The 1 linked reference in paper V. Odzaev B., A. Pyatlitski N., V. Prasalovich S., A. Turtsevich S., S. Shvedau V., V. Filipenia A., V. Chorny V., V. Yavid Yu., Yu. Yankouski N., V. Dubrouski A., В. Оджаев Б., А. Петлицкий Н., В. Просолович С., А. Турцевич С., С. Шведов В., В. Филипеня А., В. Черный В., В. Явид Ю., Ю. Янковский Н., В. Дубровский А. (2016) “Влияние технологических примесей на электрофизические параметры МОП-транзистора // Influence of technological inpurities on electrical parameters of MOS transistor” / spz:neicon:vestift:y:2014:i:4:p:14-17

  1. Денисенко В. В. // Компоненты и технологии . 2009 . No 12 . С . 35–48 .