The 15 references with contexts in paper A. Shishlov V., H. Sagatelyan R., А. Шишлов В., Г. Сагателян Р. (2016) “Анализ распределения толщины тонкопленочного покрытия при магнетронном напылении на установках с планетарным перемещением подложки // The Analysis of Distribution of Thickness of ThinFilm Coating During the Magnetron Sputtering on Systems with Planetary Movement of Substrate” / spz:neicon:technomag:y:2014:i:1:p:458-481

1
Берлин Е.В., Сейдман Л.А. Ионно-плазменные процессы в тонко-пленочной технологии. М.: Изд-во «Техносфера», 2010. С. 457-488.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=1936
    Prefix
    покрытие, толщина, неравномерность, планетарный механизм, скорость напыления Введение Магнетронное напыление, т. е. технология нанесения тонких плёнок на подложку в вакууме с использованием явления магнетронного распыления мишени, давно и прочно заняло свое место в получении функциональных покрытий для самых разных применений как в микроэлектронике, так и в других отраслях промышленности
    Exact
    [1]
    Suffix
    . Это обусловлено тем что, несмотря на ряд недостатков, магнетронное напыление имеет множество достоинств - таких как удобство применения, высокое качество покрытий и большой запас напыляемого материала.

2
Коновалов С.Ф., Пономарев Ю.А., Майоров Д.В., Подчезерцев В.П., Сидоров А.Г. Гибридные микроэлектромеханические гироскопы и акселерометры // Наука и образование. МГТУ им. Н.Э. Баумана. Электрон. журн. 2011. No 10. Режим доступа: http://technomag.bmstu.ru/doc/219257.html (дата обращения 01.10.2014) .
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2437
    Prefix
    Примерами функциональных покрытий, определяющих работу ответственных деталей изделий точного приборостроения, являются обкладки из золота на кварцевой пластине, формирующие емкостной датчик маятниковых акселерометров
    Exact
    [2]
    Suffix
    , электрорезистивный слой, напылённый на полиимидную подложку, формируя нагревательные элементы и стабилизаторы температуры гироприборов [3] и т. д. Кроме того, подвергнутые фотолитографической обработке тонкопленочные покрытия применяют в качестве масок для формирования методами плазмохимического травления специфических разновидностей рельефа на поверхностях детале

3
Богданович В.И., Барвинок В.А., Кирилин А.Н. Тонкопленочные электронагреватели с наноструктурным резистивным слоем для терморегулирования бортовой аппаратуры космических аппаратов // Проблемы машиностроения и автоматизации. 2010. No 3. С. 111-117 .
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2588
    Prefix
    Примерами функциональных покрытий, определяющих работу ответственных деталей изделий точного приборостроения, являются обкладки из золота на кварцевой пластине, формирующие емкостной датчик маятниковых акселерометров [2], электрорезистивный слой, напылённый на полиимидную подложку, формируя нагревательные элементы и стабилизаторы температуры гироприборов
    Exact
    [3]
    Suffix
    и т. д. Кроме того, подвергнутые фотолитографической обработке тонкопленочные покрытия применяют в качестве масок для формирования методами плазмохимического травления специфических разновидностей рельефа на поверхностях деталей приборов [4].

4
Odinokov S.B., Sagatelyan H.R. The design and manufacturing of diffraction optical elements to form a dot-composed etalon image within the optical systems // Optics and Photonics Journal. 2013. Vol. 3, no. 1. P. 102-111. DOI: 10.4236/opj.2013.31017
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2846
    Prefix
    Кроме того, подвергнутые фотолитографической обработке тонкопленочные покрытия применяют в качестве масок для формирования методами плазмохимического травления специфических разновидностей рельефа на поверхностях деталей приборов
    Exact
    [4]
    Suffix
    . В частности, двухкомпонентное тонкопленочное покрытие титан-алюминий может использоваться в качестве материала маски при плазмохимическом травлении с целью формирования выступов и впадин на кварцевой пластине акселерометра новой конструкции [5].

5
Сагателян Г.Р., Новоселов К.Л., Шишлов А.В., Щукин С.А. Совершенствование технологического процесса изготовления пластины маятникового акселерометра // Естественные и технические науки. 2012. No 6. С. 369-376.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=3115
    Prefix
    В частности, двухкомпонентное тонкопленочное покрытие титан-алюминий может использоваться в качестве материала маски при плазмохимическом травлении с целью формирования выступов и впадин на кварцевой пластине акселерометра новой конструкции
    Exact
    [5]
    Suffix
    . Принцип магнетронного распыления основан на образовании над поверхностью катода кольцеобразной плазмы в результате столкновения электронов с молекулами газа (чаще всего аргон). Для эффективной ионизации аргона, распыляемый материал (мишень) размещают на магните.

6
Савуков В.В. Уточнение аксиоматических принципов статистической физики (теоретическое обоснование поискового проекта “Pitch Fleck”). СПб.: Балтийский государственный технический университет «Военмех» им. Д.Ф. Устинова, 2010. С. 36-42.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=6182
    Prefix
    Состояние вопроса о неравномерности толщины при напылении покрытий Причины возникновения неравномерности тонкопленочного покрытия на подложке указаны выше. Принято считать, что указанные причины приводят к возникновению неравномерности толщины напыленного покрытия в соответствии с законом косинусов Ламберта – Кнудсена
    Exact
    [6]
    Suffix
    . Так, в работе [7] приведена математическая модель, в соответствии с которой скорость роста напыляемой пленки в рассматриваемой точке прямо пропорциональна произведению косинусов углов эмиссии и конденсации и обратно пропорциональна квадрату расстояния от источника напыляемого материала до рассматриваемой точки.

7
Данилин Б.С., Сырчин В.К. Магнетронные распылительные системы. М.: Радио и связь, 1982. С. 88-89.
Total in-text references: 4
  1. In-text reference with the coordinate start=6204
    Prefix
    Состояние вопроса о неравномерности толщины при напылении покрытий Причины возникновения неравномерности тонкопленочного покрытия на подложке указаны выше. Принято считать, что указанные причины приводят к возникновению неравномерности толщины напыленного покрытия в соответствии с законом косинусов Ламберта – Кнудсена [6]. Так, в работе
    Exact
    [7]
    Suffix
    приведена математическая модель, в соответствии с которой скорость роста напыляемой пленки в рассматриваемой точке прямо пропорциональна произведению косинусов углов эмиссии и конденсации и обратно пропорциональна квадрату расстояния от источника напыляемого материала до рассматриваемой точки.

  2. In-text reference with the coordinate start=6544
    Prefix
    Так, в работе [7] приведена математическая модель, в соответствии с которой скорость роста напыляемой пленки в рассматриваемой точке прямо пропорциональна произведению косинусов углов эмиссии и конденсации и обратно пропорциональна квадрату расстояния от источника напыляемого материала до рассматриваемой точки. При этом в работе
    Exact
    [7]
    Suffix
    данная математическая модель не применена к расчетам каких-либо вариантов конструктивного устройства систем напыления. Определенные попытки разработать расчетные математические модели формирования неравномерности тонкопленочного покрытия применительно к конкретному классу установок вакуумного напыления предприняты в работе [8].

  3. In-text reference with the coordinate start=17570
    Prefix
    пропорциональности, зависящий от размеров частиц напыляемого материала и стехиометрии формируемого покрытия, частицу мкммм2; hm – максимум диаграммы направленности распыления, с частиц; – расстояние от рассматриваемой точки A на поверхности детали до точки на распыляемой поверхности мишени, мм; –угол направленности, соответствующий рассматриваемой точке A (в литературе
    Exact
    [7]
    Suffix
    он назван углом распыления); –угол падения для точки A (или, что то же самое, угол конденсации [7]). Рис. 1. Схема вакуумной установки ионно-плазменного напыления с магнетронным распылением мишеней: 1 – деталь, содержащая напыляемую поверхность; 2, 3 – сателлит и водило планетарного механизма карусели; 4, 5 – правый и левый магнетроны; 6, 7 и 8, 9 – диаграммы направленности источнико

  4. In-text reference with the coordinate start=17670
    Prefix
    покрытия, частицу мкммм2; hm – максимум диаграммы направленности распыления, с частиц; – расстояние от рассматриваемой точки A на поверхности детали до точки на распыляемой поверхности мишени, мм; –угол направленности, соответствующий рассматриваемой точке A (в литературе [7] он назван углом распыления); –угол падения для точки A (или, что то же самое, угол конденсации
    Exact
    [7]
    Suffix
    ). Рис. 1. Схема вакуумной установки ионно-плазменного напыления с магнетронным распылением мишеней: 1 – деталь, содержащая напыляемую поверхность; 2, 3 – сателлит и водило планетарного механизма карусели; 4, 5 – правый и левый магнетроны; 6, 7 и 8, 9 – диаграммы направленности источников напыляемого материала из мишеней правого и левого магнетронов Для определения скорости роста то

8
Костржицкий А.И., Карпов В.Ф., Кабанченко М.П., Соловьева О.Н. Справочник оператора установок по нанесению покрытий в вакууме. М.: Машиностроение, 1991. С. 98-104.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=6901
    Prefix
    Определенные попытки разработать расчетные математические модели формирования неравномерности тонкопленочного покрытия применительно к конкретному классу установок вакуумного напыления предприняты в работе
    Exact
    [8]
    Suffix
    . Авторы работы составили в самой общей форме интегро-дифференциальное уравнение для кольцевого испарителя и решили его применительно к неподвижной подложке, располагаемой параллельно плоскости испарителя.

  2. In-text reference with the coordinate start=7214
    Prefix
    Авторы работы составили в самой общей форме интегро-дифференциальное уравнение для кольцевого испарителя и решили его применительно к неподвижной подложке, располагаемой параллельно плоскости испарителя. Дальнейшие исследования по уменьшению разнотолщинности напыленных покрытий в работе
    Exact
    [8]
    Suffix
    рекомендовано свести к оптимизации конфигурации магнетронных излучателей, мотивируя это тем, что аналитические расчеты скорости роста толщины покрытия в разных точках подложки при ее сложном движении относительно испарителя весьма затруднительны.

9
Никоненко В.А. Математическое моделирование технологических процессов: Моделирование в среде MathCAD. Практикум / под ред. Г.Д. Кузнецова. М.: МИСИС, 2001. 48 с.
Total in-text references: 3
  1. In-text reference with the coordinate start=7601
    Prefix
    [8] рекомендовано свести к оптимизации конфигурации магнетронных излучателей, мотивируя это тем, что аналитические расчеты скорости роста толщины покрытия в разных точках подложки при ее сложном движении относительно испарителя весьма затруднительны. Полноценная методика расчета распределения толщины покрытия, формируемого кольцевым испарителем, приведена в работе
    Exact
    [9]
    Suffix
    . Здесь построена модель процесса напыления для случая, когда мишень и подложка параллельны и соосны, т.е. распределение толщины слоя напыленного на подложку материала является центральносимметричным и описывается одной переменной – расстоянием до центра подложки.

  2. In-text reference with the coordinate start=8915
    Prefix
    Так, в работе [11] показано, что магнетронное напыление обеспечивает минимальную разнотолщинность электродов из молибдена по сравнению с другими методами получения покрытий, в частности, с методом термического испарения в вакууме. Необходимо отметить, что типовые конструкции установок магнетронного напыления, как правило, не соответствуют рассмотренной в работе
    Exact
    [9]
    Suffix
    расчетной модели. Рассмотрим вкратце наиболее распространенные варианты конструкций таких установок. Для оценки возможностей технологического оборудования по обеспечению максимально достижимой равномерности толщины формируемых тонкопленочных покрытий при магнетронном распылении, схемы конструктивного устройства этих вакуумных установок будем анализировать в соответствии с указанным

  3. In-text reference with the coordinate start=9966
    Prefix
    Очевидно, что равномерность толщины наносимого покрытия при такой схеме обеспечена быть не может (несмотря на наличие в нижней части камеры вращающейся платформы, на которую и укладывают подложку). Необходимо отметить, что конструкция именно этой установки полностью соответствует рассмотренной в работе
    Exact
    [9]
    Suffix
    расчетной схеме и то лишь в случае, когда для напыления используется магнетрон с вертикальной осью, а подложка неподвижна. Примерно аналогична схема конструктивного устройства вакуумной установки для нанесения металлических и диэлектрических нанопленок модели "МАГНА ТМ-200-01" производства НИИТМ [12].

10
Мансуров Г.Н., Петрий О.А. Электрохимия тонких металлических пленок: монография. М.: МГОУ, 2011. 351 с.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=8386
    Prefix
    Дальнейшие исследования разнотолщинности тонкопленочных покрытий сводятся, в основном, к проблематике измерений локальной толщины пленок. В частности, для исследования тонкопленочных электродов разработан новый резистометрический метод
    Exact
    [10]
    Suffix
    . Результаты подобных работ свидетельствуют о перспективности именно магнетронного способа получения тонкопленочных покрытий. Так, в работе [11] показано, что магнетронное напыление обеспечивает минимальную разнотолщинность электродов из молибдена по сравнению с другими методами получения покрытий, в частности, с методом термического испарения в вакууме.

11
Беляев С.Н. Технологические особенности выбора материалов и методов напыления узлов гироприборов // Известия ВУЗов. Приборостроение. 2009. Т. 52, No 3. С. 73-79.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=8544
    Prefix
    В частности, для исследования тонкопленочных электродов разработан новый резистометрический метод [10]. Результаты подобных работ свидетельствуют о перспективности именно магнетронного способа получения тонкопленочных покрытий. Так, в работе
    Exact
    [11]
    Suffix
    показано, что магнетронное напыление обеспечивает минимальную разнотолщинность электродов из молибдена по сравнению с другими методами получения покрытий, в частности, с методом термического испарения в вакууме.

12
Одиноков В.В., Павлов Г.Я. Вакуумная установка магнетронного нанесения металлических и диэлектрических нанопленок «Магна ТМ-200-01» // Наноиндустрия. 2008. No 4. С. 10-12.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=10271
    Prefix
    конструкция именно этой установки полностью соответствует рассмотренной в работе [9] расчетной схеме и то лишь в случае, когда для напыления используется магнетрон с вертикальной осью, а подложка неподвижна. Примерно аналогична схема конструктивного устройства вакуумной установки для нанесения металлических и диэлектрических нанопленок модели "МАГНА ТМ-200-01" производства НИИТМ
    Exact
    [12]
    Suffix
    . Для повышения равномерности наносимых покрытий конструкция этой установки предусматривает применение мультикатодного магнетронного распылительного устройства, представляющего собой три магнетрона круглой формы, располагаемых в едином корпусе таким образом, что их оси образуют друг с другом пространственные углы.

13
Берлин Е.В., Двинин С.А., Сейдман Л.А. Вакуумная технология и оборудование для нанесения и травления тонких пленок. М.: Техносфера, 2007. 176 с.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=11349
    Prefix
    Такое расположение подложки предпочтительнее расположения подложки напыляемой поверхностью вверх, поскольку в последнем случае покрытие характеризуется повышенной загрязненностью. Другой способ повышения равномерности толщины покрытия на подложке реализован в конструкции установки «Caroline D 12A1» производства фирмы «ЭСТОВакуум»
    Exact
    [13]
    Suffix
    . Здесь так же, как и в предыдущем случае, подложки расположены напыляемой поверхностью вниз в верхней части камеры. Особенностью конструкции является то, что групповой подложкодержатель совершает вращательное движение вокруг оси, расположенной на значительном расстоянии от магнетрона.

14
Агабеков Ю.В., Сутырин А.М. Несбалансированные магнетронные распылительные системы с усиленной ионизацией плазмы // Постоянно действующий научнотехнический семинар “Электровакуумная техника и технология”: тр. Т. 1. М., 1999. С. 102-108.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=12863
    Prefix
    В качестве базового будем рассматривать конструктивное устройство установки с дуальным магнетронным распылением, снабженной механизмом карусели для обеспечения планетарного движения подложки. Напыляемая поверхность подложки расположена вертикально
    Exact
    [14, 15]
    Suffix
    . Достоинствами такой схемы работы оборудования является то, что вертикальное расположение напыляемой поверхности минимизирует загрязнения осаждаемой пленки. В то же время, наличие механизма планетарного вращения позволяет варьировать кинематические факторы процесса.

15
Федотов А.В., Агабеков Ю.А., Мачикин В.П. Многофункциональные нанокомпозитные покрытия // Наноиндустрия. 2008. No 1. С. 24-26. . Science and Education of the Bauman MSTU, 2014, no. 11, pp. 458–481.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=12863
    Prefix
    В качестве базового будем рассматривать конструктивное устройство установки с дуальным магнетронным распылением, снабженной механизмом карусели для обеспечения планетарного движения подложки. Напыляемая поверхность подложки расположена вертикально
    Exact
    [14, 15]
    Suffix
    . Достоинствами такой схемы работы оборудования является то, что вертикальное расположение напыляемой поверхности минимизирует загрязнения осаждаемой пленки. В то же время, наличие механизма планетарного вращения позволяет варьировать кинематические факторы процесса.