The 6 references in paper N. Lagunovich L., A. Turtsevich S., V. Borzdov M., Н. Лагунович Л., А. Турцевич С., В. Борздов М. (2016) “Моделирование влияния типа эпитаксиальной пленки на электрические характеристики высоковольтных кремниевых диодов // Simulation of influence of epitaxial film type on electrical characteristics of high-voltage silicon diodes” / spz:neicon:vestift:y:2015:i:2:p:98-102

1
МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов / Под ред. П. Антонетти и др.: Пер. с англ. М., 1988.
(check this in PDF content)
2
Абрамов и. и . Лекции по моделированию элементов интегральных схем. М., 2005.
(check this in PDF content)
3
зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2 кн. / Пер. с англ. 2-е перераб. и доп. изд. М., 1984. Кн. 1.
(check this in PDF content)
4
Маллер р., Кейминс т. Элементы интегральных схем. М., 1989.
(check this in PDF content)
5
шур М. Физика полупроводниковых приборов: В 2 кн. М., 1992, Кн. 1.
(check this in PDF content)
6
http://www.synopsys.com. N. L. LAGuNoVich , A. S. tuRtSEV ich, V. M. BoRzDoV SIMULATION OF INFLUENCE OF EPITAxIAL FILM TYPE ON ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF HIGH-VOLTAGE SILICON DIODES Summary
(check this in PDF content)