The thirty-six linked references in paper N. Poklonski A., A. Kovalev I., N. Gorbachuk I., S. Shpakovski V., Н. Поклонский А., А. Ковалев И., Н. Горбачук И., С. Шпаковский В. (2018) “РАСЧЕТ СТАТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ КРЕМНИЕВОГО ДИОДА, СОДЕРЖАЩЕГО В СИММЕТРИЧНОМ p–n-ПЕРЕХОДЕ δ-СЛОЙ ТОЧЕЧНЫХ ТРЕХЗАРЯДНЫХ ДЕФЕКТОВ // CALCULATION OF STATIC PARAMETERS OF SILICON DIODE CONTAINING δ-LAYER OF TRIPLE-CHARGED POINT DEFECTS IN SYMMETRIC p–n-JUNCTION” / spz:neicon:pimi:y:2018:i:2:p:130-141

  1. El-Hajj, H. Characteristics of boron δ-doped diamond for electronic applications / H. El-Hajj [et al.] // Diamond Relat. Mater. – 2008. – V. 17, No 4–5. – pp. 409–414. doi: 10.1016/j.diamond.2007.12.030
  2. Poklonski, N.A. Impedance and barrier capacitance of silicon diodes implanted with high-energy Xe ions / N.A. Poklonski [et al.] // Microelectron. Reliab. – 2010. – Vol. 50, No 6. – pp. 813–820. doi: 10.1016/j.microrel.2010.02.007
  3. Li, J. 35% efficient nonconcentrating novel silicon solar cell / J. Li [et al.] // Appl. Phys. Lett. – 1992. – Vol. 60, No 18. – P. 2240–2242. doi: 10.1063/1.107042
  4. Summonte, C. Spectral behavior of solar cells based on the “junction near local defect layer” design / C. Summonte [et al.] // Appl. Phys. Lett. – 1993. – Vol. 63, No 6. – P. 785–787. doi: 10.1063/1.109907
  5. Поклонский, Н.А. Полупроводниковый диод с прыжковой миграцией электронов по точечным дефектам кристаллической матрицы / Н.А. Поклонский, А.И. Ковалев, С.А. Вырко, А.Т. Власов // Докл. Нац. акад. наук Беларуси. – 2017. – Т. 61, No 3. – С. 30–37.
  6. Siemieniec, R. Compensation and doping effects in heavily helium-radiated silicon for power device applications / R. Siemieniec [et al.] // Microelectron. J. – 2006. – Vol. 37, No 3. – P. 204–212. doi: 10.1016/j.mejo.2005.09.011
  7. Poklonski, N.A. Drift-diffusion model of hole migration in diamond crystals via states of valence and acceptor bands / N.A. Poklonski, S.A. Vyrko, A.I. Kovalev, A.N. Dzeraviaha // J. Phys. Commun. – 2018. – Vol. 2, No 1. – P. 015013 (14 p.). doi: 10.1088/2399-6528/aa8e26
  8. Мнацаканов, Т.Т. Универсальный метод аналитической аппроксимации подвижности основных носителей заряда в полупроводниках в широком диапазоне температур и уровней легирования / Т.Т. Мнацаканов, М.Е. Левинштейн, Л.И. Поморцева, С.Н. Юрков // ФТП. – 2004. – Т. 38, No 1. – С. 56–60. doi: 10.1134/1.1641133
  9. Воловичев, И.Н. Генерационно-рекомбинационные процессы в полупроводниках / И.Н. Воловичев, Ю.Г. Гуревич // ФТП. – 2001. – Т. 35, No 3. – С. 321–329. doi: 10.1134/1.1356153
  10. Поклонский, Н.А. Дрейф и диффузия электронов по двухуровневым (трехзарядным) точечным дефектам в кристаллических полупроводниках / Н.А. Поклонский, А.И. Ковалев, С.А. Вырко // Докл. Нац. акад. наук Беларуси. – 2014. – Т. 58, No 3. – С. 37–43.
  11. Bleichner, H. Temperature and injection dependence of the Shockley–Read–Hall lifetime in electron irradiated n-type silicon / H. Bleichner, P. Jonsson, N. Keskitalo, E. Nordlander // J. Appl. Phys. – 1996. – Vol. 79, No 12. – P. 9142–9148. doi: 10.1063/1.362585
  12. Schroder, D.K. Carrier lifetimes in silicon / D.K. Schroder // IEEE Trans. Electron Dev. – 1997. – Vol. 44, No 1. – P. 160–170. doi: 10.1109/16.554806
  13. Комаров, Б.А. Особенности отжига радиационных дефектов в кремниевых p–n-структурах: роль примесных атомов железа / Б.А. Комаров // ФТП. – 2004. – Т. 38, No 9. – С. 1079–1083. doi: 10.1134/1.1797482
  14. Абакумов, В.Н. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках / В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. – СПб. : ПИЯФ РАН, 1997. – 376 с. doi: 10.1016/B978-0-444-88854-9.50002-3
  15. Бургуэн, Ж. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты / Ж. Бургуэн, М. Ланно. – М. : Мир, 1985. – 304 с. doi: 10.1007/978-3-642-81832-5
  16. Шеховцов, Н.А. Дифференциальная емкость p+–p-перехода / Н.А. Шеховцов // ФТП. – 2012. – Т. 46, No 1. – С. 60–69. doi: 10.1134/S1063782612010174
  17. Мурыгин, В.И. Аномальные зависимости барьерной емкости диода от напряжения смещения и температуры / В.И. Мурыгин, А.У. Фаттахдинов, Д.А. Локтев, В.Б. Гундырев // ФТП. – 2007. – Т. 41, No 10. – С. 1207–1213. doi: 10.1134/S106378260
  18. Maes, W. Impact ionization in silicon: a review and update / W. Maes, K. De Meyer, R. Van Overstraeten // Solid-State Electron. – 1990. – Vol. 33, No 6. – P. 705–718. doi: 10.1016/0038-1101(90)90183-F
  19. Ng, K.K. Complete guide to semiconductor devices / K.K. Ng. – New York : Wiley, 2002. – xxiv+740 p. doi: 10.1002/9781118014769