The 16 references in paper T. Ismailov A., A. Shakhmaeva R., B. Shangereeva A., Т. Исмаилов А., А. Шахмаева Р., Б. Шангереева А. (2016) “КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ, ВЛИЯЮЩИЕ НА СОПРОТИВЛЕНИЕ БИПОЛЯРНЫХ СО СТАТИЧЕСКОЙ ИНДУКЦИЕЙ ТРАНЗИСТОРОВ (БСИТ) // STRUCTURAL AND TECHNOLOGICAL PARAMETERS AFFECTING THE BIPOLAR STATIC INDUCTION TRANSISTOR (BSIT ) RESISTANCE” / spz:neicon:vestnik:y:2016:i:3:p:83-91

1
Исмаилов Т.А., Шахмаева А. Транзисторные структуры силовой электроники/ СПб.:Политехника, 2011.-125 с.
(check this in PDF content)
2
Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р., Букашев Ф.И., Захарова П.Р.Технология, конструкции, методы моделирования и применение БСИТ-транзисторов/ М.: Академия, 2012.-252 с.
(check this in PDF content)
3
Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р., Захарова П.Р. Способ изготовления БСИТ-транзистора с охранными кольцами. Пат. 2013100528/28 Рос. Федерация:МПК H01L 29/70, No 2524145; заявл. 09.01.2013;опубл. 27.07.2014 Бюл. No21.-6с.
(check this in PDF content)
4
Лагунович Н.Л., Турцевич А.С., Борздов В.М. Новый технологический маршрут изготовления биполярного транзистора со статической индукцией// МНПК «Современные информационные и электронные технологии». Одесса.-, 2016., С. 150-151. 12000000 13000000 14000000 15000000 16000000 17000000 18000000 19000000 20000000 0510152025303540 lз (мкм) lp+=6,5мкм lp+=11,5мкм lp+=16,5мкм
(check this in PDF content)
5
Шахмаева А.Р., Захарова П.Р. Разработка типовой структуры нормально-закрытого БСИТ-транзистора// Фундаментальная наука и технологии - перспективные разработки: материалы международной научно-практической конференции, 22-23 мая 2013 г.– М., 2013.-С. 158-160.
(check this in PDF content)
6
Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р., Захарова П.Р. Технология напыления наноразмерных слоев четырех металлов (Cr-Ni-Sn-Ag) для формирования стоковой области биполярного со статической индукцией транзистора (БСИТ). Перспективные технологии, оборудование и аналитические системы материаловедения и наноматериалов: труды VIII Международной конференции.- 9-10 июня 2011.- М: Изд-во МИСиС, 2011.-С.815-823.
(check this in PDF content)
7
Патент No2524145 Российская Федерация, МПК H01L 29/70. Способ изготовления БСИТ-транзистора с охранными кольцами. /Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р., Захарова П.Р.; заявитель и патентообладатель ФГБОУ ВО Дагестанский государственный технический университет.- No2013100528/28; заявл. 09.01.2013; опубл. 27.07.2014 Бюл. No21.6с.
(check this in PDF content)
8
Патент No2534439 Российская Федерация, МПК H01L 21/58. Способ формирования контакта к стоковой области полупроводникового прибора. /Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р., Захарова П.Р.; заявитель и патентообладатель ФГБОУ ВО Дагестанский государственный технический университет.- No2013100562/28; заявл. 09.01.2013; опубл. 27.11.2014. Бюл. No33.-4с.
(check this in PDF content)
9
Исмаилов Т.А., Шахмаева А.Р., Захарова П.Р. Технологическое решение по улучшению параметров кристалла биполярного со статической индукцией транзистора. Вестник Дагестанского государственного технического университета. Технические науки.- 2011.- Т. 20 - No1- С. 6-10.
(check this in PDF content)
10
Шахмаева А.Р., Захарова П.Р. Конструктивно-технологические методы улучшения параметров полупроводниковых приборов. Вестник Саратовского государственного технического университета. -2012.-Т.63 - No1- С. 36-40.
(check this in PDF content)
11
Wang Y., Feng J., Liu C. et al. Improvements on voltage-resistant performance of bipolar static induction transistor (BSIT) with buried gate structure. Science in China Series F: Information Sciences, 2012, 55(4): 962.
(check this in PDF content)
12
Napoli E. and Strollo A.G. Static Induction Transistors. Wiley Encyclopedia of Electrical and Electronics Engineering, 2014, pp.1–6.
(check this in PDF content)
13
Meenakshi Mataray et al. Modern Power Semiconductor Devices. (IJCSIT) International Journal of Computer Science and Information Technologies, 2012, vol.3, no.4, pp. 4571 – 4574.
(check this in PDF content)
14
Belkacem1a G., Lefebvre1 S., Joubert P. et al. Distributed and coupled 2D electro-thermal model of power semiconductor devices. Eur. Phys. J. Appl. Phys., 2014, 66, pp. 20-102
(check this in PDF content)
15
Jiang Y., Zeng C., Du H. et al. Holding-voltage drift of a silicon-controlled rectifier with different film thicknesses in silicon-on-insulator technology. Journal of Semiconductors, 2012, 33 (3): 962.
(check this in PDF content)
16
Shaohua Lu and Farid Boussaid. An Inductorless Self-Controlled Rectifier for Piezoelectric Energy Harvesting. Sensors, 2015, p.15. Refenences: 1. Ismailov T.A., Shakhmaeva A.R. Transistor structures of power electronics. St. Petersburg: Politehnika, 2011, 125p. (In Russian)
(check this in PDF content)