The 6 reference contexts in paper T. Ismailov A., A. Shakhmaeva R., B. Shangereeva A., Т. Исмаилов А., А. Шахмаева Р., Б. Шангереева А. (2016) “КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ, ВЛИЯЮЩИЕ НА СОПРОТИВЛЕНИЕ БИПОЛЯРНЫХ СО СТАТИЧЕСКОЙ ИНДУКЦИЕЙ ТРАНЗИСТОРОВ (БСИТ) // STRUCTURAL AND TECHNOLOGICAL PARAMETERS AFFECTING THE BIPOLAR STATIC INDUCTION TRANSISTOR (BSIT ) RESISTANCE” / spz:neicon:vestnik:y:2016:i:3:p:83-91

  1. Start
    5724
    Prefix
    Они являются переключательными элементами для изделий и устройств силовой электроники и в сравнении с их более известными транзисторными прототипами (БМТ, МОП МТ и БТИЗ) превосходят их по основным характеристикам
    Exact
    [1-3]
    Suffix
    . Если рассматривать четыре типа транзисторных ключей: БСИТ, БМТ, МОП МТ и БТИЗ каждый из них имеет свои достоинства и недостатки. МОП МТ имеют заметное преимущество по техническим показателям перед другими конкурирующими типами мощных полупроводниковых приборов в области низковольтных применений (до 200 В), хотя и уступают им по стоимости.
    (check this in PDF content)

  2. Start
    6376
    Prefix
    БМТ и БТИЗ сильнее проявляют свои достоинства в высоковольтных применениях (свыше 1000 В), хотя и в ряде устройств средней высоковольтности они также весьма эффективны. БСИТ наиболее предпочтительны в устройствах, требующих применения ключей средней высоковольтности (от 400 до 800 В)
    Exact
    [4,5,6,7]
    Suffix
    . Характеристики БСИТ схожи с характеристиками биполярного транзистора. По сравнению с полевым транзистором БСИТ эффективно работает при параллельном включении и имеет высокое быстродействие, не уступающее полевым транзисторам.
    (check this in PDF content)

  3. Start
    6933
    Prefix
    БСИТ сочетает все лучшие достоинства биполярных транзисторов и полевых транзисторов при низкой стоимости, что позволяет предположить, что в ближайшие годы эти транзисторы смогут заменить биполярные, практически во всех областях применения с одновременным улучшением техникоэкономических показателей РЭА
    Exact
    [8]
    Suffix
    . БСИТ - транзисторы изготавливаются с применением эффективных методов биполярной технологии, хорошо отработанных при производстве мощных транзисторов. Они имеют заметно более низкую стоимость по сравнению как с МОП МТ, так и с БТИЗ.
    (check this in PDF content)

  4. Start
    7549
    Prefix
    Тем не менее, широкое внедрение БСИТ - транзисторов сдерживается как по субъективным причинам (разработчики доверяют проверенным временем мощным полупроводниковым приборам), так и по объективным - небольшой процент выхода годных БСИТ в процессе их производства и достаточно большой разброс получаемых значений нормируемых параметров у этого типа мощных полупроводниковых приборов
    Exact
    [9,10,11,12,13,14]
    Suffix
    . Разработанные различные типы БСИТ - транзисторов требуют конструктивных доработок, совершенствования технологии для улучшения выходных характеристик прибора для улучшения таких параметров как пробивное напряжение, сопротивление, быстродействие [2-3].
    (check this in PDF content)

  5. Start
    7818
    Prefix
    Разработанные различные типы БСИТ - транзисторов требуют конструктивных доработок, совершенствования технологии для улучшения выходных характеристик прибора для улучшения таких параметров как пробивное напряжение, сопротивление, быстродействие
    Exact
    [2-3]
    Suffix
    . Основными параметрами, влияющими на характеристики исследуемого транзистора, являются пробивное напряжение и сопротивление, которые, в свою очередь, зависят от конструкции прибора и технологии их изготовления [15-16].
    (check this in PDF content)

  6. Start
    8038
    Prefix
    Основными параметрами, влияющими на характеристики исследуемого транзистора, являются пробивное напряжение и сопротивление, которые, в свою очередь, зависят от конструкции прибора и технологии их изготовления
    Exact
    [15-16]
    Suffix
    . Постановка задачи. С этой целью были проведены исследования влияния конструктивных и технологических параметров на сопротивление транзистора. Структура БСИТ -транзистора приведена на рисунке 1. Рисунок 1- Структура БСИТ-транзистора Методы исследования.
    (check this in PDF content)