The 7 references with contexts in paper A. Ilyushchenko Ph., M. Andreev A., L. Markova V., Y. Lisovskaya O., А. Ильющенко Ф., М. Андреев А., Л. Маркова В., Ю. Лисовская О. (2017) “ПРИМЕНЕНИЕ МЕТОДА ПРОСВЕЧИВАЮЩЕЙ ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ ДЛЯ ОЦЕНКИ ФОРМИРОВАНИЯ ИОННО-ЛУЧЕВЫХ МНОГОСЛОЙНЫХ НАНО- СТРУКТУРНЫХ ПОКРЫТИЙ НА ОСНОВЕ ХРОМА // APPLICATION OF TEM FOR EVALUATION OF FORMATION OF ION BEAM MULTILAYER NANOSTRUCTURED COATINGS BASED ON CHROMIUM” / spz:neicon:vestift:y:2017:i:2:p:7-14

1
Лобанов, Д. Н. Рост Ge(Si) самоформирующихся наноостровков на подложках Si(001) методом молекулярно пучковой эпитаксии : электр. метод. пособие [Электронный ресурс] / Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, М. В. Шалеев. – Режим доступа: http://www.pnn.unn.ru/User Files/manuals/GeSi.pdf – Н. Новгород: ННГУ, 2010.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=5166
    Prefix
    Несмотря на достаточное количество теоретических работ, экспериментальные данные получены лишь для образцов, имеющих атомарную гладкость. При осаждении одного материала на подложку из другого материала возможны три механизма гетероэпитаксиального роста поверхностных структур в зависимости от параметров этих материалов
    Exact
    [1]
    Suffix
    . Основные механизмы, реализующиеся в процессе гетероэпитаксиального роста, представлены на рис. 1. В случае, когда параметры кристаллических решеток подложки и осаждаемого материала совпадают и в растущей пленке не возникают механические напряжения, механизм эпитаксиального роста зависит от поверхностных энергий подложки, осаждаемого материала и энергии гетерограницы.

  2. In-text reference with the coordinate start=8025
    Prefix
    толщине пленки, меньшей, чем толщина, необходимая для образования дислокаций несоответствия, частичное снятие упругих напряжений может происходить за счет развития шероховатости поверхности растущей пленки. При этом механизме роста частичная релаксация упругих напряжений материала на вершинах шероховатостей приводит к уменьшению части энергии системы, связанной с упругими напряжениями
    Exact
    [1–5]
    Suffix
    . Целью данной работы является изучение механизма формирования монослоя в многослойном ионно-лучевом наноструктурном покрытии (МНП) методом просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ), а также разработка модели формирования и роста монослоя при ионно-лучевом распылении мишени с ионным ассистированием подложки.

2
Борисенко, В. Е. Наноэлектроника : в 3 ч. / В. Е. Борисенко, А. И. Воробьева. – Минск: БГУИР, 2003. – Ч. 2: Нанотехнология. – 76 с.: ил.
Total in-text references: 4
  1. In-text reference with the coordinate start=8025
    Prefix
    толщине пленки, меньшей, чем толщина, необходимая для образования дислокаций несоответствия, частичное снятие упругих напряжений может происходить за счет развития шероховатости поверхности растущей пленки. При этом механизме роста частичная релаксация упругих напряжений материала на вершинах шероховатостей приводит к уменьшению части энергии системы, связанной с упругими напряжениями
    Exact
    [1–5]
    Suffix
    . Целью данной работы является изучение механизма формирования монослоя в многослойном ионно-лучевом наноструктурном покрытии (МНП) методом просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ), а также разработка модели формирования и роста монослоя при ионно-лучевом распылении мишени с ионным ассистированием подложки.

  2. In-text reference with the coordinate start=11336
    Prefix
    Однако экспериментальные данные указывают на то, что происходит смешанный рост пленки по механизму Странского – Крастанова. Изменение общей энергии системы, образуемой рассогласованными кристаллическими решетками, в зависимости от продолжительности нанесения материала схематически показано на рис. 2
    Exact
    [2]
    Suffix
    . Cкорость нанесения материала мала для проявления динамических эффектов. Материал мишени, подвергающийся сжатию на подложке, наносится с постоянной скоростью вплоть до момента времени, обозначенного Х.

  3. In-text reference with the coordinate start=11774
    Prefix
    Материал мишени, подвергающийся сжатию на подложке, наносится с постоянной скоростью вплоть до момента времени, обозначенного Х. Различимы три основных периода, обозначенные А, В и С. В начальный период А послойным ростом формируется двумерная эпитаксиальная пленка
    Exact
    [2, 3]
    Suffix
    . На данном этапе отсутствует необходимость возникновения зародышей и процесс состоит из следующих стадий: адсорбция частиц хрома на поверхности подложки в виде адатомов; поверхностная диффузия адатомов к ступени винтовой дислокации.

  4. In-text reference with the coordinate start=14707
    Prefix
    Толщина смачивающего слоя, при которой начинается спонтанное зарождение островков, зависит от рассогласования параметров решеток материалов, а также от наносимого материала и анизотропии свойств подложки. По данным
    Exact
    [2, 5]
    Suffix
    , эта величина составляет 0,5–1,0 нм. Стадия зарождения определяет поверхностную плотность островков. Образование первого сверхкритического зародыша немедленно приводит к фрагментации всего смачивающего слоя.

3
In situ growth of nano-structures by metal-organic vapour phase epitaxy / W. Seifer [et al.] // J. Crystal Growth. – 1997. – Vol. 170, N 1–4. – P. 39–46.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=8025
    Prefix
    толщине пленки, меньшей, чем толщина, необходимая для образования дислокаций несоответствия, частичное снятие упругих напряжений может происходить за счет развития шероховатости поверхности растущей пленки. При этом механизме роста частичная релаксация упругих напряжений материала на вершинах шероховатостей приводит к уменьшению части энергии системы, связанной с упругими напряжениями
    Exact
    [1–5]
    Suffix
    . Целью данной работы является изучение механизма формирования монослоя в многослойном ионно-лучевом наноструктурном покрытии (МНП) методом просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ), а также разработка модели формирования и роста монослоя при ионно-лучевом распылении мишени с ионным ассистированием подложки.

  2. In-text reference with the coordinate start=11774
    Prefix
    Материал мишени, подвергающийся сжатию на подложке, наносится с постоянной скоростью вплоть до момента времени, обозначенного Х. Различимы три основных периода, обозначенные А, В и С. В начальный период А послойным ростом формируется двумерная эпитаксиальная пленка
    Exact
    [2, 3]
    Suffix
    . На данном этапе отсутствует необходимость возникновения зародышей и процесс состоит из следующих стадий: адсорбция частиц хрома на поверхности подложки в виде адатомов; поверхностная диффузия адатомов к ступени винтовой дислокации.

4
Пичугин, В. Ф. Материаловедение поверхности и тонких пленок / В. Ф. Пичугин. - Томск: Изд-во ТПУ, 2008. – 173 с.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=8025
    Prefix
    толщине пленки, меньшей, чем толщина, необходимая для образования дислокаций несоответствия, частичное снятие упругих напряжений может происходить за счет развития шероховатости поверхности растущей пленки. При этом механизме роста частичная релаксация упругих напряжений материала на вершинах шероховатостей приводит к уменьшению части энергии системы, связанной с упругими напряжениями
    Exact
    [1–5]
    Suffix
    . Целью данной работы является изучение механизма формирования монослоя в многослойном ионно-лучевом наноструктурном покрытии (МНП) методом просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ), а также разработка модели формирования и роста монослоя при ионно-лучевом распылении мишени с ионным ассистированием подложки.

5
Baskaran, A. Mechanisms of Stranski–Krastanov growth / А. Baskaran, P. Smereka // J. Appl. Phys. – 2012. – Vol. 111, N 4. – P. 044321-1 – 044321-6.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=8025
    Prefix
    толщине пленки, меньшей, чем толщина, необходимая для образования дислокаций несоответствия, частичное снятие упругих напряжений может происходить за счет развития шероховатости поверхности растущей пленки. При этом механизме роста частичная релаксация упругих напряжений материала на вершинах шероховатостей приводит к уменьшению части энергии системы, связанной с упругими напряжениями
    Exact
    [1–5]
    Suffix
    . Целью данной работы является изучение механизма формирования монослоя в многослойном ионно-лучевом наноструктурном покрытии (МНП) методом просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ), а также разработка модели формирования и роста монослоя при ионно-лучевом распылении мишени с ионным ассистированием подложки.

  2. In-text reference with the coordinate start=14707
    Prefix
    Толщина смачивающего слоя, при которой начинается спонтанное зарождение островков, зависит от рассогласования параметров решеток материалов, а также от наносимого материала и анизотропии свойств подложки. По данным
    Exact
    [2, 5]
    Suffix
    , эта величина составляет 0,5–1,0 нм. Стадия зарождения определяет поверхностную плотность островков. Образование первого сверхкритического зародыша немедленно приводит к фрагментации всего смачивающего слоя.

6
On the properties of PVD coating based on nanodiamond and molybdenum disulfide nanolayers and its efficiency when drilling of aluminum alloy / A. Ilyuschenko [et al.] // Surface & Coatings Technology. – 2015. – Vol. 270. – P. 190–196.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=10647
    Prefix
    Покрытия формировали на модернизированной вакуумной установке нанесения упрочняющих покрытий УВНИПА-1-001 (УРМЗ.239.070) производства ПО «Кварц» (г. Калининград, РФ) методом ионно-лучевого распыления, описанного в
    Exact
    [6, 7]
    Suffix
    . Результаты и их обсуждение. Рассмотрен процесс формирования монослоя хрома в условиях ионно-лучевого осаждения на поверхности стали Р6М5. Рассогласование кристаллических решеток хрома и железа составляет менее 1 % (аFe = 2,87·10–10 м (или 0,287 нм), аCr = 2,89·10–10 м (или 0,289 нм)), поэтому можно предположить рост пленки по механизму послойного роста Франка – ван дер Мерве.

7
Многослойные наноструктурные покрытии, сформированные методом ионно-лучевого распыления в вакууме / А. Ф. Ильющенко [и др.] // Вес. Нац. акад. навук Беларусі. Сер. фіз.-тэхн. навук. – 2013. – No 2. – С. 10–21.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=10647
    Prefix
    Покрытия формировали на модернизированной вакуумной установке нанесения упрочняющих покрытий УВНИПА-1-001 (УРМЗ.239.070) производства ПО «Кварц» (г. Калининград, РФ) методом ионно-лучевого распыления, описанного в
    Exact
    [6, 7]
    Suffix
    . Результаты и их обсуждение. Рассмотрен процесс формирования монослоя хрома в условиях ионно-лучевого осаждения на поверхности стали Р6М5. Рассогласование кристаллических решеток хрома и железа составляет менее 1 % (аFe = 2,87·10–10 м (или 0,287 нм), аCr = 2,89·10–10 м (или 0,289 нм)), поэтому можно предположить рост пленки по механизму послойного роста Франка – ван дер Мерве.