The 3 reference contexts in paper P. Magomedova A., П. Магомедова А. (2017) “ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ БИПОЛЯРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ // POWER, METALLURGICAL AND CHEMICAL MECHANICAL ENGINEERING THERMOELECTRIC EVENTS IN LIGHT-EMITTING BIPOLAR SEMICONDUCTOR STRUCTURES” / spz:neicon:vestnik:y:2017:i:2:p:77-86

  1. Start
    6276
    Prefix
    Аналогично оказывает воздействие высокое быстродействие на уровень тепловыделений активных электронных компонентов. Инерционность тепловых процессов не позволяет осуществить режим термостабилизации, так как затруднен конвективный и кондуктивный теплообмен с окружающей средой для СБИС
    Exact
    [1]
    Suffix
    . Для устранения этих недостатков малоэффективно повышение производительности систем охлаждения различного типа – требуется изготовление энергосберегающих биполярных полупроводниковых структур. Постановка задачи.
    (check this in PDF content)

  2. Start
    7963
    Prefix
    Применение соответствующих материалов при изготовлении полупроводникового перехода, позволяет вместо выделения тепла на полупроводниковом переходе при рекомбинации электрона с вакансией осуществить формирование фотонов, причем, чем больше энергия электрона, тем выше энергия фотона – от инфракрасных до ультрафиолетовых значений спектра
    Exact
    [2-13]
    Suffix
    . В этом случае полупроводниковая активная структура вместо теплового нагрева будет незначительно нагреваться, существенно охлаждаться и отводить большую часть энергии в виде электромагнитного излучения оптического диапазона.
    (check this in PDF content)

  3. Start
    8509
    Prefix
    В свою очередь это позволяет не только практически мгновенно обеспечить отвод излишней паразитной энергии в окружающую среду для термостабилизации СБИС, но и повысить энергоэффективность электронных компонентов за счет рекуперации оптического излучения на фотопреобразующих полупроводниковых переходах
    Exact
    [14]
    Suffix
    . Кроме того, возрастет быстродействие полупроводниковых переключающих структур, так как информационный сигнал будет передаваться со скоростью света, а не за счет, медленно дрейфующих через базу биполярной полупроводниковой структуры электронов.
    (check this in PDF content)