The 7 references with contexts in paper A. Volkov N., А. Волков Н. (2016) “АНАЛИЗ ПРОГНОЗИРОВАНИЯ НАДЕЖНОСТИ ДЛИННО-КАНАЛЬНЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ПРИМЕНЕНИЕМ СТЕПЕННОЙ ЗАВИСИМОСТИ СРОКА СЛУЖБЫ TL ОТ ТОКА ПОДЛОЖКИ ISUB // ANALYSIS OF PREDICTION OF RELIABILITY OF LONG-CHANNEL FIELD-EFFECT TRANSISTORS WITH APPLICATION OF POWER-LAW DEPENDENCE OF LIFETIME TL ON SUBSTRATE CURRENT ISUB” / spz:neicon:sustain:y:2015:i:4:p:47-56

1
Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов. в 2-х частях. Часть 2. – Москва: Техносфера, 2004. – 536 с.:ил.
Total in-text references: 5
  1. In-text reference with the coordinate start=1226
    Prefix
    Данный метод основан на проведении ускоренных испытаний по определению работоспособности интегральных схем с выбором критерия отказа и характерных зависимостей срока службы от тока подложки. В работе
    Exact
    [1]
    Suffix
    автор приводит зависимости статистического подхода к прогнозу срока службы методом ускоренных испытаний. Срок службы или время жизни можно определить по эмпирической формуле: tL = B×(Isub/W)–v, (1) где B — коэффициент, который определяется многими конструктивно-технологическими параметрами; υ — параметр, определяющий наклон прямой графика, который строится по результатам ускоренных испытаний

  2. In-text reference with the coordinate start=1634
    Prefix
    Срок службы или время жизни можно определить по эмпирической формуле: tL = B×(Isub/W)–v, (1) где B — коэффициент, который определяется многими конструктивно-технологическими параметрами; υ — параметр, определяющий наклон прямой графика, который строится по результатам ускоренных испытаний. В работе
    Exact
    [1]
    Suffix
    было показано, что процесс генерации ловушек в МОПТ структурах может происходить при помощи двух механизмов: 1) взаимодействие горячих электронов и горячих дырок с границей раздела Si-SiO2; 2) обрыв связей Si-H в подзатворном окисле.

  3. In-text reference with the coordinate start=2573
    Prefix
    В работе [2] автор предлагает общую модель для эффектов горячих носителей и полагает υ = φit/φi, где φi — минимальная энергия в электрон-вольтах, которую горячие электроны должны приобрести для создания ударной ионизации, а φit — 47 критическая энергия, которой электрон должен обладать различных литературных источников
    Exact
    [1, 4, 5, 6, 7]
    Suffix
    , с целью определения конструктивно-технологических параметров, связанных с коэффициентом B в эмпирической формуле (1) и влияющие на результат прогнозирования срока службы. Таким образом, определение конструктивнотехнологических параметров, связанных с коэффициентом B, а также определение их влияния на его значение, играет важную роль в прогнозировании надежности. 3. описание экспериментов В

  4. In-text reference with the coordinate start=3947
    Prefix
    В работе [3] доказано, что из-за различия механизмов обрыва Si-H связей критическая энергия φit, которой электрон должен обладать для того, чтобы создать поверхностную ловушку, не является постоянной. На рисунке 1 (работа
    Exact
    [1]
    Suffix
    ) показаны зависимости для прогнозирования срока службы с различной энергией процесса деградации и, как следствие, с различным значением наклона υ. Первая прямая получена как зависимость tLId от Isab/Id.

  5. In-text reference with the coordinate start=5281
    Prefix
    Таблица 2 Технология Lm, мкм W, мкм Tox, нм Угол имплантации LDD Угол имплантации LATID Lspacer, мкм Рис.1. Зависимости для прогнозирования срока службы при различной энергии процесса деградации В работе
    Exact
    [1]
    Suffix
    было показано, что генерация поверхностных ловушек (поверхностных состояний) является доминирующей причиной деградации МОПТ приборов вследствие воздействия горячих носителей, а ток подложки Isub, является наиболее простым и качественным индикатором процессов горячих носителей в МОПТ структурах.

2
Chenming Hu, Senior member, IEEE, Simon C. Tam, member, IEEE, Fu-Chien Hsu, member, IEEE, Ping-Keung Ko, member, IEEE, Tung-Yi Chan, Anid Kyle, W. Terril. Hot-Electron-Induced IMOSFET Degradation — Model, Monitor, and Improvement. IEEE Journal of Solid-state circuits, vol. SC-20, No. 1, February1985.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=2116
    Prefix
    В первом случае поверхностные ловушки образуются в результате вторичной ударной ионизации. Во втором случае рекомбинация электронов с дырками приводит к высвобождению энергии, достаточной для разрыва связи Si-H и образования ловушки. В работе
    Exact
    [2]
    Suffix
    автор предлагает общую модель для эффектов горячих носителей и полагает υ = φit/φi, где φi — минимальная энергия в электрон-вольтах, которую горячие электроны должны приобрести для создания ударной ионизации, а φit — 47 критическая энергия, которой электрон должен обладать различных литературных источников [1, 4, 5, 6, 7], с целью определения конструктивно-технологических параметров, связанн

  2. In-text reference with the coordinate start=3587
    Prefix
    Таблица 1 Структура Tox (нм) ND+ (см-2) ND- (см-2) Lspacer (мкм) Leff (мкм) для того, чтобы создать поверхностную ловушку. Таким образом, коэффициент υ не просто показывает наклон прямых, но и позволяет определить отношение энергий процесса деградации. В работе
    Exact
    [2]
    Suffix
    было установлено, что φi приблизительно равно 1,3 эВ, а φit, в различных литературных источниках лежит в диапазоне от 3,5 до 4 эВ. В работе [3] доказано, что из-за различия механизмов обрыва Si-H связей критическая энергия φit, которой электрон должен обладать для того, чтобы создать поверхностную ловушку, не является постоянной.

3
Tibor Grasser. Hot Carrier Degradation in Semiconductor Devices, Springer International Publishing Switzerland 2015.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=3732
    Prefix
    Таким образом, коэффициент υ не просто показывает наклон прямых, но и позволяет определить отношение энергий процесса деградации. В работе [2] было установлено, что φi приблизительно равно 1,3 эВ, а φit, в различных литературных источниках лежит в диапазоне от 3,5 до 4 эВ. В работе
    Exact
    [3]
    Suffix
    доказано, что из-за различия механизмов обрыва Si-H связей критическая энергия φit, которой электрон должен обладать для того, чтобы создать поверхностную ловушку, не является постоянной. На рисунке 1 (работа [1]) показаны зависимости для прогнозирования срока службы с различной энергией процесса деградации и, как следствие, с различным значением наклона υ.

4
Weber W., Werner C. and Schwerin A. Lifetime and substrate currents in static and dynamic hot carrier degradation. IEDM 86, p. 15.4, IEEE 1986.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=2573
    Prefix
    В работе [2] автор предлагает общую модель для эффектов горячих носителей и полагает υ = φit/φi, где φi — минимальная энергия в электрон-вольтах, которую горячие электроны должны приобрести для создания ударной ионизации, а φit — 47 критическая энергия, которой электрон должен обладать различных литературных источников
    Exact
    [1, 4, 5, 6, 7]
    Suffix
    , с целью определения конструктивно-технологических параметров, связанных с коэффициентом B в эмпирической формуле (1) и влияющие на результат прогнозирования срока службы. Таким образом, определение конструктивнотехнологических параметров, связанных с коэффициентом B, а также определение их влияния на его значение, играет важную роль в прогнозировании надежности. 3. описание экспериментов В

  2. In-text reference with the coordinate start=6075
    Prefix
    Isub, позиционируется во многих литературных источниках как наиболее простой и эффективный метод. 2. постановка задачи В данной статье были проанализированы графики зависимости срока службы tL от тока подложки Isub, взятые из 0,35 КМОП 0,4-1408 7o 42o0,12 4. обсуждение результатов На рисунке 2 представлен график зависимости срока службы tL от тока подложки Isub для трех вариантов образцов
    Exact
    [4]
    Suffix
    . В таблице 3 представлены значения ко48 эффициентов B, полученные из зависимостей функций срока службы в 6 раз. Таким образом, в данном случае результат прогноза надежности для образцов, имеющих незначительное отличие в толщине подзатворного окисла, будет иметь большой разброс.

5
James E. Chung, Min-Chie Jeng, James E. Moon, Ping-Keung Ko, Chenming Hu. Low-Voltage HotElectron Currents and Degradation in Deep-Submicrometer MOSFET’s. IEEE Transactions on electron devices, vol. 37. No 7, p. 1651, July 1990.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=2573
    Prefix
    В работе [2] автор предлагает общую модель для эффектов горячих носителей и полагает υ = φit/φi, где φi — минимальная энергия в электрон-вольтах, которую горячие электроны должны приобрести для создания ударной ионизации, а φit — 47 критическая энергия, которой электрон должен обладать различных литературных источников
    Exact
    [1, 4, 5, 6, 7]
    Suffix
    , с целью определения конструктивно-технологических параметров, связанных с коэффициентом B в эмпирической формуле (1) и влияющие на результат прогнозирования срока службы. Таким образом, определение конструктивнотехнологических параметров, связанных с коэффициентом B, а также определение их влияния на его значение, играет важную роль в прогнозировании надежности. 3. описание экспериментов В

  2. In-text reference with the coordinate start=6707
    Prefix
    На следующем рисунке (рисунок 3) приводятся экспериментальные данные ускоренных испытаний по установлению времени сохранения работоспособности tL в зависимости от Isub/Weff для образцов с различной длиной канала
    Exact
    [5]
    Suffix
    . Далее в таблице 4 представлены значения коэффициентов B, полученные из зависимостей функций срока службы tL от тока подложки Isub/Weff, отраженных на рисунке 3. срока службы tL от тока подложки Isub, отраженных на рисунке 1.

6
Hazama H., Iwase M., Takagi S. Hot carrier reliability in deep sub-micrometer MOSFET’s. IEDM 90, p. 24.5.1, IEEE 1990.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=2573
    Prefix
    В работе [2] автор предлагает общую модель для эффектов горячих носителей и полагает υ = φit/φi, где φi — минимальная энергия в электрон-вольтах, которую горячие электроны должны приобрести для создания ударной ионизации, а φit — 47 критическая энергия, которой электрон должен обладать различных литературных источников
    Exact
    [1, 4, 5, 6, 7]
    Suffix
    , с целью определения конструктивно-технологических параметров, связанных с коэффициентом B в эмпирической формуле (1) и влияющие на результат прогнозирования срока службы. Таким образом, определение конструктивнотехнологических параметров, связанных с коэффициентом B, а также определение их влияния на его значение, играет важную роль в прогнозировании надежности. 3. описание экспериментов В

  2. In-text reference with the coordinate start=10023
    Prefix
    В данном опыте (рисунок 6) были взяты 6 образцов с различной длинной канала (три для LDD области с углом имплантации 7° и три для LATID с углом имплантации 42°) [7]. Рис. 4. Зависимость коэффициента B от длины канала Leff опытах данная зависимость может не прослеживаться. В работе
    Exact
    [6]
    Suffix
    показано, что при изменении критерия потери работоспособности зависимость коэффициента B от длины канала исчезает (рисунок 5) и все экспериментальные данные ложатся на одну прямую. Рис. 6. Зависимость срока службы tL от тока подложки Isub для технологий LDD и LATID с различной длинной канала Lm 0,4 – 1 мкм В таблице 5 представлены значения коэффициентов B, полученные из зависимостей функци

7
Rafi J.M., Campabadal F. Hot-carrier degradation in deep-submicrometer nMOSFET’s: lightly doped drain vs. large angle tilt implanted drain. Solid-State Electronics 45 (2001), p. 1391-1401. 51
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=2573
    Prefix
    В работе [2] автор предлагает общую модель для эффектов горячих носителей и полагает υ = φit/φi, где φi — минимальная энергия в электрон-вольтах, которую горячие электроны должны приобрести для создания ударной ионизации, а φit — 47 критическая энергия, которой электрон должен обладать различных литературных источников
    Exact
    [1, 4, 5, 6, 7]
    Suffix
    , с целью определения конструктивно-технологических параметров, связанных с коэффициентом B в эмпирической формуле (1) и влияющие на результат прогнозирования срока службы. Таким образом, определение конструктивнотехнологических параметров, связанных с коэффициентом B, а также определение их влияния на его значение, играет важную роль в прогнозировании надежности. 3. описание экспериментов В

  2. In-text reference with the coordinate start=9901
    Prefix
    Следует отметить, что такая экспоненциальная зависимость коэффициента B от длины канала наблюдается конкретно в данном опыте, тогда как в других похожих 49 создании слаболегированных областей стока (LDD и LATID). В данном опыте (рисунок 6) были взяты 6 образцов с различной длинной канала (три для LDD области с углом имплантации 7° и три для LATID с углом имплантации 42°)
    Exact
    [7]
    Suffix
    . Рис. 4. Зависимость коэффициента B от длины канала Leff опытах данная зависимость может не прослеживаться. В работе [6] показано, что при изменении критерия потери работоспособности зависимость коэффициента B от длины канала исчезает (рисунок 5) и все экспериментальные данные ложатся на одну прямую.