The 5 references with contexts in paper A. Volochko T., G. Markov V., V. Zelenin A., E. Narushko O., А. Волочко Т., Г. Марков В., В. Зеленин А., Е. Нарушко О. (2017) “ЭКРАНИРУЮЩИЕ СВОЙСТВА ОПТИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ, ПОЛУЧЕННЫХ НА СТЕКЛЯННЫХ И ПОЛИМЕРНЫХ МАТЕРИАЛАХ // SHIELDING PROPERTIES OF OPTICAL COATINGS OBTAINED ON GLASS AND POLYMER MATERIALS” / spz:neicon:vestift:y:2017:i:1:p:25-30

1
Оптически прозрачные электромагнитные экраны / А. Т. Волочко [и др.] // Доклады БГУИР. – 2015. – No3 (89). – С. 53–57.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=5410
    Prefix
    Кроме того, возможно использование многослойные покрытия, состоящие из чередующихся тонких (десятки нм) металлических (Ni, Cu, Ag) и оксидных слоев (TiO2, SiO2, HfO2, ZrO2). Покрытие системы In2О3 + SnО2, формируемое на стекле марки К8
    Exact
    [1]
    Suffix
    , является наиболее востребованным в настоящее время. Оксид индия относится к вырожденным полупроводникам n-типа [2] с широкой запрещенной зоной, концентрация электронов в нем доходит до ~1·1019см–3.

2
Шапиро, Д. Н. Основы теории электромагнитного экранирования / Д. Н. Шапиро. – Л.: Энергия, 1975. – 112 с.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=5536
    Prefix
    Кроме того, возможно использование многослойные покрытия, состоящие из чередующихся тонких (десятки нм) металлических (Ni, Cu, Ag) и оксидных слоев (TiO2, SiO2, HfO2, ZrO2). Покрытие системы In2О3 + SnО2, формируемое на стекле марки К8 [1], является наиболее востребованным в настоящее время. Оксид индия относится к вырожденным полупроводникам n-типа
    Exact
    [2]
    Suffix
    с широкой запрещенной зоной, концентрация электронов в нем доходит до ~1·1019см–3. При легировании оксида индия четырехвалентным оловом концентрация свободных носителей заряда возрастает до ~1·1021 см–3.

3
Курбацкий, В. П. О размерной и частотной зависимости параметров модели Друде для ультратонких металлических пленок / В. П. Курбацкий // Журн. техн. физики. – 2015. – Т. 85, вып. 5. – С. 106–109.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=6639
    Prefix
    Металл, его структура и толщина в слое должны быть такими, чтобы обеспечивать максимальное пропускание электромагнитных волн при частотах 385...750 ТГц (видимый свет) и минимальное – для частот 0,7...17 ГГц (УВЧ и СВЧ диапазоны). В соответствии с
    Exact
    [3]
    Suffix
    пропускание Т металлической пленкой ЭМИ рассчитывается по следующим формулам: 1/ 2 22 22 1 (, , ), () 1 Tτ ττ τ wWw = W+w -w + w +w (1) 2, * p N L m W = πw (2) где τw- частота релаксации заряженной частицы; ωр – плазменная частота; ω – частота ЭМИ; L – толщина металлическо

4
Проводящие и отражающие тонких металлических пленок / И. В. Антонец [и др.] // Журн. техн. физики. – 2004. – Т. 74, вып. 11. – С. 102–106.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7683
    Prefix
    Функция Т(Ω) – монотонно убывающая, то есть при увеличении числа носителей заряда (толщины пленки) составляющая пропускания ЭМИ уменьшается, а увеличивается процент отраженного от металлической пленки излучения
    Exact
    [4]
    Suffix
    . Для повышения пропускания волн оптического диапазона и снижения пропускания волн радиочастотного диапазона, а также для уменьшения доли отражения световых волн поверх металлического слоя целесообразно наносить слой диэлектрика с высоким коэффициентом преломления (n ≥ 2).

5
Dawar, A. L. Semiconducting crystal display transparent thin films, their properties / A. L. Dawar, J. C. Joshi // J. Mater. Sci. – 1984. – Vol. 19, N 1. – P. 1–23.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=12491
    Prefix
    Процесс высокотемпературной обработки оксидной пленки позволяет атомам кислорода, внедренным между узлами кристаллической решетки или расположенным на границах зерен, диффундировать в узлы кристаллической решетки. Образующиеся кислородные вакансии действуют как доноры для электронов, увеличивая их концентрацию
    Exact
    [5]
    Suffix
    . Следовательно, в результате отжига удельное поверхностное сопротивление оксидной пленки уменьшается как за счет увеличения концентрации электронов, так и за счет увеличения их подвижности. Данная операция накладывает ограничения по выбору основания для ITO-покрытия.