The 12 reference contexts in paper A. Volkov N., А. Волков Н. (2016) “АНАЛИЗ ПРОГНОЗИРОВАНИЯ НАДЕЖНОСТИ ДЛИННО-КАНАЛЬНЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ПРИМЕНЕНИЕМ СТЕПЕННОЙ ЗАВИСИМОСТИ СРОКА СЛУЖБЫ TL ОТ ТОКА ПОДЛОЖКИ ISUB // ANALYSIS OF PREDICTION OF RELIABILITY OF LONG-CHANNEL FIELD-EFFECT TRANSISTORS WITH APPLICATION OF POWER-LAW DEPENDENCE OF LIFETIME TL ON SUBSTRATE CURRENT ISUB” / spz:neicon:sustain:y:2015:i:4:p:47-56

  1. Start
    1230
    Prefix
    Данный метод основан на проведении ускоренных испытаний по определению работоспособности интегральных схем с выбором критерия отказа и характерных зависимостей срока службы от тока подложки. В работе
    Exact
    [1]
    Suffix
    автор приводит зависимости статистического подхода к прогнозу срока службы методом ускоренных испытаний. Срок службы или время жизни можно определить по эмпирической формуле: tL = B×(Isub/W)–v, (1) где B — коэффициент, который определяется многими конструктивно-технологическими параметрами; υ — параметр, определяющий наклон прямой графика, который строится по результатам ускоренных испытаний
    (check this in PDF content)

  2. Start
    1638
    Prefix
    Срок службы или время жизни можно определить по эмпирической формуле: tL = B×(Isub/W)–v, (1) где B — коэффициент, который определяется многими конструктивно-технологическими параметрами; υ — параметр, определяющий наклон прямой графика, который строится по результатам ускоренных испытаний. В работе
    Exact
    [1]
    Suffix
    было показано, что процесс генерации ловушек в МОПТ структурах может происходить при помощи двух механизмов: 1) взаимодействие горячих электронов и горячих дырок с границей раздела Si-SiO2; 2) обрыв связей Si-H в подзатворном окисле.
    (check this in PDF content)

  3. Start
    2120
    Prefix
    В первом случае поверхностные ловушки образуются в результате вторичной ударной ионизации. Во втором случае рекомбинация электронов с дырками приводит к высвобождению энергии, достаточной для разрыва связи Si-H и образования ловушки. В работе
    Exact
    [2]
    Suffix
    автор предлагает общую модель для эффектов горячих носителей и полагает υ = φit/φi, где φi — минимальная энергия в электрон-вольтах, которую горячие электроны должны приобрести для создания ударной ионизации, а φit — 48 критическая энергия, которой электрон должен обладать для того, чтобы создать поверхностную ловушку.
    (check this in PDF content)

  4. Start
    2729
    Prefix
    υ = φit/φi, где φi — минимальная энергия в электрон-вольтах, которую горячие электроны должны приобрести для создания ударной ионизации, а φit — 48 критическая энергия, которой электрон должен обладать для того, чтобы создать поверхностную ловушку. Таким образом, коэффициент υ не просто показывает наклон прямых, но и позволяет определить отношение энергий процесса деградации. В работе
    Exact
    [2]
    Suffix
    было установлено, что φi приблизительно равно 1,3 эВ, а φit, в различных литературных источниках лежит в диапазоне от 3,5 до 4 эВ. В работе [3] доказано, что из-за различия механизмов обрыва Si-H связей критическая энергия φit, которой электрон должен обладать для того, чтобы создать поверхностную ловушку, не является постоянной.
    (check this in PDF content)

  5. Start
    2874
    Prefix
    Таким образом, коэффициент υ не просто показывает наклон прямых, но и позволяет определить отношение энергий процесса деградации. В работе [2] было установлено, что φi приблизительно равно 1,3 эВ, а φit, в различных литературных источниках лежит в диапазоне от 3,5 до 4 эВ. В работе
    Exact
    [3]
    Suffix
    доказано, что из-за различия механизмов обрыва Si-H связей критическая энергия φit, которой электрон должен обладать для того, чтобы создать поверхностную ловушку, не является постоянной. На рисунке 1 (работа [1]) показаны зависимости для прогнозирования срока службы с различной энергией процесса деградации и, как следствие, с различным значением наклона υ.
    (check this in PDF content)

  6. Start
    3089
    Prefix
    В работе [3] доказано, что из-за различия механизмов обрыва Si-H связей критическая энергия φit, которой электрон должен обладать для того, чтобы создать поверхностную ловушку, не является постоянной. На рисунке 1 (работа
    Exact
    [1]
    Suffix
    ) показаны зависимости для прогнозирования срока службы с различной энергией процесса деградации и, как следствие, с различным значением наклона υ. Первая прямая получена как зависимость tLId от Isab/Id.
    (check this in PDF content)

  7. Start
    3685
    Prefix
    Вторая прямая (tLId от Isab/W) отражает процесс обрыва связей Si-H и, как следствие, образование поверхностных ловушек. Рис.1. Зависимости для прогнозирования срока службы при различной энергии процесса деградации В работе
    Exact
    [1]
    Suffix
    было показано, что генерация поверхностных ловушек (поверхностных состояний) является доминирующей причиной деградации МОПТ приборов вследствие воздействия горячих носителей, а ток подложки Isub, является наиболее простым и качественным индикатором процессов горячих носителей в МОПТ структурах.
    (check this in PDF content)

  8. Start
    4367
    Prefix
    Таким образом, прогнозирование надежности методом аппроксимации степенной зависимости срока службы tL от тока подложки Isub, позиционируется во многих литературных источниках как наиболее простой и эффективный метод. 2. постановка задачи В данной статье были проанализированы графики зависимости срока службы tL от тока подложки Isub, взятые из различных литературных источников
    Exact
    [1, 4, 5, 6, 7]
    Suffix
    , с целью определения конструктивно-технологических параметров, связанных с коэффициентом B в эмпирической формуле (1) и влияющие на результат прогнозирования срока службы. Таким образом, определение конструктивнотехнологических параметров, связанных с коэффициентом B, а также определение их влияния на его значение, играет важную роль в прогнозировании надежности. 3. описание экспериментов В
    (check this in PDF content)

  9. Start
    6079
    Prefix
    Таблица 2 Технология Lm, мкм W, мкм Tox, нм Угол имплантации LDD Угол имплантации LATID Lspacer, мкм 0,35 КМОП 0,4-1408 7o 42o0,12 4. обсуждение результатов На рисунке 2 представлен график зависимости срока службы tL от тока подложки Isub для трех вариантов образцов
    Exact
    [4]
    Suffix
    . В таблице 3 представлены значения ко49 эффициентов B, полученные из зависимостей функций срока службы tL от тока подложки Isub, отраженных на рисунке 1. Рис. 2. График зависимости срока службы tL от тока подложки Isub Таблица 3 B1 LDD образцы, Tox = 17 нм 2,1259159∙10-11 B2 Образцы без LDD, Tox = 40 нм 2,9791178∙10-11 B3 LDD образцы, Tox = 20 нм 13, 419189∙10-11 Из таблицы 3 видно, что н
    (check this in PDF content)

  10. Start
    8311
    Prefix
    На следующем рисунке (рисунок 3) приводятся экспериментальные данные ускоренных испытаний по установлению времени сохранения работоспособности tL в зависимости от Isub/Weff для образцов с различной длиной канала
    Exact
    [5]
    Suffix
    . Далее в таблице 4 представлены значения коэффициентов B, полученные из зависимостей функций срока службы tL от тока подложки Isub/Weff, отраженных на рисунке 3. Рис. 3. Зависимость срока службы tL от Isub/Weff при различной длине канала Leff Таблица 4 B1, Leff = 0,3 мкм1,4262858∙106 B2, Leff = 0,5 мкм1,738279∙106 B3, Leff = 0,8 мкм2,3508034∙106 B4, Leff = 1,5 мкм2,4145492∙106 Из таблицы 4 вид
    (check this in PDF content)

  11. Start
    9745
    Prefix
    Следует отметить, что такая экспоненциальная зависимость коэффициента B от длины канала наблюдается конкретно в данном опыте, тогда как в других похожих 50 опытах данная зависимость может не прослеживаться. В работе
    Exact
    [6]
    Suffix
    показано, что при изменении критерия потери работоспособности зависимость коэффициента B от длины канала исчезает (рисунок 5) и все экспериментальные данные ложатся на одну прямую. Рис. 5. Зависимость приведенного срока службы t∙Id от приведенного тока подложки Isub/Id a) критерий потери работоспособности ДId/Id0 = 5%; b) критерий потери работоспособности ДIcp = 30 Па Следовательно, можно сд
    (check this in PDF content)

  12. Start
    11185
    Prefix
    Как видно из таблицы 2, образцы, использованные в этом опыте, отличаются лишь углом имплантации при создании слаболегированных областей стока (LDD и LATID). В данном опыте (рисунок 6) были взяты 6 образцов с различной длинной канала (три для LDD области с углом имплантации 7° и три для LATID с углом имплантации 42°)
    Exact
    [7]
    Suffix
    . Рис. 6. Зависимость срока службы tL от тока подложки Isub для технологий LDD и LATID с различной длинной канала Lm 0,4 – 1 мкм В таблице 5 представлены значения коэффициентов B, полученные из зависимостей функций срока службы tL от тока подложки Isub, отраженных на рисунке 6.
    (check this in PDF content)