The 7 reference contexts in paper F. Bukashev I., A. Shakhmaeva R., Ф. Букашев И., А. Шахмаева Р. (2016) “РАЗРАБОТКА УПРАВЛЯЕМЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЕЙ НА ОСНОВЕ БИПОЛЯРНЫХ СО СТАТИЧЕСКОЙ ИНДУКЦИЕЙ ТРАНЗИСТОРОВ (БСИТ) // DEVELOPMENT OF CONTROLLED RECTIFIERS BASED ON THE BIPOLAR WITH STATIC INDUCTION TRANSISTORS (BSIT)” / spz:neicon:vestnik:y:2016:i:3:p:34-44

  1. Start
    7375
    Prefix
    Одним из перспективных полупроводниковых приборов, пригодных для создания и совершенствования управляемых выпрямителей, является биполярный статический индукционный транзистор (БСИТ). Принцип действия и первые экспериментальные образцы статических индукционных транзисторов были разработаны японским ученым Джан-ичи Нишидзава (Junichi Nishidzawa) в начале 1950-х годов
    Exact
    [1,2,3]
    Suffix
    . Несмотря на отличие внутренней структуры, с точки зрения электрических характеристик БСИТ подобен биполярному транзистору, отличаясь от последнего существенно более высоким быстродействием, заметно меньшими потерями в цепи управления и в цепи коммутации, большей областью безопасной работы по причине отсутствия вторичного пробоя [4,5,6].
    (check this in PDF content)

  2. Start
    7714
    Prefix
    Несмотря на отличие внутренней структуры, с точки зрения электрических характеристик БСИТ подобен биполярному транзистору, отличаясь от последнего существенно более высоким быстродействием, заметно меньшими потерями в цепи управления и в цепи коммутации, большей областью безопасной работы по причине отсутствия вторичного пробоя
    Exact
    [4,5,6]
    Suffix
    . Важными качествами БСИТ являются низкое входное напряжение управления и малая входная диффузионная емкость, чем обусловливается малая мощность, необходимая для отпирания БСИТ. По проведенной оценке, при частотах выше 300 кГц мощность потерь при переключении у БСИТ ниже, чем у МОП-транзистора того же класса по напряжению и току.
    (check this in PDF content)

  3. Start
    12818
    Prefix
    от последнего существенно более высоким быстродействием, заметно меньшими потерями в цепи управления и в цепи коммутации, большей областью безопасной работы по причине отсутствия вторичного пробоя. К числу достоинств БСИТ следует также отнести низкое напряжение управления. В настоящее время по совершенствованию технологии и конструкции БСИТ проводятся исследовательские работы
    Exact
    [7,8,9,10]
    Suffix
    . Основным критерием для управляемых выпрямителей может быть введен критерий эффективности - суммарная мощность потерь в управляемом выпрямителе: PdissCR = Iвых(Vвы-Vвых)+VвхIу, (1) где Vвых – выходной ток управляемого выпрямителя, А; Vвх, Vвых – соответственно входное напряжение и выходное напряжение
    (check this in PDF content)

  4. Start
    15309
    Prefix
    Конденсатор C1 емкостью 15 нФ предназначен для поддержания потенциала на базе транзистора VT1 с целью его более быстрого запирания. Здесь реализован метод пропорционально-насыщенного управления биполярным статическим индукционным транзистором
    Exact
    [11]
    Suffix
    . Установлено, что входное напряжение, равное 2,0 В, является нижним рабочим напряжением данного управляемого выпрямителя. Рисунок 1 - Управляемый выпрямитель с пропорционально-насыщенным управлением БСИТ Входное переменное напряжение для макета управляемого выпрямителя формировалось при помощи инвертора, собранного на сильноточных МОП-транзисторах.
    (check this in PDF content)

  5. Start
    19496
    Prefix
    В процессе работы выбрана оптимальная технология металлизации, состоящая из последовательного напыления четырех слоев (хром-никель-олово-серебро) в едином технологическом цикле и обеспечивающая качественную посадку кристалла на основание корпуса, а также увеличение процента выхода годных изделий на 6-10%
    Exact
    [12-14]
    Suffix
    . Особенность предлагаемого процесса можно объяснить тем, что после металлизации проводится посадка кристалла прибора на основание корпуса, однако в случае одновременного присутствия примесей нескольких металлов на обратной стороне кристалла, даже благородных, часто развивается коррозия паяного соединения, приводя к разрушению контакта без всякого воздействия агрессивных сред [13].
    (check this in PDF content)

  6. Start
    19890
    Prefix
    Особенность предлагаемого процесса можно объяснить тем, что после металлизации проводится посадка кристалла прибора на основание корпуса, однако в случае одновременного присутствия примесей нескольких металлов на обратной стороне кристалла, даже благородных, часто развивается коррозия паяного соединения, приводя к разрушению контакта без всякого воздействия агрессивных сред
    Exact
    [13]
    Suffix
    . Взаимодействие припоя с основой предупреждает барьерный слой никеля. По подслою никеля часто применяют покрытие золота и серебра. Устойчивостью к атмосферному воздействию обладают покрытия оловом, сплавом золото-никель.
    (check this in PDF content)

  7. Start
    23350
    Prefix
    Данное сочетание напыляемых слоев обеспечивает получение надежного омического контакта к коллекторной области при посадке кристалла на основание, которое приводит к уменьшению сопротивления омического перехода, что увеличивает процент выхода годных приборов
    Exact
    [15,16,17,18]
    Suffix
    . Вывод. В результате проведенных измерений характеристик макета управляемого выпрямителя на основе БСИТ КТ698И с пропорционально-насыщенным управлением установлена работоспособность макета при входном напряжении от 2,0 В на частоте до 750 кГц.
    (check this in PDF content)