The 2 reference contexts in paper B. Bilalov A., M. Gusejnov K., G. Safaraliev K., Б. Билалов А., М. Гусейнов К., Г. Сафаралиев К. (2016) “ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ И СОСТАВА ПЛЕНОК ТВЕРДОГО РАСТВОРА (SiC)1-x(AlN)x, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ МАГНЕТРОННОГО ОСАЖДЕНИЯ // RESEARCH OF STRUCTURE AND COMPOSITION OF FILMS SOLID SOLUTION (SIC)1-X (ALN)X, RECEIVED BY METHOD MAGNETRON DEPOSITION” / spz:neicon:vestnik:y:2015:i:3:p:15-20

  1. Start
    3093
    Prefix
    Твердые растворы на их основе являются перспективными материалами для создания приборов опто-и силовой электроники. Псевдобинарные твердые растворы SiC-A3B5, особенно в системах SiC-AIN и SiC-GaN, позволяют существенно расширять диапазон важнейших электрофизических свойств SiC
    Exact
    [1,2]
    Suffix
    . Реальное использование указанных широкозонных материалов в приборостроении определяется уровнем развития технологии р-п-структур и понимания физических процессов в них. Несмотря на значительный прогресс в технологии получения монокристаллических SiC и твердых растворов на их основе (SiC)1-x(AlN)x существует ряд факторов, препятствующих достижению их реального коммерческого потенциала.
    (check this in PDF content)

  2. Start
    6019
    Prefix
    Расчет протяженности зоны термализации - расстояния от мишени, на которой распыленные атомы в потоке к подложке достигают термодинамического равновесия с рабочим газом, был проведен на основе модели парных соударений в приближении жестких сфер
    Exact
    [3]
    Suffix
    . Рассчитанные на основе данной модели зависимости расстояния от давления Ar для атомов Si, C, Al, N, содержащихся в мишени, при значении кинетической энергии распыленных атомов 5эВ приведены на рисунке 1.
    (check this in PDF content)