The 10 references with contexts in paper V. Solodukha A., G. Chigir G., V. Pilipenko A., V. Filipenya A., V. Gorushko A., В. Солодуха А., В. Пилипенко А., Г. Чигирь Г., В. Филипеня А., В. Горушко А. (2018) “Экспрессный контроль надежности подзатворного диэлектрика полупроводниковых приборов // Reliability Express Control of the Gate Dielectric of Semiconductor Devices” / spz:neicon:pimi:y:2018:i:4:p:308-313

1
Боброва, Е.А. Особенности вольт-фарадных характеристик МОП структур, обусловленные зарядом в окисле / Е.А. Боброва, Н.М. Омельяновская // ФТП. – 2008. – Т. 42, вып. 11. – С. 1380–1383.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7262
    Prefix
    Введение Одним из важнейших параметров подзатворного диэлектрика, в особенности используемого в электронной элементной базе для аэрокосмической техники, является время его наработки на отказ. Благодаря методу контроля данного параметра, появляется реальная возможность проводить отбраковку полупроводниковых приборов на этапе их изготовления
    Exact
    [1–6]
    Suffix
    . В настоящее время для определения надежности подзатворного диэлектрика и времени наработки на отказ МДП-приборов используется метод, основанный на измерении величины заряда пробоя [7]. В процессе эксплуатации приборов к диэлектрику приложено электрическое напряжение и через него протекает ток, под действием которого происходит деградация его структуры, приводящая к пробою диэлектрика

2
Aleksandrov, O.V., Dus', A.I. A Model of Formation of Fixed Charge in Thermal Silicon Dioxide / O.V. Aleksandrov, A.I. Dus' // Semiconductors. – 2011. – Vol. 45, No. 4. – P. 467–473. DOI: 10.1134/S1063782611040026
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7262
    Prefix
    Введение Одним из важнейших параметров подзатворного диэлектрика, в особенности используемого в электронной элементной базе для аэрокосмической техники, является время его наработки на отказ. Благодаря методу контроля данного параметра, появляется реальная возможность проводить отбраковку полупроводниковых приборов на этапе их изготовления
    Exact
    [1–6]
    Suffix
    . В настоящее время для определения надежности подзатворного диэлектрика и времени наработки на отказ МДП-приборов используется метод, основанный на измерении величины заряда пробоя [7]. В процессе эксплуатации приборов к диэлектрику приложено электрическое напряжение и через него протекает ток, под действием которого происходит деградация его структуры, приводящая к пробою диэлектрика

3
Харченко, В.А. Проблемы надежности электронных компонент / В.А. Харченко // Известия вузов. Материалы электронной техники. – 2015. – Т. 18, No 1. – С. 52–57. DOI: 10.17073/1609-3577-2015-1-52-57
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7262
    Prefix
    Введение Одним из важнейших параметров подзатворного диэлектрика, в особенности используемого в электронной элементной базе для аэрокосмической техники, является время его наработки на отказ. Благодаря методу контроля данного параметра, появляется реальная возможность проводить отбраковку полупроводниковых приборов на этапе их изготовления
    Exact
    [1–6]
    Suffix
    . В настоящее время для определения надежности подзатворного диэлектрика и времени наработки на отказ МДП-приборов используется метод, основанный на измерении величины заряда пробоя [7]. В процессе эксплуатации приборов к диэлектрику приложено электрическое напряжение и через него протекает ток, под действием которого происходит деградация его структуры, приводящая к пробою диэлектрика

4
Данилин, Н. Проблемы применения перспективной электронной компонентной базы в космосе / Н. Данилин, С. Белослудцев // Современная электроника. – 2006. – No 4. – С. 16–17.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7262
    Prefix
    Введение Одним из важнейших параметров подзатворного диэлектрика, в особенности используемого в электронной элементной базе для аэрокосмической техники, является время его наработки на отказ. Благодаря методу контроля данного параметра, появляется реальная возможность проводить отбраковку полупроводниковых приборов на этапе их изготовления
    Exact
    [1–6]
    Suffix
    . В настоящее время для определения надежности подзатворного диэлектрика и времени наработки на отказ МДП-приборов используется метод, основанный на измерении величины заряда пробоя [7]. В процессе эксплуатации приборов к диэлектрику приложено электрическое напряжение и через него протекает ток, под действием которого происходит деградация его структуры, приводящая к пробою диэлектрика

5
Красников, Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов : в 2 ч. / Г.Я. Красников. – М. : Техносфера, 2002. – Ч. 1. – 416 с.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7262
    Prefix
    Введение Одним из важнейших параметров подзатворного диэлектрика, в особенности используемого в электронной элементной базе для аэрокосмической техники, является время его наработки на отказ. Благодаря методу контроля данного параметра, появляется реальная возможность проводить отбраковку полупроводниковых приборов на этапе их изготовления
    Exact
    [1–6]
    Suffix
    . В настоящее время для определения надежности подзатворного диэлектрика и времени наработки на отказ МДП-приборов используется метод, основанный на измерении величины заряда пробоя [7]. В процессе эксплуатации приборов к диэлектрику приложено электрическое напряжение и через него протекает ток, под действием которого происходит деградация его структуры, приводящая к пробою диэлектрика

6
Никифоров, А.Ю. Радиационная стойкость электронной компонентной базы систем специальной техники и связи / А.Ю. Никифоров, В.А. Телец // Спецтехника и связь. – 2011. – No 4. – С. 2–4.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7262
    Prefix
    Введение Одним из важнейших параметров подзатворного диэлектрика, в особенности используемого в электронной элементной базе для аэрокосмической техники, является время его наработки на отказ. Благодаря методу контроля данного параметра, появляется реальная возможность проводить отбраковку полупроводниковых приборов на этапе их изготовления
    Exact
    [1–6]
    Suffix
    . В настоящее время для определения надежности подзатворного диэлектрика и времени наработки на отказ МДП-приборов используется метод, основанный на измерении величины заряда пробоя [7]. В процессе эксплуатации приборов к диэлектрику приложено электрическое напряжение и через него протекает ток, под действием которого происходит деградация его структуры, приводящая к пробою диэлектрика

7
EIA/JEDEC Standart 35-A, Procedure for the Wafer-Level Testing of Thin Dielectriec. – JEDEC Solid State Technology Association, Arlington. – 2001. – P. 1–40.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7456
    Prefix
    Благодаря методу контроля данного параметра, появляется реальная возможность проводить отбраковку полупроводниковых приборов на этапе их изготовления [1–6]. В настоящее время для определения надежности подзатворного диэлектрика и времени наработки на отказ МДП-приборов используется метод, основанный на измерении величины заряда пробоя
    Exact
    [7]
    Suffix
    . В процессе эксплуатации приборов к диэлектрику приложено электрическое напряжение и через него протекает ток, под действием которого происходит деградация его структуры, приводящая к пробою диэлектрика.

8
EIA/JEDEC Standart 122E, Failure Mechanisms and Models tor Semiconductor Devices. – JEDEC Solid State Technology Association, Arlington. – 2009. – P. 8–12.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=8811
    Prefix
    Более эффективным методом определения времени наработки на отказ подзатворного диэлектрика МДП-микросхемы является метод, включающий испытание тестовой МДП-структуры путем приложения постоянного электрического напряжения к подзатворному диэлектрику до пробоя структуры и расчета времени наработки на отказ
    Exact
    [8]
    Suffix
    . Данный метод позволяет определять время наработки на отказ подзатворного диэлектрика МДП-микросхемы в широком диапазоне времени и таким образом оценивать реальную надежность полупроводниковых приборов.

9
Solodukha, V.A. Prefailure Life Time Simulation of the Submicron ICs’ Gate Dielectric as per the Breakdown Voltage Value at the Various Sweep Rates / V.A. Solodukha, S.V. Shvedov, A.N. Petlitsky, R.R. Chyhir // Proceedings 9th International Conference «New Electrical and Electronic Technologies and their Indastrial Implementation», Zakopane, Poland, June 23– 26. − 2015. − Р. 20.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=11781
    Prefix
    Экспрессный метод оценки времени наработки на отказ подзатворного диэлектрика Для решения данной задачи проводился расчет времени наработки на отказ подзатворного 308 диэлектрика, базирующийся на результатах испытаний тестовых МДП-структур путем подачи на затвор ступенчато-нарастающего напряжения до пробоя структуры при разных скоростях развертки
    Exact
    [9–10]
    Suffix
    . Такой подход основывается на экспоненциальной зависимости времени наработки на отказ от приложенного напряжения. В процессе эксплуатации полупроводниковый прибор работает при напряжении Uop и время наработки на отказ Terror-free в этом случае может быть рассчитано из соотношения: где А0, β – константы.

10
Белоус, А.И. Методы повышения надежности микросхем на основе тестовых структур / А.И. Белоус, А.С. Турцевич, Г.Г. Чигирь. − Германия, LAP LAMBERT Academic Publishing GmbH & Co. KG Heinrich-Böcking, 2012. − 240 с.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=11781
    Prefix
    Экспрессный метод оценки времени наработки на отказ подзатворного диэлектрика Для решения данной задачи проводился расчет времени наработки на отказ подзатворного 308 диэлектрика, базирующийся на результатах испытаний тестовых МДП-структур путем подачи на затвор ступенчато-нарастающего напряжения до пробоя структуры при разных скоростях развертки
    Exact
    [9–10]
    Suffix
    . Такой подход основывается на экспоненциальной зависимости времени наработки на отказ от приложенного напряжения. В процессе эксплуатации полупроводниковый прибор работает при напряжении Uop и время наработки на отказ Terror-free в этом случае может быть рассчитано из соотношения: где А0, β – константы.