The 18 reference contexts in paper R. Tofpenez L., A. Anisovich G., Р. Тофпенец Л., А. Анисович Г. (2016) “Роль энергии дефектов упаковки в формировании структуры при импульсных воздействиях // The role of stacking-faultenergy at structure formation under pulse actions” / spz:neicon:vestift:y:2014:i:3:p:21-26

  1. Start
    1176
    Prefix
    При рассмотрении вопросов структурообразования в металлах при различного рода силовых воздействиях используются представления о волновой природе пластической деформации, ее локализации в определенных участках кристалла с возникновением в них сдвигонеустойчивых возбужденных состояний
    Exact
    [1]
    Suffix
    . В соответствии с представлениями об активированных состояниях эти участки можно отнести к активированным комплексам [2]. В зависимости от энергии внешнего силового воздействия возможны метастабильные активированные состояния разного рода.
    (check this in PDF content)

  2. Start
    1299
    Prefix
    вопросов структурообразования в металлах при различного рода силовых воздействиях используются представления о волновой природе пластической деформации, ее локализации в определенных участках кристалла с возникновением в них сдвигонеустойчивых возбужденных состояний [1]. В соответствии с представлениями об активированных состояниях эти участки можно отнести к активированным комплексам
    Exact
    [2]
    Suffix
    . В зависимости от энергии внешнего силового воздействия возможны метастабильные активированные состояния разного рода. Их возникновение обусловлено появлением при внешних силовых воздействиях новых пар атом–вакансия.
    (check this in PDF content)

  3. Start
    2147
    Prefix
    При описании сильно возбужденных состояний в кристалле используются представления о том, что функция распределения атомов в пространстве в этом случае существенно отличается от таковой в бездефектном кристалле. При внешнем силовом воздействии возникают атом-вакансионные состояния, которые можно рассматривать как новые структурные состояния (новые фазы�. Ранее в
    Exact
    [2]
    Suffix
    было изложено представление об активированных состояниях в различных системах (в том числе и металлах� в связи с образованием «активированных комплексов», формирующихся из атомов исходного вещества.
    (check this in PDF content)

  4. Start
    3431
    Prefix
    С точки зрения термодинамики активированное состояние – это критическое состояние термодинамический неустойчивости атомных комплексов в кристалле, вызванное различными факторами. В зависимости от этого изменяется значение термодинамических параметров процесса активации. Свободная энергия активации процесса аморфизации
    Exact
    [2]
    Suffix
    в данной металлической фазе DGS при температуре T ≤ TS (TS – температура плавления�: |DGS| = q - T DSa, (1� где () 298 6,7 ln298, 298 TS SS S HH qTT S T =---  (2� () 298 6,7 ln298. 298 TS aS S HH STS T D=-- + (3� Здесь q и Sa – энергия и энтропия активации процесса аморфизации вещества в данном комплексе.
    (check this in PDF content)

  5. Start
    4190
    Prefix
    Величина q рассматривается так же, как энергия сдвигообразования в кристаллической решетке, по достижении которой в кристаллической решетке могут возникать активированные состояния. Значение модуля сдвига для разных металлов коррелирует с q (таблица�. Энергия активации q и энергия межатомной связи Ф некоторых металлов
    Exact
    [1]
    Suffix
    и модули сдвига Металлq, эВФ, эВG, дин/см2 ⋅ 10–11g, эрг/см2 Алюминий0,310,27032,66150–280 Медь0,670,34294,5572–83 Никель0,98–7,6090 Железо1,020,41748,30140±40 Термодинамический потенциал системы, подвергающейся силовому воздействию, зависит от величины статических смещений атомов из узлов кристаллической решетки.
    (check this in PDF content)

  6. Start
    4605
    Prefix
    , эВФ, эВG, дин/см2 ⋅ 10–11g, эрг/см2 Алюминий0,310,27032,66150–280 Медь0,670,34294,5572–83 Никель0,98–7,6090 Железо1,020,41748,30140±40 Термодинамический потенциал системы, подвергающейся силовому воздействию, зависит от величины статических смещений атомов из узлов кристаллической решетки. Значение термодинамического потенциала максимально для случая аморфного состояния металла. По мнению
    Exact
    [1]
    Suffix
    , при высокоэнергетическом внешнем воздействии исходным является именно такое состояние. Области неравновесных атом-вакансионных состояний могут релаксировать разными путями, реализация которых зависит от условий деформации, типа кристаллической структуры и ее сдвиговой устойчивости.
    (check this in PDF content)

  7. Start
    5146
    Prefix
    Как наиболее вероятный путь для металлов отмечается релаксация за счет генерирования дислокаций в области атом-вакансионного состояния и их «выталкивания» в объем кристалла. Взаимодействие дефектов приводит к формированию фрагментированной структуры
    Exact
    [3]
    Suffix
    . С учетом расчетов, приведенных в [1], можно полагать, что атом-вакансионные состояния возникают при энергии активации не менее величины q. Такая картина характерна для случая приложения сильных внешних полей, т. е. высокоэнергетических воздействий.
    (check this in PDF content)

  8. Start
    5184
    Prefix
    Как наиболее вероятный путь для металлов отмечается релаксация за счет генерирования дислокаций в области атом-вакансионного состояния и их «выталкивания» в объем кристалла. Взаимодействие дефектов приводит к формированию фрагментированной структуры [3]. С учетом расчетов, приведенных в
    Exact
    [1]
    Suffix
    , можно полагать, что атом-вакансионные состояния возникают при энергии активации не менее величины q. Такая картина характерна для случая приложения сильных внешних полей, т. е. высокоэнергетических воздействий.
    (check this in PDF content)

  9. Start
    6309
    Prefix
    При этом важную роль в дислокационной теории пластической деформации играют такие характеристики, как ширина расщепления дислокации, непосредственно связанная с образованием в решетке д.у., и энергия дефекта упаковки (э.д.у.�. Связь энергии дефектов упаковки с основными свойствами кристаллов, а также с процессами, происходящими при пластической деформации и релаксации напряжений, общеизвестна
    Exact
    [4]
    Suffix
    . Дефект упаковки связан с нарушением закономерного расположения атомных плоскостей в кристаллической решетке и может возникнуть при сдвиге по такой плоскости, ее внедрении или удалении и другими способами [3].
    (check this in PDF content)

  10. Start
    6526
    Prefix
    Дефект упаковки связан с нарушением закономерного расположения атомных плоскостей в кристаллической решетке и может возникнуть при сдвиге по такой плоскости, ее внедрении или удалении и другими способами
    Exact
    [3]
    Suffix
    . Появление д.у. не изменяет ни числа ближайших соседей атома, ни расстояния до них. Природа д.у. обусловлена электронной структурой металла. Изменение энергии кристалла, определяющее и величину д.у., объясняется возрастанием или снижением энергии электронов проводимости, которые в силу своей волновой природы реагируют на нарушение атомной структуры, вносимой дефектом.
    (check this in PDF content)

  11. Start
    8537
    Prefix
    в уровне э.д.у. металлов с одинаковой валентностью связана с топологией поверхности Ферми, т. е. разницей в площади касания поверхности Ферми с границей первой зоны Бриллюэна, поскольку эта величина характеризует число электронов вблизи границы данной зоны. Оценку эффективной электронной концентрации, связанной с площадью касания, можно произвести по экспериментальным значениям константы Холла
    Exact
    [5]
    Suffix
    . Значения э.д.у. (g� для некоторых металлов приведены в таблице. Величина g непосредственно связана с шириной растянутой (расщепленной� дислокации, которая играет существенную роль в процессе пластической деформации, определяя характер взаимодействия и скольжения дислокаций, и, следовательно, формирование структуры металла: 222 co� , 321 Ga-n- n q w= pg- n (4� где w – ширина расщепленной ди
    (check this in PDF content)

  12. Start
    9224
    Prefix
    формирование структуры металла: 222 co� , 321 Ga-n- n q w= pg- n (4� где w – ширина расщепленной дислокации (ширина д.у.�; G – модуль сдвига; а – параметр кристаллической решетки; n – коэффициент Пуассона; q – угол между линией частичной дислокации, ограничивающей д.у., и вектором Бюргерса полной дислокации. Механизм образования растянутой или расщепленной дислокации сводится к следующему
    Exact
    [3]
    Suffix
    . Единичная дислокация для уменьшения ее энергии расщепляется на две частичные дислокации, соединенные дефектом упаковки. Такой комплекс носит название растянутой дислокации, энергия которой равна сумме энергий двух частичных дислокаций, энергии их отталкивания и э.д.у.
    (check this in PDF content)

  13. Start
    10524
    Prefix
    При уве личении степени деформации до 10% формируются плоские скопления дислокаций (рис. 1, б�; скопления дислокаций около высокоугловых границ – при деформации порядка 50% (рис. 1, в�. Ячеистая структура в алюминии формируется при пластической деформации прокаткой на 90% (рис. 1, г�, когда деформация соответствует 3-й стадии кривой деформационного упрочнения
    Exact
    [7]
    Suffix
    . Трансформация дислокационных конфигураций в процессе пластической деформации сопровождается существенным изменением напряженного состояния и фиксируется по повышению уширения интерференционных линий рентгенограммы.
    (check this in PDF content)

  14. Start
    11360
    Prefix
    В этом случае благодаря периодической «накачке» энергии в металл возможен анализ трансформации структуры по мере увеличения количества импульсов (циклов�. а б в г Рис. 1. Изменение дислокационной структуры при холодной деформации алюминия
    Exact
    [7]
    Suffix
    : а, б, в, г – e = 5, 10, 50, 90% соответственно а б Рис. 2. Начало формирования ячеистой структуры в сплаве Д16 (а� и формирование ячеек в алюминии (б� при лазерном воздействии Ранее при описании специфики структурообразования при импульсных воздействиях отмечалось, что за формирование структуры ответственны деформаци
    (check this in PDF content)

  15. Start
    11796
    Prefix
    Начало формирования ячеистой структуры в сплаве Д16 (а� и формирование ячеек в алюминии (б� при лазерном воздействии Ранее при описании специфики структурообразования при импульсных воздействиях отмечалось, что за формирование структуры ответственны деформационная и тепловая компоненты воздействия
    Exact
    [8]
    Suffix
    . Результатом реализации деформационной компоненты импульсного (циклического� воздействия является неоднородное распределение напряжений. В областях максимальных напряжений возникают сдвигонеустойчивые состояния, характер которых зависит от уровня напряжений, задаваемых энергетическими условиями воздействия.
    (check this in PDF content)

  16. Start
    14075
    Prefix
    Такая картина формирования субструктуры характерна для металлов с высокой энергией д.у. и подтверждается на примере структурообразования в металлах и сплавах на основе алюминия после их термической обработки в режиме циклирования
    Exact
    [8, 9]
    Suffix
    . Формирование такой субструктуры наблюдается, в частности, при воздействии лазерного нагрева. На рис. 2, а показано начало формирования ячеистой структуры около высокоугловой границы и формирование плоских границ ячеек (рис. 2, б� в сплаве Д16 при нагреве расфокусированным лазерным лучом.
    (check this in PDF content)

  17. Start
    14444
    Prefix
    На рис. 2, а показано начало формирования ячеистой структуры около высокоугловой границы и формирование плоских границ ячеек (рис. 2, б� в сплаве Д16 при нагреве расфокусированным лазерным лучом. При термоциклировании металлов с ГЦК-решеткой и низкой э.д.у.
    Exact
    [9]
    Suffix
    альтернативой поперечному скольжению с образованием ячеистой структуры является процесс двойникования (рис. 3�. При этом характерно образование зубчатых границ (рис. 3, а� с участками двойниковой а б Рис. 3.
    (check this in PDF content)

  18. Start
    15069
    Prefix
    Зубчатые границы в меди (а� и формирование дислокационной структуры внутри двойников в никеле (б�; лазерное воздействие ориентации разного порядка. Развитие субструктуры наблюдается внутри двойников (рис. 3, б�. При воздействии импульсного магнитного поля (рис. 4� наблюдаются те же закономерности. Процесс двойникования интенсифицируется
    Exact
    [10]
    Suffix
    . Формируются фрагменты с прямолинейными границами двойникового происхождения.
    (check this in PDF content)