поверхности полупроводника можно снизить [3].

3
Малеев С.А. и др. Проектирование на ЭВМ ограничительных колец с учётом заряда в диэлектрике// Электронная техника. Полупроводниковые приборы., - М.: 2007. M.S. Adler, V.A.K. Temple, A.F. Ferro Theory and Breakdown Voltage for Planar Devices with a Single Field Limiting Ring// IEEE Transactions on electron Devices, 1997. Vol. ED 24. No 2. P. 107-112
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=9522
    Prefix
    Напряженность поля увеличивается с увеличением концентрации примеси в приповерхностном слое. С помощью охранных колец – значение напряжённости на поверхности полупроводника можно снизить
    Exact
    [3]
    Suffix
    . На рисунке 6 показано изменение концентрации примеси в эпитаксиальном слое полупроводника при величине поверхностного заряда Qss=5e11 см-2. Рисунок 6 - Изменение концентрации примеси в эпитаксиальном слое полупроводника при величине заряда QSS=5e11 см-2 Увеличение числа колец и глубины их залегания приводит к увеличению пробивного напряжения,