The 11 reference contexts in paper G. Pashkevich A., A. Orlov T., V. Ulianova O., O. Bogdan V., Г. Пашкевич А., А. Орлов Т., В. Ульянова А., А. Богдан В. (2016) “Формирование монокристаллических наноструктур оксида цинка на подложках ниобата лития и на металлических пленках // Formation of zinc oxide single-crystal nanostructures on lithium niobate substrates and metal films” / spz:neicon:vestift:y:2014:i:3:p:117-122

  1. Start
    894
    Prefix
    материал, широко ис-�nO� , широкозонный полупроводниковый материал, широко ис-�, широкозонный полупроводниковый материал, широко используется в своей поликристаллической форме на протяжении 60 лет в медицине, электронике, фотонике благодаря своим полупроводниковым, механическим, пьезоэлектрическим, оптическим свойствам, биосовместимости, нетоксичности и стабильности
    Exact
    [1]
    Suffix
    . �nO является перспек-�nO является перспек- является перспективным материалом для применения в наноэлектронике благодаря возможности формирования монокристаллических наноструктур и наноструктурированных пленок на его основе [2].
    (check this in PDF content)

  2. Start
    1124
    Prefix
    , электронике, фотонике благодаря своим полупроводниковым, механическим, пьезоэлектрическим, оптическим свойствам, биосовместимости, нетоксичности и стабильности [1]. �nO является перспек-�nO является перспек- является перспективным материалом для применения в наноэлектронике благодаря возможности формирования монокристаллических наноструктур и наноструктурированных пленок на его основе
    Exact
    [2]
    Suffix
    . Среди дорогих и громоздких классических методов формирования полупроводниковых материалов [3–5] в настоящее время более популярными становятся низкотемпературные методы синтеза, такие как электрохимическое осаждение [6, 7] и гидротермальный метод [8].
    (check this in PDF content)

  3. Start
    1219
    Prefix
    , оптическим свойствам, биосовместимости, нетоксичности и стабильности [1]. �nO является перспек-�nO является перспек- является перспективным материалом для применения в наноэлектронике благодаря возможности формирования монокристаллических наноструктур и наноструктурированных пленок на его основе [2]. Среди дорогих и громоздких классических методов формирования полупроводниковых материалов
    Exact
    [3–5]
    Suffix
    в настоящее время более популярными становятся низкотемпературные методы синтеза, такие как электрохимическое осаждение [6, 7] и гидротермальный метод [8]. Применение метода электрохимического осаждения для синтеза наноструктурированных материалов на поверхности полупроводников или диэлектриков возможно при предварительном создании проводящей металлической пленки.
    (check this in PDF content)

  4. Start
    1345
    Prefix
    Среди дорогих и громоздких классических методов формирования полупроводниковых материалов [3–5] в настоящее время более популярными становятся низкотемпературные методы синтеза, такие как электрохимическое осаждение
    Exact
    [6, 7]
    Suffix
    и гидротермальный метод [8]. Применение метода электрохимического осаждения для синтеза наноструктурированных материалов на поверхности полупроводников или диэлектриков возможно при предварительном создании проводящей металлической пленки.
    (check this in PDF content)

  5. Start
    1376
    Prefix
    Среди дорогих и громоздких классических методов формирования полупроводниковых материалов [3–5] в настоящее время более популярными становятся низкотемпературные методы синтеза, такие как электрохимическое осаждение [6, 7] и гидротермальный метод
    Exact
    [8]
    Suffix
    . Применение метода электрохимического осаждения для синтеза наноструктурированных материалов на поверхности полупроводников или диэлектриков возможно при предварительном создании проводящей металлической пленки.
    (check this in PDF content)

  6. Start
    3258
    Prefix
    Для синтеза наностержней �nO комбинированным гидротермальным методом используют двухстадийный процесс: 1� форми-� форми- формирование зародышевой пленки �nO с помощью золь-гель метода; 2� рост массива наноструктур из раствора. В данной работе процесс роста проводился при подобных описанных в
    Exact
    [9]
    Suffix
    условиях с некоторыми дополнениями, описанными ниже. Подложки ниобата лития (3128-XY L�NbO� изначально очищались в растворе перекиси водорода при температуре 30 °C в течение 30 мин. Для первой стадии формирования наностреж- в течение 30 мин.
    (check this in PDF content)

  7. Start
    6475
    Prefix
    Диаметр зерен составляет порядка 50 нм. а б в г Рис. 1. Микрофотография (а� и СЭМ-изображение (б� зародышевого слоя �nO, сформированного на подложке L�NbO3, СЭМ-изображение (в�
    Exact
    [10]
    Suffix
    нанострержней �nO, сформированных на подложке без зародышевого слоя, СЭМ-изображение (г� [10] наностержней �nO на подложке L�NbO3 с зародышевым слоем Стержни, сформированные на подложках без предварительного осаждения зародышевой пленки (рис. 1, в�, расположены хаотично, не имеют строго вертикальной ориентации, тем не менее они демонстрируют прочную связь с подложкой и гексагональную структуру
    (check this in PDF content)

  8. Start
    6569
    Prefix
    Микрофотография (а� и СЭМ-изображение (б� зародышевого слоя �nO, сформированного на подложке L�NbO3, СЭМ-изображение (в� [10] нанострержней �nO, сформированных на подложке без зародышевого слоя, СЭМ-изображение (г�
    Exact
    [10]
    Suffix
    наностержней �nO на подложке L�NbO3 с зародышевым слоем Стержни, сформированные на подложках без предварительного осаждения зародышевой пленки (рис. 1, в�, расположены хаотично, не имеют строго вертикальной ориентации, тем не менее они демонстрируют прочную связь с подложкой и гексагональную структуру.
    (check this in PDF content)

  9. Start
    8149
    Prefix
    Электро химический метод осаждения из водных растворов при низких температурах использовался для получения стержневых структур �nO на подложках четырех типов: алюминиевая фольга, кри-�nO на подложках четырех типов: алюминиевая фольга, кри- на подложках четырех типов: алюминиевая фольга, кристаллическая подложка 3128-XY L�NbO и пластина ситалла с нанесенными пленками золота
    Exact
    [11]
    Suffix
    , кремниевая пластина с алюминиевым покрытием. На предварительно очищенные на протяжении 30 мин в растворе 22 2 4H O /H SO подложки осаждались металлические пленки методом магнетронного распыления (рис. 3, а, б�.
    (check this in PDF content)

  10. Start
    8657
    Prefix
    Процесс роста стержневых структур проводился при 60 °C с одновременным перемешиванием на протяжении а б Рис. 2. Рентгенограммы зародышевого слоя (а� и наностержней �nO (б� на подложке L�NbO3
    Exact
    [10]
    Suffix
    а б в г Рис. 3. Схематическая диаграмма электрохимического процесса синтеза стержневых наноструктур �nO: а – очищенная подложка, б – подложка с металлической пленкой, в – установка синтеза наноструктур �nO, г – результат синтеза 90 мин (рис. 3, в� и прикладыванием напряжения 2 В.
    (check this in PDF content)

  11. Start
    11293
    Prefix
    Плотность размещения стержневых структур для образца на алюминиевой фольге составляет 20·108 см–2, а б Рис. 4. СЭМ-изображения стержневых наноструктур �nO, синтезированных на алюминиевой фольге с пленкой золота (а�, на подложках ниобата лития с пленкой золота (б�
    Exact
    [11]
    Suffix
    а для образца на подложке ниобата лития – 30·108 см–2. Для структур на подложках ниобата лития наблюдается срастание стержней в основании. Это может быть обусловлено дефектностью проводящего слоя. На рис. 4 видно, что стержни демонстрируют прочную связь с подложкой, направление роста перпендикулярно подложке.
    (check this in PDF content)