The 11 reference contexts in paper L. Atlukhanova B., F. Gabibov S., M. Rizakhanov A., Л. Атлуханова Б., Ф. Габибов С., М. Ризаханов А. (2016) “НЕСТАНДАРТНЫЕ РЕЛАКСАЦИИ ИНДУЦИРОВАННОЙ ПРИМЕСНОЙ ФОТОПРОВОДИМОСТИ В СОЕДИНЕНИЯХ AII BVI И AIII BV // CUSTOM RELAXATION INDUCED IMPURITY PHOTOCONDUCTIVITY IN THE UNITED AII BVI and AIII BV” / spz:neicon:vestnik:y:2016:i:1:p:15-22

  1. Start
    3990
    Prefix
    В физике полупроводников широкое распространение получили представления об электронных ловушках (центрах прилипания), как о локальных центрах, способных обмениваться электронами лишь с одной (с-зоной). Исследованию электронных ловушек посвящено большое число работ
    Exact
    [1]
    Suffix
    . Однако физико-химическая природа и различные особенности поведения электронных ловушек недостаточно изучены. Постановка задачи. В данной работе методом индуцированной примесной фотопроводимости выполнены исследования с целью установления кинетических особенностей электронных ловушек в широкозонных фотопроводниках АIIBVI (CdSe, CdS ZnSe и др.) и АIIIBV (GaAs).
    (check this in PDF content)

  2. Start
    4488
    Prefix
    В данной работе методом индуцированной примесной фотопроводимости выполнены исследования с целью установления кинетических особенностей электронных ловушек в широкозонных фотопроводниках АIIBVI (CdSe, CdS ZnSe и др.) и АIIIBV (GaAs). Методы исследования. Классический вариант релаксации ИПФ в фотопроводниках с одной оптически активной ловушкой описан Рывкиным
    Exact
    [1]
    Suffix
    . Соответствующие кривые кинетики ИПФ, записанные по методике последовательного воздействия на фотопроводник собственным светом с целью неравновесного заполнения электронной ловушки и примесным светом для ее ионизации, состоят из двух стадий.
    (check this in PDF content)

  3. Start
    6696
    Prefix
    Стрелками показаны точки включения (↑) и выключения инфракрасного света а в схемы электронных переходов, ответственных за релаксацию ИПФ в GaAs и ZnSe<Ag>. Ранее в CdSe<Au> исследована неустойчивость темнового тока в форме S- образной вольт-амперной характеристики, наблюдаемой как следствие ударной ионизации r-центра рекомбинации Ev +0,6 эВ
    Exact
    [2]
    Suffix
    . Колебания, наблюдаемые на стадии роста равновесного примесного фототока, исследованы в CdSe<Cu> [3]. Роль рабочего центра играет ловушка Ес - 0,11эВ, которая, если судить по ее весьма низкому сечению захвата электрона stn≈ 10-23 м2, может быть причислена к двухзарядным акцепторам.
    (check this in PDF content)

  4. Start
    6798
    Prefix
    Ранее в CdSe<Au> исследована неустойчивость темнового тока в форме S- образной вольт-амперной характеристики, наблюдаемой как следствие ударной ионизации r-центра рекомбинации Ev +0,6 эВ [2]. Колебания, наблюдаемые на стадии роста равновесного примесного фототока, исследованы в CdSe<Cu>
    Exact
    [3]
    Suffix
    . Роль рабочего центра играет ловушка Ес - 0,11эВ, которая, если судить по ее весьма низкому сечению захвата электрона stn≈ 10-23 м2, может быть причислена к двухзарядным акцепторам. Двойные акцепторы с уровнями вблизи с-зоны характерны для соединений AIIBvl [4].
    (check this in PDF content)

  5. Start
    7059
    Prefix
    Роль рабочего центра играет ловушка Ес - 0,11эВ, которая, если судить по ее весьма низкому сечению захвата электрона stn≈ 10-23 м2, может быть причислена к двухзарядным акцепторам. Двойные акцепторы с уровнями вблизи с-зоны характерны для соединений AIIBvl
    Exact
    [4]
    Suffix
    . Перечисленные неустойчивости тока в CdSe<Au>, CdSe<Cu> объяснены [2,3] CdSe<Au>, CdSe<Cu> в предположении об их электрической макронеоднородности. Центры Еv +0,6 эВ, Ес - 0,11эВ могут размещаться в объеме крупномасштабных нарушений, в пределах которых формируются электрические поля, достаточные для разогрева носителей заряда и варьировать населенность электронных центров.
    (check this in PDF content)

  6. Start
    7129
    Prefix
    Роль рабочего центра играет ловушка Ес - 0,11эВ, которая, если судить по ее весьма низкому сечению захвата электрона stn≈ 10-23 м2, может быть причислена к двухзарядным акцепторам. Двойные акцепторы с уровнями вблизи с-зоны характерны для соединений AIIBvl [4]. Перечисленные неустойчивости тока в CdSe<Au>, CdSe<Cu> объяснены
    Exact
    [2,3]
    Suffix
    CdSe<Au>, CdSe<Cu> в предположении об их электрической макронеоднородности. Центры Еv +0,6 эВ, Ес - 0,11эВ могут размещаться в объеме крупномасштабных нарушений, в пределах которых формируются электрические поля, достаточные для разогрева носителей заряда и варьировать населенность электронных центров.
    (check this in PDF content)

  7. Start
    8401
    Prefix
    Лавинообразный захват фотоэлектронов может привести к новому поэтапному быстрому росту внутреннего поля в объеме макронеоднородности, достаточному для тепловой ионизации ловушки t2. Прямые доказательства явления термической ионизации ловушки, облегченной электромодуляцией ее сечения захвата электрона, представлены в сравнительно недавно опубликованной работе
    Exact
    [5]
    Suffix
    . Фотоответ в ZnSe<Ag>, благодаря ловушке-пульсара, переходит, как и в названном выше, CdSe<Cu>, в автоколебательный режим под влиянием электрических полей, разгораемых в макронеоднородных фрагментах кристалла в зависимости от интенсивности и характера рекамбинационно активных процессов.
    (check this in PDF content)

  8. Start
    9189
    Prefix
    Релаксация ИПФ, подобная релаксации равновесной примесной фотопроводимости. В кристаллах AIIBVl с примесями Ag наблюдаются быстрые ловушки, связанные с изолированным междоузельным донором Agi0 (i=1)
    Exact
    [6-9]
    Suffix
    , распределенными по длине донор-донорными парами Ag20 (i=2) [10,l1] и многоатомными частицами Agi0 (i ≥3) [9,12]. Ассоциаты Agi0 (i≥3) являются глубокими центрами с уровнями ниже Ес-0,6 эВ и ведут себя в типичных соединениях как центры равновесной примесной фотопроводимости.
    (check this in PDF content)

  9. Start
    9256
    Prefix
    Релаксация ИПФ, подобная релаксации равновесной примесной фотопроводимости. В кристаллах AIIBVl с примесями Ag наблюдаются быстрые ловушки, связанные с изолированным междоузельным донором Agi0 (i=1) [6-9], распределенными по длине донор-донорными парами Ag20 (i=2)
    Exact
    [10,l1]
    Suffix
    и многоатомными частицами Agi0 (i ≥3) [9,12]. Ассоциаты Agi0 (i≥3) являются глубокими центрами с уровнями ниже Ес-0,6 эВ и ведут себя в типичных соединениях как центры равновесной примесной фотопроводимости.
    (check this in PDF content)

  10. Start
    9402
    Prefix
    В кристаллах AIIBVl с примесями Ag наблюдаются быстрые ловушки, связанные с изолированным междоузельным донором Agi0 (i=1) [6-9], распределенными по длине донор-донорными парами Ag20 (i=2) [10,l1] и многоатомными частицами Agi0 (i ≥3)
    Exact
    [9,12]
    Suffix
    . Ассоциаты Agi0 (i≥3) являются глубокими центрами с уровнями ниже Ес-0,6 эВ и ведут себя в типичных соединениях как центры равновесной примесной фотопроводимости. Одно и двухатомные центры Agi0, Ag20 выделяются состояниями выше уровня Ес - 0.6 эВ и в достаточно высокоомных соединениях играют роль как электронных ловушек, обуславливают ИПФ.
    (check this in PDF content)

  11. Start
    9924
    Prefix
    Одно и двухатомные центры Agi0, Ag20 выделяются состояниями выше уровня Ес - 0.6 эВ и в достаточно высокоомных соединениях играют роль как электронных ловушек, обуславливают ИПФ. Из-за значительного различия между сечениями захвата электрона ловушек Agi0, Ag2(i) (stn=10-14 – 10-16 (см. рис.2) и r-центра рекомбинации (srn = 10-17 - 10-19 см2
    Exact
    [13]
    Suffix
    ) процессы повторного захвата электронов на ловушки преобладают над скоростью их рекомбинации. Как следствие, релаксация, связанной с Agi0, Ag2(i)-центрами, приобретает при частоте модуляции инфракрасного света f ≥ 20Гц форму релаксации равновесной примесной фотопроводимости (рис. 2, кривая а ́), в том числе и релаксации фотоответа от многоатомных ассоциатов Agi0 (i≥3).
    (check this in PDF content)