The 9 references in paper V. Odzaev B., A. Pyatlitski N., V. Prasalovich S., A. Turtsevich S., S. Shvedau V., V. Filipenia A., V. Chorny V., V. Yavid Yu., Yu. Yankouski N., V. Dubrouski A., В. Оджаев Б., А. Петлицкий Н., В. Просолович С., А. Турцевич С., С. Шведов В., В. Филипеня А., В. Черный В., В. Явид Ю., Ю. Янковский Н., В. Дубровский А. (2016) “Влияние технологических примесей на электрофизические параметры МОП-транзистора // Influence of technological inpurities on electrical parameters of MOS transistor” / spz:neicon:vestift:y:2014:i:4:p:14-17

1
Базовые технологические процессы изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем на кремнии / Под ред . А . С . Турцевича . В 3 т . Мн ., 2013 . С . 302–504 .
(check this in PDF content)
2
Лебедев А. И. Физика полупроводниковых приборов . М ., 2008 . С . 239–294 .
(check this in PDF content)
3
Ефимов И. Е., Козырь И. Я., Горбунов Ю. И. Микроэлектроника . Физические и технологические основы, надежность . М ., 1986 . С . 20–39 .
(check this in PDF content)
4
Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов (перевод с английско го) в двух частях . М ., 1984 . С . 5–90 .
(check this in PDF content)
5
Денисенко В. В. // Компоненты и технологии . 2009 . No 12 . С . 35–48 .
(check this in PDF content)
6
Бочаров Л. н. Полевые транзисторы . М ., 1984 С . 42–59 .
(check this in PDF content)
7
Зи С. М. Технология СБИС . В 2 кн . М ., 1986 . С . 120–127 .
(check this in PDF content)
8
SEMI M33-0988
(check this in PDF content)
9
Berneike W., Knoth J., Schwenke H., Weisbrod U.// Fresnius Z . Anal . Chem . 1989 . Vol . 333 . P . 524–526 . V. B. ODZAEV, A. N. PYATLITSKI, V. S. PRASALOVICH, A. S. TURTSEVICH, S. V. SHVEDAU, V. A. FILIPENIA, V. V. CHORNY, V. Yu. YAVID, Yu. N. YANKOUSKI, V. A. DUBROUSKI in FluenCe OF teChn OlOgi Cal i MP urities On eleCtri Cal P ara Meters OF MOs transistOr summary
(check this in PDF content)