The 8 references with contexts in paper A. Gornichev A., S. Stepanov A., V. Zhukov V., А. Горничев А., В. Жуков В., С. Степанов А. (2016) “Исследование процесса формообразования при пескоструйной обработке пакетированных кремниевых подложек // The Forming Process Researched in Sandblasting Separation of Masked Silicon Wafers” / spz:neicon:technomag:y:2016:i:3:p:168-179

1
Черепанов В.П. Диоды и их зарубежные аналоги. Справочник. В 3 т. Т. 4. Дополнительный. М.: РадиоСофт, 2009. 632 с.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=1522
    Prefix
    Выявлены две стадии процесса формообразования дисков-кристаллов, последняя из которых минимизирует разницу размеров верхнего и нижнего оснований диска-кристалла. Ключевые слова: СВЧ-диод, кремниевая пластина, диск-кристалл, пескоструйная резка, абразивный материал, маскирующее покрытие Введение Основу современного полупроводникового диода
    Exact
    [1,2]
    Suffix
    , выполненного по классической схеме, составляет электронный компонент – кремниевый диск-кристалл со сформированным на нем p-n переходом. Диск имеет круглую (наиболее часто используемый вариант) или шестигранную форму и изготавливается из кремниевой подложки путем ее разделения на отдельные элементы методами групповой обработки.

2
Лазутин Ю.Д., Корячко В.П., Сускин В.В. Технология электронных средств. М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2013. 286 с.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=1522
    Prefix
    Выявлены две стадии процесса формообразования дисков-кристаллов, последняя из которых минимизирует разницу размеров верхнего и нижнего оснований диска-кристалла. Ключевые слова: СВЧ-диод, кремниевая пластина, диск-кристалл, пескоструйная резка, абразивный материал, маскирующее покрытие Введение Основу современного полупроводникового диода
    Exact
    [1,2]
    Suffix
    , выполненного по классической схеме, составляет электронный компонент – кремниевый диск-кристалл со сформированным на нем p-n переходом. Диск имеет круглую (наиболее часто используемый вариант) или шестигранную форму и изготавливается из кремниевой подложки путем ее разделения на отдельные элементы методами групповой обработки.

3
Жуков В.В., Дощечкин Е.Д. Технология изготовления полимерных маскирующих покрытий с использованием клеевых соединений при пескоструйной резке полупроводниковых материалов // Сборка в машиностроении, приборостроении. 2005. No 10. С. 20-23.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2407
    Prefix
    Баумана на предприятии отрасли была освоена технология и создано опытно-промышленное оборудование для разделения полупроводниковых подложек на диски-кристаллы диаметром от 1,5 мм до 3,2 мм методом пескоструйной резки
    Exact
    [3]
    Suffix
    . На рис. 1, а – г показан поэтапно процесс резки подложки на действующей установке. Рис. 1 Стадии разделения маскированной кремниевой пластины на диски-кристаллы при пескоструйной резке h – глубина прорезанного слоя кремния, e – ширина зазора между маскирующими элементами, dв – верхний диаметр диска-кристалла, dос – диаметр основания диска-кристалла Разделяемую кремниевую пластину одной

4
Жуков В.В., Степанов С.А. Универсальная камера для обработки маскированных поверхностей мелкодисперсным абразивным порошком // Сборка в машиностроении, приборостроении. 2015. No 5. С. 11-16.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2951
    Prefix
    кремниевой пластины на диски-кристаллы при пескоструйной резке h – глубина прорезанного слоя кремния, e – ширина зазора между маскирующими элементами, dв – верхний диаметр диска-кристалла, dос – диаметр основания диска-кристалла Разделяемую кремниевую пластину одной стороной наклеивают на стеклянную подложку. На другую сторону полупроводниковой пластины наносится маскирующее покрытие
    Exact
    [4,5]
    Suffix
    , состоящее из металлических дисков соответствующего диаметра, расположенных в шахматном порядке, что обеспечивает наибольшее число элементов на пластине (рис. 1а).После чего пластины загружаются в кассеты и обрабатываются струей сжатого воздуха с абразивным материалом.

5
Usui S. Method of making a sandblast mask: pat. US 3808751 (A). 1974.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2951
    Prefix
    кремниевой пластины на диски-кристаллы при пескоструйной резке h – глубина прорезанного слоя кремния, e – ширина зазора между маскирующими элементами, dв – верхний диаметр диска-кристалла, dос – диаметр основания диска-кристалла Разделяемую кремниевую пластину одной стороной наклеивают на стеклянную подложку. На другую сторону полупроводниковой пластины наносится маскирующее покрытие
    Exact
    [4,5]
    Suffix
    , состоящее из металлических дисков соответствующего диаметра, расположенных в шахматном порядке, что обеспечивает наибольшее число элементов на пластине (рис. 1а).После чего пластины загружаются в кассеты и обрабатываются струей сжатого воздуха с абразивным материалом.

6
Hakes G.L. Abrasive dicing of semiconductor wafers: pat. US 3693302 (A). 1972.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7274
    Prefix
    Поэтому в настоящий момент разделение толстых пластин не получило широкого распространения и проводится эмпирическим путем, при котором можно получить на пластине как 80% годных кристаллов, так и ни одного. Метод разделения полупроводниковых материалов на отдельные элементы методом струйно-абразивной резки применяется уже достаточно давно
    Exact
    [6]
    Suffix
    . За это время проводились различные исследования процесса. Анализировались различные виды абразивного материала, материалы маскирующего покрытия и клеевого слоя [7]. Проводились исследования толщины прорезанного слоя от различных параметров процесса – расхода абразивного материала, формы обрабатывающего сопла, давления сжатого воздуха и т.д.

7
Kruusing A., Leppaevuori S., Uusimaki A., Uusimaki M. Rapid prototyping of silicon structures by aid of laser and abrasive-jet machining // Proc. of the SPIE. Vol. 3680. Conference on Design, Test, and Microfabrication of MEMS and MOEMS, 1999, 10 March, Paris, France. Paris, 1999. DOI: 10.1117/12.341285
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7442
    Prefix
    Метод разделения полупроводниковых материалов на отдельные элементы методом струйно-абразивной резки применяется уже достаточно давно [6]. За это время проводились различные исследования процесса. Анализировались различные виды абразивного материала, материалы маскирующего покрытия и клеевого слоя
    Exact
    [7]
    Suffix
    . Проводились исследования толщины прорезанного слоя от различных параметров процесса – расхода абразивного материала, формы обрабатывающего сопла, давления сжатого воздуха и т.д. Однако зависимость формы боковой поверхности от этих факторов, рассмотренная в этой статье, ранее не рассматривался.

8
Жуков В.В., Степанов С.А. Обеспечение точности при разделении маскированных полупроводниковых пластин на кристаллы // IV Всероссийская конференция молодых ученых и специалистов «Будущее машиностроения России»: сборн. матер. конф. 2011.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7786
    Prefix
    Проводились исследования толщины прорезанного слоя от различных параметров процесса – расхода абразивного материала, формы обрабатывающего сопла, давления сжатого воздуха и т.д. Однако зависимость формы боковой поверхности от этих факторов, рассмотренная в этой статье, ранее не рассматривался. Ранее проведенными исследованиями
    Exact
    [8]
    Suffix
    было установлено, что при пескоструйной обработке маскированных образцов (рис. 3) из стекла и кремния в течение достаточно длительного времени (до начала разрушения маскирующего покрытия) глубина резания незащищенных маскирующим трафаретом поверхностей была переменной и увеличивалась только до некоторого предельного значения в зависимости от расстояния между элементами