The 20 references with contexts in paper D. Tishkevich I., Y. Bogatyrev V., S. Grabchikov S., S. Lastovskii B., L. Tsybulskaya S., V. Shendyukov S., S. Perevoznikov S., S. Poznyak K., A. Trukhanov V., Д. Тишкевич И., Ю. Богатырев В., С. Грабчиков С., С. Ластовский Б., Л. Цыбульская С., В. Шендюков С., С. Перевозников С., С. Позняк К., А. Труханов В. (2017) “ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИ ОСАЖДЕННЫЕ ПОКРЫТИЯ НА ОСНОВЕ ВИСМУТА И ЭФФЕКТИВНОСТЬ ИХ ЗАЩИТЫ ОТ ЭЛЕКТРОННОГО ИЗЛУЧЕНИЯ // ELECTROCHEMICAL DEPOSED BISMUTH COATINGS AND THE EFFICIENCY OF THEIR PROTECTION FROM ELECTRON IRRADIATION” / spz:neicon:vestift:y:2017:i:3:p:19-29

1
Effectiveness of IC shielded packages against space radiation / J. P. Spratt [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 1997. – Vol. 44, iss. 6. – P. 2018–2025.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=5853
    Prefix
    Современные изделия полупроводниковой и микроэлектронной техники широко применяются в ракетно-космической, авиационной, военной и атомной технике. Однако они весьма чувствительны к воздействию различных ионизирующих излучений (электроны, протоны, тяжелые заряженные частицы, рентгеновское и гамма-излучения)
    Exact
    [1]
    Suffix
    . В связи с этим проблема обеспечения эксплуатационной надежности радиоэлектронных приборов и аппаратуры в условиях радиационных воздействий стоит перед многими инженерами и разработчиками техники, эксплуатируемой как в наземных условиях, так и в условиях космического пространства.

2
Ефремов, Г. А. Новые материалы для локальной радиационной защиты / Г. А. Ефремов // Физика и химия обработки материалов. – 2003. – No 1. – С. 33–37.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=6901
    Prefix
    Второй путь может быть более предпочтителен, поскольку он определяется радиационными свойствами используемых материалов экранов и не накладывает ограничений на схемотехнические и конструкционные возможности разработчиков. Такой подход получил условное название ЛОЗА (ЛОкальная ЗАщита) в Российской Федерации
    Exact
    [2]
    Suffix
    и RAD-COAT [3], RAD-PAK [4] – за рубежом. В настоящее время спектр синтезируемых материалов достаточно широк, ряд из них может быть перспективен для использования в качестве экранов радиационной защиты [5–7].

3
RAD-COAT protection [Electronic resource] / Spase Electronics. – Mode of access: www.spacelectronics.com. – Date of access: 20.03.2017.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=6916
    Prefix
    Второй путь может быть более предпочтителен, поскольку он определяется радиационными свойствами используемых материалов экранов и не накладывает ограничений на схемотехнические и конструкционные возможности разработчиков. Такой подход получил условное название ЛОЗА (ЛОкальная ЗАщита) в Российской Федерации [2] и RAD-COAT
    Exact
    [3]
    Suffix
    , RAD-PAK [4] – за рубежом. В настоящее время спектр синтезируемых материалов достаточно широк, ряд из них может быть перспективен для использования в качестве экранов радиационной защиты [5–7]. C целью защиты от электронного, рентгеновского и гамма-излучений используют алюминий, железо, медь, вольфрам, свинец, силикатное стекло и др.

4
RAD-PAK protection [Electronic resource] / Maxwell Technologies, INC. – Mode of access: www.maxwell.com/ proucts/microelectronics. – Date of access: 20.03.2017.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=6929
    Prefix
    Второй путь может быть более предпочтителен, поскольку он определяется радиационными свойствами используемых материалов экранов и не накладывает ограничений на схемотехнические и конструкционные возможности разработчиков. Такой подход получил условное название ЛОЗА (ЛОкальная ЗАщита) в Российской Федерации [2] и RAD-COAT [3], RAD-PAK
    Exact
    [4]
    Suffix
    – за рубежом. В настоящее время спектр синтезируемых материалов достаточно широк, ряд из них может быть перспективен для использования в качестве экранов радиационной защиты [5–7]. C целью защиты от электронного, рентгеновского и гамма-излучений используют алюминий, железо, медь, вольфрам, свинец, силикатное стекло и др.

5
Борц, Б. В. Моделирование прохождения электронов через слоистый композиционный материал / Б. В. Борц, И. Г. Марченко, П. Н. Бездверный // Вопр. атом. науки и техники. Сер. Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение. – 2009. – No 4. – С. 175–177.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7107
    Prefix
    Такой подход получил условное название ЛОЗА (ЛОкальная ЗАщита) в Российской Федерации [2] и RAD-COAT [3], RAD-PAK [4] – за рубежом. В настоящее время спектр синтезируемых материалов достаточно широк, ряд из них может быть перспективен для использования в качестве экранов радиационной защиты
    Exact
    [5–7]
    Suffix
    . C целью защиты от электронного, рентгеновского и гамма-излучений используют алюминий, железо, медь, вольфрам, свинец, силикатное стекло и др. В качестве материала экранов, эффективно поглощающих высокоэнергетические излучения, применяют, как правило, тяжелые элементы.

6
Першенков, В. С. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем / В. С. Першенков, В. Д. Попов, А. В. Шальнов. – М.: Энергоатомиздат, 1988. – 256 с.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=7107
    Prefix
    Такой подход получил условное название ЛОЗА (ЛОкальная ЗАщита) в Российской Федерации [2] и RAD-COAT [3], RAD-PAK [4] – за рубежом. В настоящее время спектр синтезируемых материалов достаточно широк, ряд из них может быть перспективен для использования в качестве экранов радиационной защиты
    Exact
    [5–7]
    Suffix
    . C целью защиты от электронного, рентгеновского и гамма-излучений используют алюминий, железо, медь, вольфрам, свинец, силикатное стекло и др. В качестве материала экранов, эффективно поглощающих высокоэнергетические излучения, применяют, как правило, тяжелые элементы.

  2. In-text reference with the coordinate start=14710
    Prefix
    Захват носителей заряда в объеме SiO2 и на уровни поверхностных состояний вызывает сдвиг пороговых напряжений, а увеличение плотности поверхностных состояний приводит к дополнительному рассеянию подвижных носителей заряда и уменьшению крутизны сток-затворной ВАХ
    Exact
    [6, 19]
    Suffix
    . Поглощенная доза определялась по величине сдвига ВАХ – изменению падения порогового напряжения (ΔU) при токах утечки Ic = 10–7 A для р-МОПТ. Для каждой дозы электронного облучения использовалась отдельная микросхема.

7
Nikiforov, A. Y. Simulation of Space Radiation Effects in Microelectronic Parts / A. Y. Nikiforov, A. I. Chumakov // Effects of Space Weather on Technology Infrastructure. NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry. Dordrecht: Springer, 2004. – Vol. 176. – P. 165–184.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7107
    Prefix
    Такой подход получил условное название ЛОЗА (ЛОкальная ЗАщита) в Российской Федерации [2] и RAD-COAT [3], RAD-PAK [4] – за рубежом. В настоящее время спектр синтезируемых материалов достаточно широк, ряд из них может быть перспективен для использования в качестве экранов радиационной защиты
    Exact
    [5–7]
    Suffix
    . C целью защиты от электронного, рентгеновского и гамма-излучений используют алюминий, железо, медь, вольфрам, свинец, силикатное стекло и др. В качестве материала экранов, эффективно поглощающих высокоэнергетические излучения, применяют, как правило, тяжелые элементы.

8
Gamma radiation shielding and optical properties measurement of zinc bismuth borate glasses / P. Yasaka [et al.] // Annals of Nuclear Energy. – 2014. – Vol. 68. – P. 4–9.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=8402
    Prefix
    Нетоксичность и невысокая стоимость висмута, широкие технологические возможности его получения делают весьма актуальным применение висмута в качестве материала для радиационной защиты. Так, стекла на основе оксида висмута Bi2O3 используют в качестве экранов от гамма-излучения
    Exact
    [8]
    Suffix
    . Текстильные материалы с частицами Bi2O3 применяют при изготовлении спецодежды для медицинского персонала, работающего на рентгеновских и гамма-установках [9]. При нанесении оксида висмута на легкие ткани можно обеспечить степень ослабления рентгеновского излучения аналогичную, как и в случае свинцовой одежды [10].

9
Bismuth oxide-coated fabrics for X-ray shielding / Huda Ahmed Maghrabi [et al.] // Textile Res. J. – 2015. – Vol. 86, iss. 6. – P. 649–658.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=8562
    Prefix
    Так, стекла на основе оксида висмута Bi2O3 используют в качестве экранов от гамма-излучения [8]. Текстильные материалы с частицами Bi2O3 применяют при изготовлении спецодежды для медицинского персонала, работающего на рентгеновских и гамма-установках
    Exact
    [9]
    Suffix
    . При нанесении оксида висмута на легкие ткани можно обеспечить степень ослабления рентгеновского излучения аналогичную, как и в случае свинцовой одежды [10]. Использование многослойных структур, содержащих слои на основе легких (Sn, Sb, Ba) и тяжелых (W и Bi) элементов, на полимерной подложке обеспечивает ослабление, эквивалентное случаю чистого свинца, но с более низкими (на 25 %) массогабар

10
Radiation attenuation by lead and nonlead materials used in radiation shielding garments / J. P. McCaffrey [et al.] // Med. Phys. – 2007. – Vol. 34, N 2. – P. 530–537.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=8719
    Prefix
    Текстильные материалы с частицами Bi2O3 применяют при изготовлении спецодежды для медицинского персонала, работающего на рентгеновских и гамма-установках [9]. При нанесении оксида висмута на легкие ткани можно обеспечить степень ослабления рентгеновского излучения аналогичную, как и в случае свинцовой одежды
    Exact
    [10]
    Suffix
    . Использование многослойных структур, содержащих слои на основе легких (Sn, Sb, Ba) и тяжелых (W и Bi) элементов, на полимерной подложке обеспечивает ослабление, эквивалентное случаю чистого свинца, но с более низкими (на 25 %) массогабаритными параметрами [11].

11
Shielding properties of lead-free protective clothing and their impact on radiation doses / H. Schlattl [et. al.] // Med. Phys. – 2007. – Vol. 34, N 11. – P. 4270–4280.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=8981
    Prefix
    Использование многослойных структур, содержащих слои на основе легких (Sn, Sb, Ba) и тяжелых (W и Bi) элементов, на полимерной подложке обеспечивает ослабление, эквивалентное случаю чистого свинца, но с более низкими (на 25 %) массогабаритными параметрами
    Exact
    [11]
    Suffix
    . При этом многослойные структуры обеспечивают в 5 раз более высокое ослабление, чем свинцовая защита, при напряжении на рентгеновской трубке 50 кВ. Но этот эффект постепенно уменьшается и при напряжении 150 кВ исчезает [12].

12
McCaffrey, J. P. Optimizing non-Pb radiation shielding materials using bilayers / J. P. McCaffrey, E. Mainegra-Hing, H. Shen // Med. Phys. – 2009. – Vol. 36, N 12. – P. 5586–5594.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=9206
    Prefix
    При этом многослойные структуры обеспечивают в 5 раз более высокое ослабление, чем свинцовая защита, при напряжении на рентгеновской трубке 50 кВ. Но этот эффект постепенно уменьшается и при напряжении 150 кВ исчезает
    Exact
    [12]
    Suffix
    . Необходимо также отметить, что для создания эффективной радиационной защиты толщина экранов должна составлять порядка 1 мм и более. В связи с этим в настоящей работе исследованы условия электрохимического осаждения и структура покрытий висмута толщиной 100–2700 мкм, ряд физико-технических свойств и эффективность ослабления потоков электронного излучения.

13
Гальванотехника : справочник / под ред. А. М. Гинберга [и др.]. – М.: Металлургия, 1987. – 736 с.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=9775
    Prefix
    В связи с этим в настоящей работе исследованы условия электрохимического осаждения и структура покрытий висмута толщиной 100–2700 мкм, ряд физико-технических свойств и эффективность ослабления потоков электронного излучения. Методика эксперимента. Осаждение покрытий висмута производили из перхлоратного электролита висмутирования
    Exact
    [13]
    Suffix
    при следующих условиях и составах раствора: висмут (III) гидроксид – 45 г/л, концентрированная 65%-ная хлорная кислота – 225 мл/л, желатин – 0,3–0,5 г/л, вода дистиллированная – до 1 л, температура – 20–25 °С, рабочая плотность тока – 2,4–3,0 А/дм2.

  2. In-text reference with the coordinate start=12084
    Prefix
    Для определения параметров решетки осуществлялась прецизионная запись дифракционных линий, расположенных в дальней угловой области с целью уменьшения погрешности измерения, со скоростью детектора 0,125 градуса в минуту. Толщину покрытий висмута (d) определяли гравиметрическим методом
    Exact
    [13]
    Suffix
    . Приведенную толщину экранов (dпр) рассчитывали по формуле dпр = dρBi, (1) где ρBi – плотность висмута. Облучение образцов проводилось на линейном ускорителе электронов ЭЛУ-4. Номинальная энергия электронов после окна вывода составляла Ее = 4 МэВ, флюенс Ф = (0,5÷50)∙1013 см–2.

14
Особенности оценки радиационной стойкости микросхем в специализированных защитных корпусах / А. В. Уланова [и др.] // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС-2012) : сб. тр. / под общ. ред. А. Л. Стемпковского. – М.: ИППМ РАН, 2012. – C. 584–587.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=12486
    Prefix
    Номинальная энергия электронов после окна вывода составляла Ее = 4 МэВ, флюенс Ф = (0,5÷50)∙1013 см–2. Плотность потока электронов контролировалась с помощью цилиндра Фарадея и составляла 4∙1011 см–2с–1. Как известно
    Exact
    [14]
    Suffix
    , при радиационном воздействии коэффициент ослабления излучения веществом (по поглощенной дозе) существенно зависит от энергетического спектра излучения. Для приближения характеристик спектра электронов ускорителя ЭЛУ-4 к спектру электро нов радиационного пояса Земли (РПЗ) между мишенью и окном вывода электронов устанавливалась дюралюминиевая пластина толщиной 5 мм (рис. 1).

15
Математическое моделирование свойств неоднородных структур для систем радиационной защиты / Н. П. Чирская [и др.] // Тр. 21-й Междунар. конф. «Радиационная физика твердого тела». – Севастополь, 2011. – С. 436–443.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=13628
    Prefix
    Расстояние от окна вывода электронов до замедляющего экрана составляло 0,5 м, а до радиационного экрана – 1 м. Коэффициент ослабления потоков электронов радиационными экранами определяли из отношения флюенсов падающего на экран и прошедшего через экран потока электронов
    Exact
    [15]
    Suffix
    . В качестве тестовых структур использовались транзисторные МОП-структуры (элементы логических КМОП ИМС IN74AC04N производства ОАО «Интеграл»). Данный метод определения поглощенной дозы излучения основан на изменении радиационно-чувствительных параметров МОП-транзисторов (МОПТ) и достаточно удобен с точки зрения практической реализации [16–18].

16
Дозиметрический контроль на борту космических аппаратов с помощью МДП-дозиметров / О. В. Мещуров [и др.] // Вопр. атом. науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. – 2002. – Вып. 4. – С. 34–38.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=13980
    Prefix
    Данный метод определения поглощенной дозы излучения основан на изменении радиационно-чувствительных параметров МОП-транзисторов (МОПТ) и достаточно удобен с точки зрения практической реализации
    Exact
    [16–18]
    Suffix
    . Измерения сток-затворных вольтамперных характеристик (ВАХ) тестовых р-МОПТструктур проводились до и после каждой дозы облучения с помощью измерителя параметров полупроводниковых приборов ИППП-1/6.

17
August, L. S. Estimating and reducing errors in MOS dosimeters caused by exposure to different radiations / L. S. August // IEEE Trans. Nucl. Sci. – 1982. – Vol. 29, N 6. – P. 2000–2003.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=13980
    Prefix
    Данный метод определения поглощенной дозы излучения основан на изменении радиационно-чувствительных параметров МОП-транзисторов (МОПТ) и достаточно удобен с точки зрения практической реализации
    Exact
    [16–18]
    Suffix
    . Измерения сток-затворных вольтамперных характеристик (ВАХ) тестовых р-МОПТструктур проводились до и после каждой дозы облучения с помощью измерителя параметров полупроводниковых приборов ИППП-1/6.

  2. In-text reference with the coordinate start=20829
    Prefix
    Захват носителей заряда в объеме SiO2 и на уровни поверхностных состояний вызы- вает сдвиг пороговых напряжений, а увеличение плотности поверхностных состояний при- водит к дополнительному рассеянию подвижных носителей заряда и уменьшению кру- тизны сток-затворной ВАХ МОПТ
    Exact
    [17–19]
    Suffix
    . Рост токов утечки р-МОПТ с увеличением флюенса обусловлен соответствующим ростом токов утечки защитных диодов на входе и выходе микросхем. На рис. 5, а представлена зависимость сдвига порогового напряжения ∆U (по абсолют- ной величине) от флюенса электронного облучения незащищенной экраном тестовой структуры.

18
Пономарев, В. Н. Измерение спектра быстрых электронов с использованием МОП транзисторов / В. Н. Пономарев, В. Д. Попов, Е. А. Яшков // Научная сессия МИФИ-2005 : сб. науч. тр. – М.: МИФИ, 2005. – Т. 1. – C. 87–88.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=13980
    Prefix
    Данный метод определения поглощенной дозы излучения основан на изменении радиационно-чувствительных параметров МОП-транзисторов (МОПТ) и достаточно удобен с точки зрения практической реализации
    Exact
    [16–18]
    Suffix
    . Измерения сток-затворных вольтамперных характеристик (ВАХ) тестовых р-МОПТструктур проводились до и после каждой дозы облучения с помощью измерителя параметров полупроводниковых приборов ИППП-1/6.

  2. In-text reference with the coordinate start=20829
    Prefix
    Захват носителей заряда в объеме SiO2 и на уровни поверхностных состояний вызы- вает сдвиг пороговых напряжений, а увеличение плотности поверхностных состояний при- водит к дополнительному рассеянию подвижных носителей заряда и уменьшению кру- тизны сток-затворной ВАХ МОПТ
    Exact
    [17–19]
    Suffix
    . Рост токов утечки р-МОПТ с увеличением флюенса обусловлен соответствующим ростом токов утечки защитных диодов на входе и выходе микросхем. На рис. 5, а представлена зависимость сдвига порогового напряжения ∆U (по абсолют- ной величине) от флюенса электронного облучения незащищенной экраном тестовой структуры.

19
Коршунов, Ф. П. Воздействие радиации на интегральные микросхемы / Ф. П. Коршунов, Ю. В. Богатырев, В. А. Вавилов. – Минск: Наука и техника, 1986. – 254 c.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=14710
    Prefix
    Захват носителей заряда в объеме SiO2 и на уровни поверхностных состояний вызывает сдвиг пороговых напряжений, а увеличение плотности поверхностных состояний приводит к дополнительному рассеянию подвижных носителей заряда и уменьшению крутизны сток-затворной ВАХ
    Exact
    [6, 19]
    Suffix
    . Поглощенная доза определялась по величине сдвига ВАХ – изменению падения порогового напряжения (ΔU) при токах утечки Ic = 10–7 A для р-МОПТ. Для каждой дозы электронного облучения использовалась отдельная микросхема.

  2. In-text reference with the coordinate start=20829
    Prefix
    Захват носителей заряда в объеме SiO2 и на уровни поверхностных состояний вызы- вает сдвиг пороговых напряжений, а увеличение плотности поверхностных состояний при- водит к дополнительному рассеянию подвижных носителей заряда и уменьшению кру- тизны сток-затворной ВАХ МОПТ
    Exact
    [17–19]
    Suffix
    . Рост токов утечки р-МОПТ с увеличением флюенса обусловлен соответствующим ростом токов утечки защитных диодов на входе и выходе микросхем. На рис. 5, а представлена зависимость сдвига порогового напряжения ∆U (по абсолют- ной величине) от флюенса электронного облучения незащищенной экраном тестовой структуры.

20
Electrodeposition of bismuth from nitric acid electrolyte / E. Sandnes [et. al.] // Electrochimica Acta. – 2007. – Vol. 52, N 21. – P. 6221–6228.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=17649
    Prefix
    СЭМ-изображения поверхности представляют собой совокупность крупномасштабной составляющей с овальными образованиями размерами от 80 до 120 мкм и мелкозернистой составляющей с кристаллитами размерами от 4 до 12 мкм. В работе
    Exact
    [20]
    Suffix
    при изучении висмутовых покрытий, осажденных на медные подложки из электролита, содержащего Bi(NO3)3∙H2O и HNO3, также при толщинах более 100 мкм наблюдалось прекращение дендридного роста кристаллитов в покрытиях.