The 5 linked references in paper V. Solodukha A., G. Chigir G., V. Pilipenko A., V. Filipenya A., V. Gorushko A., В. Солодуха А., В. Пилипенко А., Г. Чигирь Г., В. Филипеня А., В. Горушко А. (2018) “Экспрессный контроль надежности подзатворного диэлектрика полупроводниковых приборов // Reliability Express Control of the Gate Dielectric of Semiconductor Devices” / spz:neicon:pimi:y:2018:i:4:p:308-313

  1. Aleksandrov, O.V., Dus', A.I. A Model of Formation of Fixed Charge in Thermal Silicon Dioxide / O.V. Aleksandrov, A.I. Dus' // Semiconductors. – 2011. – Vol. 45, No. 4. – P. 467–473. DOI: 10.1134/S1063782611040026
  2. Харченко, В.А. Проблемы надежности электронных компонент / В.А. Харченко // Известия вузов. Материалы электронной техники. – 2015. – Т. 18, No 1. – С. 52–57. DOI: 10.17073/1609-3577-2015-1-52-57 (the paper at Socionet)
  3. Никифоров, А.Ю. Радиационная стойкость электронной компонентной базы систем специальной техники и связи / А.Ю. Никифоров, В.А. Телец // Спецтехника и связь. – 2011. – No 4. – С. 2–4.
  4. EIA/JEDEC Standart 35-A, Procedure for the Wafer-Level Testing of Thin Dielectriec. – JEDEC Solid State Technology Association, Arlington. – 2001. – P. 1–40.
  5. EIA/JEDEC Standart 122E, Failure Mechanisms and Models tor Semiconductor Devices. – JEDEC Solid State Technology Association, Arlington. – 2009. – P. 8–12.