The 1 reference without contexts in paper A. Borzdov V., V. Borzdov M., N. Dorozhkin N., А. Борздов В., В. Борздов М., Н. Дорожкин Н. (2016) “ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ГЛУБОКОСУБМИКРОННОГО МОП-ТРАНЗИСТОРА СО СТРУКТУРОЙ «КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ» // NUMERICAL SIMULATION OF ELECTRIC CHARACTERISTICS OF DEEP SUBMICRON SILICON-ON-INSULATOR MOS TRANSISTOR” / spz:neicon:pimi:y:2016:i:2:p:161-168

26
Fischetti M.V., Laux S.E., Crabbe E. Understanding hot-electron transport in semiconductor devices. Journal of Applied Physics, 1995, vol. 78, no. 2, pp. 1058–1087.
(check this in PDF content)