The 5 reference contexts in paper V. Odzaev B., A. Pyatlitski N., V. Prasalovich S., A. Turtsevich S., S. Shvedau V., V. Filipenia A., V. Chorny V., V. Yavid Yu., Yu. Yankouski N., V. Dubrouski A., В. Оджаев Б., А. Петлицкий Н., В. Просолович С., А. Турцевич С., С. Шведов В., В. Филипеня А., В. Черный В., В. Явид Ю., Ю. Янковский Н., В. Дубровский А. (2016) “Влияние технологических примесей на электрофизические параметры МОП-транзистора // Influence of technological inpurities on electrical parameters of MOS transistor” / spz:neicon:vestift:y:2014:i:4:p:14-17

  1. Start
    702
    Prefix
    ПАРАМЕТРЫ МОП-ТРАНЗИСТОРА 1 Белорусский государственный университет, 2 Открытое акционерное общество «ИнТЕГРАЛ» – управляющая компания холдинга «ИнТЕГРАЛ», 3 Белорусский национальный технический университет (Поступила в редакцию 13.03.2014) Введение. При производстве КМОП-структур требуется большое число технологических операций, особенно при использовании МДП-технологии
    Exact
    [1–3]
    Suffix
    . Производственный контроль качества является составной частью типового технологического процесса и сводится к определению двух составляющих: явных дефектов, характеризующих процент выхода годных изделий, и скрытых дефектов, снижающих их надежность .
    (check this in PDF content)

  2. Start
    3061
    Prefix
    Если подвижность электронов μп не зависит от напряженности электрического поля, то Iс в канале шириной W полевого транзистора с изолированным затвором будет определяться следующим образом
    Exact
    [4]
    Suffix
    : 2 cд зпор 1 () 2n W ICU U L =m-, (1) где Сд – удельная емкость диэлектрика, Uпop – пороговое напряжение . 15 Из выражения (1) видно, что при Uз = const и при W/L = const наблюдаемые различия в величине Iс в первую очередь можно связать с изменением напряжения отсечки Uр = Uз – Uпop.
    (check this in PDF content)

  3. Start
    5105
    Prefix
    Одна из возможных причин отличия параметров транзисторов, вероятно, также связана с величиной емкости подзатворного диэлектрика и его качеством, обусловленными наличием встроенного заряда . Для проверки данного предположения проведено сравнение отношения емкостей подзатворного диэлектрика МОП-транзисторов из серий А и В (СiA/СiB), определенных на различных участках ВАХ
    Exact
    [5, 6]
    Suffix
    исходя из проводимости в линейной области, крутизны характеристики в линейной области, величины тока насыщения, крутизны в области насыщения (табл . 2) . Т а б л и ц а 1 . Параметры МОП-транзисторов, определенные из анализа вольт – амперных и стоковых характеристик Параметр МОП-транзистораСерия А Серия В Ток насыщения Iс нас при Uз = 3,3 В, мкА 138280 Напряжение насыщения Uси нас, В 1,201,9
    (check this in PDF content)

  4. Start
    6457
    Prefix
    По проводимостиUси = 0,2 В, Uзи = 3,3 В0,79 По крутизне в линейной областиUси = 0,2 В0,86 По току насыщенияUзи = 3,3 В0,76 По крутизне в области насыщенияUси = 3,5 В, Uзи = 2,9 В0,75 Из табл . 2 следует, что вне зависимости от метода оценки отношения СiA/СiB значение емкости СiB выше величины емкости СiA приблизительно на 20%, что однозначно свидетельствует о дополнительном заряде
    Exact
    [2, 4, 5, 7]
    Suffix
    встроенном в слой окисла подзатворного диэлектрика МОП-транзисторов серии А . Это обусловлено тем, что на границе раздела Si–SiO2, полученной термическим окислением кремния, всегда присутствуют четыре различных по своей природе источника заряда: заряд быстрых поверхностных состояний в полупроводнике, постоянный заряд в окисле, заряд на ловушках в слое окисла и заряд подвижных ионов .
    (check this in PDF content)

  5. Start
    8601
    Prefix
    Действительно, исследования на рентгенофлуоресцентном спектрометре Rigaku TXRF 3750 содержания металлических примесей на поверхности пластин методом полного внешнего отражения рентгеновского излучения
    Exact
    [8, 9]
    Suffix
    показали, что вся поверхность пластин из серии А покрыта слоем Fe со средней концентрацией 3,4·1011 ат/см2 . Наблюдаются также пятна Cl, K, Ca, Ti, Cr, Cu, Zn . На пластинах серии В наблюдаются только пятна Cl по периферии пластины .
    (check this in PDF content)