The 18 reference contexts in paper D. Tishkevich I., Y. Bogatyrev V., S. Grabchikov S., S. Lastovskii B., L. Tsybulskaya S., V. Shendyukov S., S. Perevoznikov S., S. Poznyak K., A. Trukhanov V., Д. Тишкевич И., Ю. Богатырев В., С. Грабчиков С., С. Ластовский Б., Л. Цыбульская С., В. Шендюков С., С. Перевозников С., С. Позняк К., А. Труханов В. (2017) “ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИ ОСАЖДЕННЫЕ ПОКРЫТИЯ НА ОСНОВЕ ВИСМУТА И ЭФФЕКТИВНОСТЬ ИХ ЗАЩИТЫ ОТ ЭЛЕКТРОННОГО ИЗЛУЧЕНИЯ // ELECTROCHEMICAL DEPOSED BISMUTH COATINGS AND THE EFFICIENCY OF THEIR PROTECTION FROM ELECTRON IRRADIATION” / spz:neicon:vestift:y:2017:i:3:p:19-29

  1. Start
    5853
    Prefix
    Современные изделия полупроводниковой и микроэлектронной техники широко применяются в ракетно-космической, авиационной, военной и атомной технике. Однако они весьма чувствительны к воздействию различных ионизирующих излучений (электроны, протоны, тяжелые заряженные частицы, рентгеновское и гамма-излучения)
    Exact
    [1]
    Suffix
    . В связи с этим проблема обеспечения эксплуатационной надежности радиоэлектронных приборов и аппаратуры в условиях радиационных воздействий стоит перед многими инженерами и разработчиками техники, эксплуатируемой как в наземных условиях, так и в условиях космического пространства.
    (check this in PDF content)

  2. Start
    6901
    Prefix
    Второй путь может быть более предпочтителен, поскольку он определяется радиационными свойствами используемых материалов экранов и не накладывает ограничений на схемотехнические и конструкционные возможности разработчиков. Такой подход получил условное название ЛОЗА (ЛОкальная ЗАщита) в Российской Федерации
    Exact
    [2]
    Suffix
    и RAD-COAT [3], RAD-PAK [4] – за рубежом. В настоящее время спектр синтезируемых материалов достаточно широк, ряд из них может быть перспективен для использования в качестве экранов радиационной защиты [5–7].
    (check this in PDF content)

  3. Start
    6916
    Prefix
    Второй путь может быть более предпочтителен, поскольку он определяется радиационными свойствами используемых материалов экранов и не накладывает ограничений на схемотехнические и конструкционные возможности разработчиков. Такой подход получил условное название ЛОЗА (ЛОкальная ЗАщита) в Российской Федерации [2] и RAD-COAT
    Exact
    [3]
    Suffix
    , RAD-PAK [4] – за рубежом. В настоящее время спектр синтезируемых материалов достаточно широк, ряд из них может быть перспективен для использования в качестве экранов радиационной защиты [5–7]. C целью защиты от электронного, рентгеновского и гамма-излучений используют алюминий, железо, медь, вольфрам, свинец, силикатное стекло и др.
    (check this in PDF content)

  4. Start
    6929
    Prefix
    Второй путь может быть более предпочтителен, поскольку он определяется радиационными свойствами используемых материалов экранов и не накладывает ограничений на схемотехнические и конструкционные возможности разработчиков. Такой подход получил условное название ЛОЗА (ЛОкальная ЗАщита) в Российской Федерации [2] и RAD-COAT [3], RAD-PAK
    Exact
    [4]
    Suffix
    – за рубежом. В настоящее время спектр синтезируемых материалов достаточно широк, ряд из них может быть перспективен для использования в качестве экранов радиационной защиты [5–7]. C целью защиты от электронного, рентгеновского и гамма-излучений используют алюминий, железо, медь, вольфрам, свинец, силикатное стекло и др.
    (check this in PDF content)

  5. Start
    7107
    Prefix
    Такой подход получил условное название ЛОЗА (ЛОкальная ЗАщита) в Российской Федерации [2] и RAD-COAT [3], RAD-PAK [4] – за рубежом. В настоящее время спектр синтезируемых материалов достаточно широк, ряд из них может быть перспективен для использования в качестве экранов радиационной защиты
    Exact
    [5–7]
    Suffix
    . C целью защиты от электронного, рентгеновского и гамма-излучений используют алюминий, железо, медь, вольфрам, свинец, силикатное стекло и др. В качестве материала экранов, эффективно поглощающих высокоэнергетические излучения, применяют, как правило, тяжелые элементы.
    (check this in PDF content)

  6. Start
    8402
    Prefix
    Нетоксичность и невысокая стоимость висмута, широкие технологические возможности его получения делают весьма актуальным применение висмута в качестве материала для радиационной защиты. Так, стекла на основе оксида висмута Bi2O3 используют в качестве экранов от гамма-излучения
    Exact
    [8]
    Suffix
    . Текстильные материалы с частицами Bi2O3 применяют при изготовлении спецодежды для медицинского персонала, работающего на рентгеновских и гамма-установках [9]. При нанесении оксида висмута на легкие ткани можно обеспечить степень ослабления рентгеновского излучения аналогичную, как и в случае свинцовой одежды [10].
    (check this in PDF content)

  7. Start
    8562
    Prefix
    Так, стекла на основе оксида висмута Bi2O3 используют в качестве экранов от гамма-излучения [8]. Текстильные материалы с частицами Bi2O3 применяют при изготовлении спецодежды для медицинского персонала, работающего на рентгеновских и гамма-установках
    Exact
    [9]
    Suffix
    . При нанесении оксида висмута на легкие ткани можно обеспечить степень ослабления рентгеновского излучения аналогичную, как и в случае свинцовой одежды [10]. Использование многослойных структур, содержащих слои на основе легких (Sn, Sb, Ba) и тяжелых (W и Bi) элементов, на полимерной подложке обеспечивает ослабление, эквивалентное случаю чистого свинца, но с более низкими (на 25 %) массогабар
    (check this in PDF content)

  8. Start
    8719
    Prefix
    Текстильные материалы с частицами Bi2O3 применяют при изготовлении спецодежды для медицинского персонала, работающего на рентгеновских и гамма-установках [9]. При нанесении оксида висмута на легкие ткани можно обеспечить степень ослабления рентгеновского излучения аналогичную, как и в случае свинцовой одежды
    Exact
    [10]
    Suffix
    . Использование многослойных структур, содержащих слои на основе легких (Sn, Sb, Ba) и тяжелых (W и Bi) элементов, на полимерной подложке обеспечивает ослабление, эквивалентное случаю чистого свинца, но с более низкими (на 25 %) массогабаритными параметрами [11].
    (check this in PDF content)

  9. Start
    8981
    Prefix
    Использование многослойных структур, содержащих слои на основе легких (Sn, Sb, Ba) и тяжелых (W и Bi) элементов, на полимерной подложке обеспечивает ослабление, эквивалентное случаю чистого свинца, но с более низкими (на 25 %) массогабаритными параметрами
    Exact
    [11]
    Suffix
    . При этом многослойные структуры обеспечивают в 5 раз более высокое ослабление, чем свинцовая защита, при напряжении на рентгеновской трубке 50 кВ. Но этот эффект постепенно уменьшается и при напряжении 150 кВ исчезает [12].
    (check this in PDF content)

  10. Start
    9206
    Prefix
    При этом многослойные структуры обеспечивают в 5 раз более высокое ослабление, чем свинцовая защита, при напряжении на рентгеновской трубке 50 кВ. Но этот эффект постепенно уменьшается и при напряжении 150 кВ исчезает
    Exact
    [12]
    Suffix
    . Необходимо также отметить, что для создания эффективной радиационной защиты толщина экранов должна составлять порядка 1 мм и более. В связи с этим в настоящей работе исследованы условия электрохимического осаждения и структура покрытий висмута толщиной 100–2700 мкм, ряд физико-технических свойств и эффективность ослабления потоков электронного излучения.
    (check this in PDF content)

  11. Start
    9775
    Prefix
    В связи с этим в настоящей работе исследованы условия электрохимического осаждения и структура покрытий висмута толщиной 100–2700 мкм, ряд физико-технических свойств и эффективность ослабления потоков электронного излучения. Методика эксперимента. Осаждение покрытий висмута производили из перхлоратного электролита висмутирования
    Exact
    [13]
    Suffix
    при следующих условиях и составах раствора: висмут (III) гидроксид – 45 г/л, концентрированная 65%-ная хлорная кислота – 225 мл/л, желатин – 0,3–0,5 г/л, вода дистиллированная – до 1 л, температура – 20–25 °С, рабочая плотность тока – 2,4–3,0 А/дм2.
    (check this in PDF content)

  12. Start
    12084
    Prefix
    Для определения параметров решетки осуществлялась прецизионная запись дифракционных линий, расположенных в дальней угловой области с целью уменьшения погрешности измерения, со скоростью детектора 0,125 градуса в минуту. Толщину покрытий висмута (d) определяли гравиметрическим методом
    Exact
    [13]
    Suffix
    . Приведенную толщину экранов (dпр) рассчитывали по формуле dпр = dρBi, (1) где ρBi – плотность висмута. Облучение образцов проводилось на линейном ускорителе электронов ЭЛУ-4. Номинальная энергия электронов после окна вывода составляла Ее = 4 МэВ, флюенс Ф = (0,5÷50)∙1013 см–2.
    (check this in PDF content)

  13. Start
    12486
    Prefix
    Номинальная энергия электронов после окна вывода составляла Ее = 4 МэВ, флюенс Ф = (0,5÷50)∙1013 см–2. Плотность потока электронов контролировалась с помощью цилиндра Фарадея и составляла 4∙1011 см–2с–1. Как известно
    Exact
    [14]
    Suffix
    , при радиационном воздействии коэффициент ослабления излучения веществом (по поглощенной дозе) существенно зависит от энергетического спектра излучения. Для приближения характеристик спектра электронов ускорителя ЭЛУ-4 к спектру электро нов радиационного пояса Земли (РПЗ) между мишенью и окном вывода электронов устанавливалась дюралюминиевая пластина толщиной 5 мм (рис. 1).
    (check this in PDF content)

  14. Start
    13628
    Prefix
    Расстояние от окна вывода электронов до замедляющего экрана составляло 0,5 м, а до радиационного экрана – 1 м. Коэффициент ослабления потоков электронов радиационными экранами определяли из отношения флюенсов падающего на экран и прошедшего через экран потока электронов
    Exact
    [15]
    Suffix
    . В качестве тестовых структур использовались транзисторные МОП-структуры (элементы логических КМОП ИМС IN74AC04N производства ОАО «Интеграл»). Данный метод определения поглощенной дозы излучения основан на изменении радиационно-чувствительных параметров МОП-транзисторов (МОПТ) и достаточно удобен с точки зрения практической реализации [16–18].
    (check this in PDF content)

  15. Start
    13980
    Prefix
    Данный метод определения поглощенной дозы излучения основан на изменении радиационно-чувствительных параметров МОП-транзисторов (МОПТ) и достаточно удобен с точки зрения практической реализации
    Exact
    [16–18]
    Suffix
    . Измерения сток-затворных вольтамперных характеристик (ВАХ) тестовых р-МОПТструктур проводились до и после каждой дозы облучения с помощью измерителя параметров полупроводниковых приборов ИППП-1/6.
    (check this in PDF content)

  16. Start
    14710
    Prefix
    Захват носителей заряда в объеме SiO2 и на уровни поверхностных состояний вызывает сдвиг пороговых напряжений, а увеличение плотности поверхностных состояний приводит к дополнительному рассеянию подвижных носителей заряда и уменьшению крутизны сток-затворной ВАХ
    Exact
    [6, 19]
    Suffix
    . Поглощенная доза определялась по величине сдвига ВАХ – изменению падения порогового напряжения (ΔU) при токах утечки Ic = 10–7 A для р-МОПТ. Для каждой дозы электронного облучения использовалась отдельная микросхема.
    (check this in PDF content)

  17. Start
    17649
    Prefix
    СЭМ-изображения поверхности представляют собой совокупность крупномасштабной составляющей с овальными образованиями размерами от 80 до 120 мкм и мелкозернистой составляющей с кристаллитами размерами от 4 до 12 мкм. В работе
    Exact
    [20]
    Suffix
    при изучении висмутовых покрытий, осажденных на медные подложки из электролита, содержащего Bi(NO3)3∙H2O и HNO3, также при толщинах более 100 мкм наблюдалось прекращение дендридного роста кристаллитов в покрытиях.
    (check this in PDF content)

  18. Start
    20829
    Prefix
    Захват носителей заряда в объеме SiO2 и на уровни поверхностных состояний вызы- вает сдвиг пороговых напряжений, а увеличение плотности поверхностных состояний при- водит к дополнительному рассеянию подвижных носителей заряда и уменьшению кру- тизны сток-затворной ВАХ МОПТ
    Exact
    [17–19]
    Suffix
    . Рост токов утечки р-МОПТ с увеличением флюенса обусловлен соответствующим ростом токов утечки защитных диодов на входе и выходе микросхем. На рис. 5, а представлена зависимость сдвига порогового напряжения ∆U (по абсолют- ной величине) от флюенса электронного облучения незащищенной экраном тестовой структуры.
    (check this in PDF content)