The 6 references with contexts in paper N. Lagunovich L., A. Turtsevich S., V. Borzdov M., Н. Лагунович Л., А. Турцевич С., В. Борздов М. (2016) “Моделирование влияния типа эпитаксиальной пленки на электрические характеристики высоковольтных кремниевых диодов // Simulation of influence of epitaxial film type on electrical characteristics of high-voltage silicon diodes” / spz:neicon:vestift:y:2015:i:2:p:98-102

1
МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов / Под ред. П. Антонетти и др.: Пер. с англ. М., 1988.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=479
    Prefix
    Борз ДоВ 2 МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ТИПА ЭПИТАКСИАЛЬНОй ПЛЕНКИ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ 1открытое акционерное общество «интегрАЛ», 2Белорусский государственный университет (Поступила в редакцию 06.02.2015) Введение. Моделирование полупроводниковых структур
    Exact
    [1, 2]
    Suffix
    играет важную роль в процессе разработки и производства новых изделий микроэлектроники, поскольку позволяет определять параметры технологического процесса изготовления исследуемой структуры и получать ее вольт-амперные характеристики еще до этапа изготовления экспериментальных образцов.

2
Абрамов и. и . Лекции по моделированию элементов интегральных схем. М., 2005.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=479
    Prefix
    Борз ДоВ 2 МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ТИПА ЭПИТАКСИАЛЬНОй ПЛЕНКИ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ КРЕМНИЕВЫХ ДИОДОВ 1открытое акционерное общество «интегрАЛ», 2Белорусский государственный университет (Поступила в редакцию 06.02.2015) Введение. Моделирование полупроводниковых структур
    Exact
    [1, 2]
    Suffix
    играет важную роль в процессе разработки и производства новых изделий микроэлектроники, поскольку позволяет определять параметры технологического процесса изготовления исследуемой структуры и получать ее вольт-амперные характеристики еще до этапа изготовления экспериментальных образцов.

3
зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2 кн. / Пер. с англ. 2-е перераб. и доп. изд. М., 1984. Кн. 1.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=1033
    Prefix
    В то же время моделирование не исключает полностью этап изготовления экспериментальных образцов, но позволяет значительно снизить количество натурных экспериментов и таким образом уменьшить затраты на их проведение. В настоящее время различные типы диодов
    Exact
    [3–5]
    Suffix
    находят широкое применение как в качестве дискретных приборов, так и в качестве элементов интегральных микросхем различного назначения. В данной работе проведено приборно-технологическое моделирование кремниевого диода, диаметр активной области которого составляет 150 мкм.

4
Маллер р., Кейминс т. Элементы интегральных схем. М., 1989.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=1033
    Prefix
    В то же время моделирование не исключает полностью этап изготовления экспериментальных образцов, но позволяет значительно снизить количество натурных экспериментов и таким образом уменьшить затраты на их проведение. В настоящее время различные типы диодов
    Exact
    [3–5]
    Suffix
    находят широкое применение как в качестве дискретных приборов, так и в качестве элементов интегральных микросхем различного назначения. В данной работе проведено приборно-технологическое моделирование кремниевого диода, диаметр активной области которого составляет 150 мкм.

5
шур М. Физика полупроводниковых приборов: В 2 кн. М., 1992, Кн. 1.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=1033
    Prefix
    В то же время моделирование не исключает полностью этап изготовления экспериментальных образцов, но позволяет значительно снизить количество натурных экспериментов и таким образом уменьшить затраты на их проведение. В настоящее время различные типы диодов
    Exact
    [3–5]
    Suffix
    находят широкое применение как в качестве дискретных приборов, так и в качестве элементов интегральных микросхем различного назначения. В данной работе проведено приборно-технологическое моделирование кремниевого диода, диаметр активной области которого составляет 150 мкм.

6
http://www.synopsys.com. N. L. LAGuNoVich , A. S. tuRtSEV ich, V. M. BoRzDoV SIMULATION OF INFLUENCE OF EPITAxIAL FILM TYPE ON ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF HIGH-VOLTAGE SILICON DIODES Summary
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2457
    Prefix
    Моделирование технологического процесса и электрических характеристик исследуемого диода осуществлялось с использованием программного комплекса фирмы Synopsys, включающего в себя программы двухмерного технологического моделирования TSuprem4 и двухмерного приборного моделирования полупроводниковых структур Medici
    Exact
    [6]
    Suffix
    . Выбор и моделирование технологических маршрутов изготовления диода. Задачи, решаемые в данной работе, – определение параметров технологического процесса изготовления высоковольтных кремниевых диодов и оценка влияния типа эпитаксиальной пленки на значения некоторых конструктивных параметров исследуемых приборов.