The 3 reference contexts in paper A. Shakhmaeva R., А. ШАХМАЕВА Р. (2016) “ИССЛЕДОВАНИЕ ВЗАИМОСВЯЗИ КОНСТРУКЦИИ И ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ С ПРОБИВНЫМ НАПРЯЖЕНИЕМ // RESEARCH OF INTERRELATION OF A DESIGN AND MANUFACTURING TECHNIQUES OF SEMI-CONDUCTOR DEVICES WITH THEIR PENETRATIVE PRESSURE” / spz:neicon:vestnik:y:2013:i:1:p:26-31

  1. Start
    1888
    Prefix
    В р-n переходе при определенной величине обратного смещения наблюдается эффект пробоя, заключающийся в резком увеличении обратного тока через переход. Как известно, существуют три основных механизма пробоя: туннельный, лавинный, тепловой
    Exact
    [1]
    Suffix
    . Туннельный пробой происходит из-за прохождения носителей через изолирующий слой ОПЗ перехода, смещенного в обратном направлении. Для того, чтобы произошло туннелирование, ширина ОПЗ (при большом обратном смещении перехода) должна быть достаточно мала, что достигается в сильнолегированных р+-n+ переходах.
    (check this in PDF content)

  2. Start
    9310
    Prefix
    Наличие поверхностного заряда приводит к увеличению концентрации примеси в приповерхностном слое, из-за чего ширина обеднённой области (ОПЗ) вблизи поверхности отличается от ширины ОПЗ в объёме эпитаксиального слоя
    Exact
    [2]
    Suffix
    . Напряженность поля увеличивается с увеличением концентрации примеси в приповерхностном слое. С помощью охранных колец – значение напряжённости на поверхности полупроводника можно снизить [3].
    (check this in PDF content)

  3. Start
    9522
    Prefix
    Напряженность поля увеличивается с увеличением концентрации примеси в приповерхностном слое. С помощью охранных колец – значение напряжённости на поверхности полупроводника можно снизить
    Exact
    [3]
    Suffix
    . На рисунке 6 показано изменение концентрации примеси в эпитаксиальном слое полупроводника при величине поверхностного заряда Qss=5e11 см-2. Рисунок 6 - Изменение концентрации примеси в эпитаксиальном слое полупроводника при величине заряда QSS=5e11 см-2 Увеличение числа колец и глубины их залегания приводит к увеличению пробивного напряжения,
    (check this in PDF content)