The 11 references with contexts in paper G. Pashkevich A., A. Orlov T., V. Ulianova O., O. Bogdan V., Г. Пашкевич А., А. Орлов Т., В. Ульянова А., А. Богдан В. (2016) “Формирование монокристаллических наноструктур оксида цинка на подложках ниобата лития и на металлических пленках // Formation of zinc oxide single-crystal nanostructures on lithium niobate substrates and metal films” / spz:neicon:vestift:y:2014:i:3:p:117-122

1
Jagadish C. Z�nc Ox�� e Bulk, Th�n F �l�� �n� N �no ��� uc �u�e�: P �oce ��� n�, P �ope ��� e�, �n� Appl �c��� on �. El �ev �e�, A ���e� ���, 2006.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=889
    Prefix
    материал, широко ис-�nO� , широкозонный полупроводниковый материал, широко ис-�, широкозонный полупроводниковый материал, широко используется в своей поликристаллической форме на протяжении 60 лет в медицине, электронике, фотонике благодаря своим полупроводниковым, механическим, пьезоэлектрическим, оптическим свойствам, биосовместимости, нетоксичности и стабильности
    Exact
    [1]
    Suffix
    . �nO является перспек-�nO является перспек- является перспективным материалом для применения в наноэлектронике благодаря возможности формирования монокристаллических наноструктур и наноструктурированных пленок на его основе [2].

2
Özgür Ü. e� � l. // P �oc. IEEE 98. 2010. P. 1255–1268.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=1119
    Prefix
    , электронике, фотонике благодаря своим полупроводниковым, механическим, пьезоэлектрическим, оптическим свойствам, биосовместимости, нетоксичности и стабильности [1]. �nO является перспек-�nO является перспек- является перспективным материалом для применения в наноэлектронике благодаря возможности формирования монокристаллических наноструктур и наноструктурированных пленок на его основе
    Exact
    [2]
    Suffix
    . Среди дорогих и громоздких классических методов формирования полупроводниковых материалов [3–5] в настоящее время более популярными становятся низкотемпературные методы синтеза, такие как электрохимическое осаждение [6, 7] и гидротермальный метод [8].

3
Banerjee D. // Appl. Phy�. 2005. Vol. A80. P. 749–752.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=1214
    Prefix
    , оптическим свойствам, биосовместимости, нетоксичности и стабильности [1]. �nO является перспек-�nO является перспек- является перспективным материалом для применения в наноэлектронике благодаря возможности формирования монокристаллических наноструктур и наноструктурированных пленок на его основе [2]. Среди дорогих и громоздких классических методов формирования полупроводниковых материалов
    Exact
    [3–5]
    Suffix
    в настоящее время более популярными становятся низкотемпературные методы синтеза, такие как электрохимическое осаждение [6, 7] и гидротермальный метод [8]. Применение метода электрохимического осаждения для синтеза наноструктурированных материалов на поверхности полупроводников или диэлектриков возможно при предварительном создании проводящей металлической пленки.

4
Park W. I. e� � l. // Appl. Phy�. Le �� . 2002. Vol. 80, N 22. P. 4232–4234.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=1214
    Prefix
    , оптическим свойствам, биосовместимости, нетоксичности и стабильности [1]. �nO является перспек-�nO является перспек- является перспективным материалом для применения в наноэлектронике благодаря возможности формирования монокристаллических наноструктур и наноструктурированных пленок на его основе [2]. Среди дорогих и громоздких классических методов формирования полупроводниковых материалов
    Exact
    [3–5]
    Suffix
    в настоящее время более популярными становятся низкотемпературные методы синтеза, такие как электрохимическое осаждение [6, 7] и гидротермальный метод [8]. Применение метода электрохимического осаждения для синтеза наноструктурированных материалов на поверхности полупроводников или диэлектриков возможно при предварительном создании проводящей металлической пленки.

5
Sun Y. e� � l. // Che�. Phy �. Le �� . 2004. Vol. 396, N 1-3. P. 21–26.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=1214
    Prefix
    , оптическим свойствам, биосовместимости, нетоксичности и стабильности [1]. �nO является перспек-�nO является перспек- является перспективным материалом для применения в наноэлектронике благодаря возможности формирования монокристаллических наноструктур и наноструктурированных пленок на его основе [2]. Среди дорогих и громоздких классических методов формирования полупроводниковых материалов
    Exact
    [3–5]
    Suffix
    в настоящее время более популярными становятся низкотемпературные методы синтеза, такие как электрохимическое осаждение [6, 7] и гидротермальный метод [8]. Применение метода электрохимического осаждения для синтеза наноструктурированных материалов на поверхности полупроводников или диэлектриков возможно при предварительном создании проводящей металлической пленки.

6
Zeng H. B. e� � l. // Sc�. A �v. M �� e�. 2010. Vol. 2, N 3. P. 336–358.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=1340
    Prefix
    Среди дорогих и громоздких классических методов формирования полупроводниковых материалов [3–5] в настоящее время более популярными становятся низкотемпературные методы синтеза, такие как электрохимическое осаждение
    Exact
    [6, 7]
    Suffix
    и гидротермальный метод [8]. Применение метода электрохимического осаждения для синтеза наноструктурированных материалов на поверхности полупроводников или диэлектриков возможно при предварительном создании проводящей металлической пленки.

7
Hyunghoon Kim e� � l. // Elec�� on �c M�� e��� l� Le �� e�� . 2009. Vol. 5, N 3. P. 135–138.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=1340
    Prefix
    Среди дорогих и громоздких классических методов формирования полупроводниковых материалов [3–5] в настоящее время более популярными становятся низкотемпературные методы синтеза, такие как электрохимическое осаждение
    Exact
    [6, 7]
    Suffix
    и гидротермальный метод [8]. Применение метода электрохимического осаждения для синтеза наноструктурированных материалов на поверхности полупроводников или диэлектриков возможно при предварительном создании проводящей металлической пленки.

8
Bai Shr-Nan // J M�� e� Sc �: M�� e� Elec�� on. 2011. Vol. 22, N 4. P. 339–344.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=1371
    Prefix
    Среди дорогих и громоздких классических методов формирования полупроводниковых материалов [3–5] в настоящее время более популярными становятся низкотемпературные методы синтеза, такие как электрохимическое осаждение [6, 7] и гидротермальный метод
    Exact
    [8]
    Suffix
    . Применение метода электрохимического осаждения для синтеза наноструктурированных материалов на поверхности полупроводников или диэлектриков возможно при предварительном создании проводящей металлической пленки.

9
Jia Guozhi e� � l. // D�� e�� Jou�n�l of N�no ��� e��� l� � n� B �o��� uc �u�e�. 2012. Vol. 7, N 1. P. 261–267.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=3253
    Prefix
    Для синтеза наностержней �nO комбинированным гидротермальным методом используют двухстадийный процесс: 1� форми-� форми- формирование зародышевой пленки �nO с помощью золь-гель метода; 2� рост массива наноструктур из раствора. В данной работе процесс роста проводился при подобных описанных в
    Exact
    [9]
    Suffix
    условиях с некоторыми дополнениями, описанными ниже. Подложки ниобата лития (3128-XY L�NbO� изначально очищались в растворе перекиси водорода при температуре 30 °C в течение 30 мин. Для первой стадии формирования наностреж- в течение 30 мин.

10
Orlov A. T. e� � l. // 23�� In �e�n. C ��� e�n Conf. «M�c�ow �ve & Teleco�� un �c��� on Technolo�y». 2013. P. 830–832.
Total in-text references: 3
  1. In-text reference with the coordinate start=6470
    Prefix
    Диаметр зерен составляет порядка 50 нм. а б в г Рис. 1. Микрофотография (а� и СЭМ-изображение (б� зародышевого слоя �nO, сформированного на подложке L�NbO3, СЭМ-изображение (в�
    Exact
    [10]
    Suffix
    нанострержней �nO, сформированных на подложке без зародышевого слоя, СЭМ-изображение (г� [10] наностержней �nO на подложке L�NbO3 с зародышевым слоем 118 а б Рис. 2.

  2. In-text reference with the coordinate start=6564
    Prefix
    Микрофотография (а� и СЭМ-изображение (б� зародышевого слоя �nO, сформированного на подложке L�NbO3, СЭМ-изображение (в� [10] нанострержней �nO, сформированных на подложке без зародышевого слоя, СЭМ-изображение (г�
    Exact
    [10]
    Suffix
    наностержней �nO на подложке L�NbO3 с зародышевым слоем 118 а б Рис. 2. Рентгенограммы зародышевого слоя (а� и наностержней �nO (б� на подложке L�NbO3 [10] Стержни, сформированные на подложках без предварительного осаждения зародышевой пленки (рис. 1, в�, расположены хаотично, не имеют строго вертикальн

  3. In-text reference with the coordinate start=6810
    Prefix
    на подложке L�NbO3, СЭМ-изображение (в� [10] нанострержней �nO, сформированных на подложке без зародышевого слоя, СЭМ-изображение (г� [10] наностержней �nO на подложке L�NbO3 с зародышевым слоем 118 а б Рис. 2. Рентгенограммы зародышевого слоя (а� и наностержней �nO (б� на подложке L�NbO3
    Exact
    [10]
    Suffix
    Стержни, сформированные на подложках без предварительного осаждения зародышевой пленки (рис. 1, в�, расположены хаотично, не имеют строго вертикальной ориентации, тем не менее они демонстрируют прочную связь с подложкой и гексагональную структуру.

11
Orlov A. e� �l. // P �oc. 2013 IEEE XXXIII In�e�n. Sc �en �� fic Conf. Elec�� on �c� �n� N �no� echnolo�y (ELNANO�. 2013. P. 25–27. G. A. PASHKEVICH, A. T. ORLOV, V. O. ULIANOVA, O. V. BOGDAN FORMATION OF ZINC OXIDE SINGLE-CRYSTAL NANOSTRUCTURES ON LITHIUM NIOBATE SUBSTRATES AND METAL FILMS
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=8332
    Prefix
    Электро химический метод осаждения из водных растворов при низких температурах использовался для получения стержневых структур �nO на подложках четырех типов: алюминиевая фольга, кри-�nO на подложках четырех типов: алюминиевая фольга, кри- на подложках четырех типов: алюминиевая фольга, кристаллическая подложка 3128-XY L�NbO и пластина ситалла с нанесенными пленками золота
    Exact
    [11]
    Suffix
    , кремниевая пластина с алюминиевым покрытием. На предварительно очищенные на протяжении 30 мин в растворе 22 2 4H O /H SO подложки осаждались металлические пленки методом магнетронного распыления (рис. 3, а, б�.

  2. In-text reference with the coordinate start=11288
    Prefix
    Плотность размещения стержневых структур для образца на алюминиевой фольге составляет 20·108 см–2, а б Рис. 4. СЭМ-изображения стержневых наноструктур �nO, синтезированных на алюминиевой фольге с пленкой золота (а�, на подложках ниобата лития с пленкой золота (б�
    Exact
    [11]
    Suffix
    120 а б Рис. 5. СЭМ-изображение (а� и рентгенограмма стержневых наноструктур (б�, синтезированных на подложках ситалла с пленкой золота а для образца на подложке ниобата лития – 30·108 см–2.