The 5 reference contexts in paper A. Volochko T., G. Markov V., V. Zelenin A., E. Narushko O., А. Волочко Т., Г. Марков В., В. Зеленин А., Е. Нарушко О. (2017) “ЭКРАНИРУЮЩИЕ СВОЙСТВА ОПТИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ, ПОЛУЧЕННЫХ НА СТЕКЛЯННЫХ И ПОЛИМЕРНЫХ МАТЕРИАЛАХ // SHIELDING PROPERTIES OF OPTICAL COATINGS OBTAINED ON GLASS AND POLYMER MATERIALS” / spz:neicon:vestift:y:2017:i:1:p:25-30

  1. Start
    5410
    Prefix
    Кроме того, возможно использование многослойные покрытия, состоящие из чередующихся тонких (десятки нм) металлических (Ni, Cu, Ag) и оксидных слоев (TiO2, SiO2, HfO2, ZrO2). Покрытие системы In2О3 + SnО2, формируемое на стекле марки К8
    Exact
    [1]
    Suffix
    , является наиболее востребованным в настоящее время. Оксид индия относится к вырожденным полупроводникам n-типа [2] с широкой запрещенной зоной, концентрация электронов в нем доходит до ~1·1019см–3.
    (check this in PDF content)

  2. Start
    5536
    Prefix
    Кроме того, возможно использование многослойные покрытия, состоящие из чередующихся тонких (десятки нм) металлических (Ni, Cu, Ag) и оксидных слоев (TiO2, SiO2, HfO2, ZrO2). Покрытие системы In2О3 + SnО2, формируемое на стекле марки К8 [1], является наиболее востребованным в настоящее время. Оксид индия относится к вырожденным полупроводникам n-типа
    Exact
    [2]
    Suffix
    с широкой запрещенной зоной, концентрация электронов в нем доходит до ~1·1019см–3. При легировании оксида индия четырехвалентным оловом концентрация свободных носителей заряда возрастает до ~1·1021 см–3.
    (check this in PDF content)

  3. Start
    6639
    Prefix
    Металл, его структура и толщина в слое должны быть такими, чтобы обеспечивать максимальное пропускание электромагнитных волн при частотах 385...750 ТГц (видимый свет) и минимальное – для частот 0,7...17 ГГц (УВЧ и СВЧ диапазоны). В соответствии с
    Exact
    [3]
    Suffix
    пропускание Т металлической пленкой ЭМИ рассчитывается по следующим формулам: 1/ 2 22 22 1 (, , ), () 1 Tτ ττ τ wWw = W+w -w + w +w (1) 2, * p N L m W = πw (2) где τw- частота релаксации заряженной частицы; ωр – плазменная частота; ω – частота ЭМИ; L – толщина металлическо
    (check this in PDF content)

  4. Start
    7683
    Prefix
    Функция Т(Ω) – монотонно убывающая, то есть при увеличении числа носителей заряда (толщины пленки) составляющая пропускания ЭМИ уменьшается, а увеличивается процент отраженного от металлической пленки излучения
    Exact
    [4]
    Suffix
    . Для повышения пропускания волн оптического диапазона и снижения пропускания волн радиочастотного диапазона, а также для уменьшения доли отражения световых волн поверх металлического слоя целесообразно наносить слой диэлектрика с высоким коэффициентом преломления (n ≥ 2).
    (check this in PDF content)

  5. Start
    12491
    Prefix
    Процесс высокотемпературной обработки оксидной пленки позволяет атомам кислорода, внедренным между узлами кристаллической решетки или расположенным на границах зерен, диффундировать в узлы кристаллической решетки. Образующиеся кислородные вакансии действуют как доноры для электронов, увеличивая их концентрацию
    Exact
    [5]
    Suffix
    . Следовательно, в результате отжига удельное поверхностное сопротивление оксидной пленки уменьшается как за счет увеличения концентрации электронов, так и за счет увеличения их подвижности. Данная операция накладывает ограничения по выбору основания для ITO-покрытия.
    (check this in PDF content)