The 9 references with contexts in paper S. Grabchikov S., S. Lastovskii B., A. Solobai A., A. Trukhanov V., D. Chushkova I., С. Грабчиков С., С. Ластовский Б., А. Солобай А., А. Труханов В., Д. Чушкова И. (2017) “ОСОБЕННОСТИ СИНТЕЗА МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКИ ОСАЖДЕННЫХ ПЛЕНОК НИКЕЛЬ-ЖЕЛЕЗО И ЭФФЕКТИВНОСТЬ ИХ РАДИАЦИОННОЙ ЗАЩИТЫ // SYNTHESIS FEATURES AND RADIATION PROTECTION EFFICIENCY OF MULTILAYER STRUCTURES BASED ON Ni-Fe ELECTRODEPOSED FILMS” / spz:neicon:vestift:y:2017:i:2:p:23-29

1
Методы повышения радиационной стойкости интегральных микросхем НПО «ИНТЕГРАЛ», предназначенных для условий работы в космических летательных аппаратах [Электронный ресурс]. – Режим доступа: http:// www.1551a3.ru/datafiles/l817vfl1.pdf. – Дата доступа: 24.04.2017.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=4684
    Prefix
    На сегодняшний день актуальной проблемой, стоящей перед инженерами и разработчиками техники, является повышение стойкости элементов и приборов микроэлектронной техники, эксплуатируемой как в земных условиях, так и в космическом пространстве, к воздействию различного типа ионизирующих излучений. При этом, согласно оценкам экспертов
    Exact
    [1]
    Suffix
    , стоимость стойких к излучениям приборов и микросхем увеличивается в 10–30 раз по сравнению с нестойкими аналогами. Современные полупроводниковые приборы и микросхемы чувствительны к воздействию ионизирующих излучений [2, 3].

2
Кужир, П. Г. Прикладная ядерная физика / П. Г. Кужир. – Минск: Технопринт, 2004. – 113 c.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=5003
    Prefix
    При этом, согласно оценкам экспертов [1], стоимость стойких к излучениям приборов и микросхем увеличивается в 10–30 раз по сравнению с нестойкими аналогами. Современные полупроводниковые приборы и микросхемы чувствительны к воздействию ионизирующих излучений
    Exact
    [2, 3]
    Suffix
    . Тем не менее они широко применяются в военной и космической технике, в ядерной индустрии. При этом используется ряд технологических, схемотехнических и программных решений, уменьшающих последствия радиационного воздействия.

3
Evwaraye, O. Electron-irradiation-induced divacancy in lightly doped silicon / O. Evwaraye, E. Sun // J. Appl. Phys. – 1976. – Vol. 47, N 9. – P. 3776–3780.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=5003
    Prefix
    При этом, согласно оценкам экспертов [1], стоимость стойких к излучениям приборов и микросхем увеличивается в 10–30 раз по сравнению с нестойкими аналогами. Современные полупроводниковые приборы и микросхемы чувствительны к воздействию ионизирующих излучений
    Exact
    [2, 3]
    Suffix
    . Тем не менее они широко применяются в военной и космической технике, в ядерной индустрии. При этом используется ряд технологических, схемотехнических и программных решений, уменьшающих последствия радиационного воздействия.

4
Машкович, В. П. Защита от ионизирующих излучений / В. П. Машкович, А. В. Кудрявцева. – М.: Энергоатом- издат, 1995. – 418 c.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=6466
    Prefix
    Основная задача защиты от мощных пучков электронов сводится к защите от вторичного тормозного излучения. Для защиты от электронного излучения чаще всего используют такие материалы, как алюминий, железо, медь, плексиглас, силикатное стекло и др.
    Exact
    [4]
    Suffix
    . Спектр синтезируемых в настоящее время материалов достаточно широк, некоторые из них могут быть перспективны для использования в качестве экранов радиационной защиты [5–8]. В настоящие время особое внимание уделяется исследованию многослойных структур, так как при прохождении излучений через эти материалы возможно значительное ослабление эффектов радиационного воздействия, что имеет значител

5
Effectiveness of IC shielded packages against space radiation / J. P. Spratt [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 1997. – Vol. 44, N 6. – P. 2018–2025.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=6636
    Prefix
    Для защиты от электронного излучения чаще всего используют такие материалы, как алюминий, железо, медь, плексиглас, силикатное стекло и др. [4]. Спектр синтезируемых в настоящее время материалов достаточно широк, некоторые из них могут быть перспективны для использования в качестве экранов радиационной защиты
    Exact
    [5–8]
    Suffix
    . В настоящие время особое внимание уделяется исследованию многослойных структур, так как при прохождении излучений через эти материалы возможно значительное ослабление эффектов радиационного воздействия, что имеет значительный научный и прикладной интерес.

6
US Pat. 6858795. H05K009/00. Radiation shielding of three dimensional multi-chip modules / Czjakowski David R., Eggleston Neil, Patterson Janet S. 18.08.2003.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=6636
    Prefix
    Для защиты от электронного излучения чаще всего используют такие материалы, как алюминий, железо, медь, плексиглас, силикатное стекло и др. [4]. Спектр синтезируемых в настоящее время материалов достаточно широк, некоторые из них могут быть перспективны для использования в качестве экранов радиационной защиты
    Exact
    [5–8]
    Suffix
    . В настоящие время особое внимание уделяется исследованию многослойных структур, так как при прохождении излучений через эти материалы возможно значительное ослабление эффектов радиационного воздействия, что имеет значительный научный и прикладной интерес.

7
TID Effects of High-Z Material Spot Shields on FPGA Using MPTB Data / S. H. Crain [et al.] – NASA/CR– 2003– 212638. – 22 p.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=6636
    Prefix
    Для защиты от электронного излучения чаще всего используют такие материалы, как алюминий, железо, медь, плексиглас, силикатное стекло и др. [4]. Спектр синтезируемых в настоящее время материалов достаточно широк, некоторые из них могут быть перспективны для использования в качестве экранов радиационной защиты
    Exact
    [5–8]
    Suffix
    . В настоящие время особое внимание уделяется исследованию многослойных структур, так как при прохождении излучений через эти материалы возможно значительное ослабление эффектов радиационного воздействия, что имеет значительный научный и прикладной интерес.

8
Борц, Б. В. Моделирование прохождения электронов через слоистый композиционный материал / Б. В. Борц, И. Г. Марченко, П. Н. Бездверный // Вопр. атом. науки и техники. Сер. Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение. – 2009. – No 4. – С. 175–177.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=6636
    Prefix
    Для защиты от электронного излучения чаще всего используют такие материалы, как алюминий, железо, медь, плексиглас, силикатное стекло и др. [4]. Спектр синтезируемых в настоящее время материалов достаточно широк, некоторые из них могут быть перспективны для использования в качестве экранов радиационной защиты
    Exact
    [5–8]
    Suffix
    . В настоящие время особое внимание уделяется исследованию многослойных структур, так как при прохождении излучений через эти материалы возможно значительное ослабление эффектов радиационного воздействия, что имеет значительный научный и прикладной интерес.

9
Многослойный электромагнитный экран для защиты фотоэлектронных умножителей и способ его нанесения : пат. РФ, No 2474890 / В. В. Дмитренко, А. Г. Батищев, С. С. Грабчиков, Л. Б. Сосновская, Т. Е. Шарапа. – Опубл.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7045
    Prefix
    время особое внимание уделяется исследованию многослойных структур, так как при прохождении излучений через эти материалы возможно значительное ослабление эффектов радиационного воздействия, что имеет значительный научный и прикладной интерес. Методика эксперимента. Экспериментальные образцы покрытий сплавов NiFe формировались с помощью метода электролитического осаждения, описанного в
    Exact
    [9]
    Suffix
    . В зависимости от режимов электролиза и состава растворов (концентрация железа сернокислого семиводного изменялась от 10 до 60 г/л) были получены 5 образцов покрытий сплавов NiFe, содержащих от 7 до 50 ат.% железа.