The 8 references with contexts in paper S. Sianko F., V. Zelenin A., С. Сенько Ф., В. Зеленин А. (2018) “Измерение локальных остаточных напряжений в полупроводниковых кремниевых структурах // Control of local stress in semiconductor silicon structures” / spz:neicon:pimi:y:2018:i:3:p:254-262

1
Яцунский, И. Влияние окисления на дефектообразование в легированном кремнии : монография / И. Яцунский, О. Кулинич, В. Смынтына. − Lambert Academic Publishing, 2011. − 188 с.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=6573
    Prefix
    Введение В основе массового производства кремниевых интегральных схем (ИС) лежит планарная технология, основанная на многократном и последовательном формировании на кремниевой пластине различных функциональных слоев требуемой топологии. Система Si–SiO2 на всех этапах развития электроники всегда являлась объектом особого внимания исследователей
    Exact
    [1, 2]
    Suffix
    . Одной из причин этого является тот факт, что формирование пленок SiO2 проводится при температурах Т вплоть до 1200 °С, а их обработка, в частности, формирование топологического рисунка, при температурах, близких к комнатной.

  2. In-text reference with the coordinate start=9803
    Prefix
    Величину R можно также определить интерферометрическими методами при формировании колец Ньютона, либо лазерными – на основании измерения смещения Δx отраженного луча на экране при перемещении контролируемой пластины на расстояние х по формуле
    Exact
    [1]
    Suffix
    : где h – расстояние от пластины до экрана. 256 0, 1 llE l − σ=− ⋅ −μ (1) 0 arcsin , 360 π −= r D llR(2) 2 , 2 r R= δ (3) 2 , hx R x = ∆ (4) 257 Подавляющее большинство методов контроля остаточных напряжений в структурах пленка–подложка основаны на измерении их упругой деформации, в частности радиуса кривизны R структур с последующим расчетом напряжений с использованием формул

2
Зеленин, В.А. Новые методы и приборы контроля в технологии микроэлектроники / В.А. Зеленин, С.Ф. Сенько // Технологии Физтеха. Юбилейный сборник трудов : в 2 т. / коллектив авторов ; общ. ред. академик НАН Беларуси С.А. Астапчик. − Т. 1. − Минск : Экоперспектива, 2003. − С. 234−253.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=6573
    Prefix
    Введение В основе массового производства кремниевых интегральных схем (ИС) лежит планарная технология, основанная на многократном и последовательном формировании на кремниевой пластине различных функциональных слоев требуемой топологии. Система Si–SiO2 на всех этапах развития электроники всегда являлась объектом особого внимания исследователей
    Exact
    [1, 2]
    Suffix
    . Одной из причин этого является тот факт, что формирование пленок SiO2 проводится при температурах Т вплоть до 1200 °С, а их обработка, в частности, формирование топологического рисунка, при температурах, близких к комнатной.

  2. In-text reference with the coordinate start=20610
    Prefix
    Определение локальных напряжений в структурах Si–SiO2 базируется на методах, включающих селективное травление границы их раздела по краю вскрытых окон, определение относительного удлинения свободного края оксида по распределению интерференционных максимумов
    Exact
    [2]
    Suffix
    . Интерференционная картина в структуре Si–SiO2 и схема изгиба края диоксида кремния приведены на рисунке 3. Рисунок 3 – Интерференционная картина в зазоре Si–SiO2 (а) и схема изгиба края диоксида кремния (b): 1 – пленка диоксида кремния; 2 – отделенный от кремниевой подложки край диоксида кремния; 3 – окно в диоксиде кремния Figure 3 – Interference picture in Si–SiO2 gap

3
Сенько, С.Ф. Количественный контроль топографических дефектов полупроводниковых пластин кремния / С.Ф. Сенько, А.С. Сенько, В.А. Зеленин // Доклады БГУИР. – 2018. – No 5 (115). – С. 12–18.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=8362
    Prefix
    Превышение величины остаточных напряжений сверх некоторого критического уровня приводит к возникновению различного рода дефектов, например, микротрещин, дислокаций в материале подложки, закороток и обрывов металлизации, и т. д., что существенно ухудшает параметры изготавливаемых структур и снижает выход годных приборов
    Exact
    [3–8]
    Suffix
    . В связи с этим оценка величины локальных остаточных напряжений в элементах ИС и их распределения по площади полупроводниковой пластины является одной из актуальных задач современного приборостроения.

  2. In-text reference with the coordinate start=8948
    Prefix
    Цель настоящей работы заключалась в разработке методов контроля фактического распределения остаточных напряжений как по площади структуры, так и в отдельных ее элементах. Основы контроля остаточных напряжений в полупроводниковых структурах Расчет напряжений в однородном материале можно осуществить на основе измерения его относительной деформации по формуле
    Exact
    [3]
    Suffix
    : где l – размер контролируемого элемента до деформации; l0 – размер после деформации; E, μ – модуль Юнга и коэффициент Пуассона исследуемого материала. Наличие остаточных напряжений в полупроводниковой пластине приводит к ее изгибу.

4
Касимов, Ф.Д. Расчет упругих механических напряжений в неоднородных полупроводниковых структурах / Ф.Д. Касимов, А.Э. Лютфалибекова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2002. – No 2. – С. 13–14.
Total in-text references: 4
  1. In-text reference with the coordinate start=8362
    Prefix
    Превышение величины остаточных напряжений сверх некоторого критического уровня приводит к возникновению различного рода дефектов, например, микротрещин, дислокаций в материале подложки, закороток и обрывов металлизации, и т. д., что существенно ухудшает параметры изготавливаемых структур и снижает выход годных приборов
    Exact
    [3–8]
    Suffix
    . В связи с этим оценка величины локальных остаточных напряжений в элементах ИС и их распределения по площади полупроводниковой пластины является одной из актуальных задач современного приборостроения.

  2. In-text reference with the coordinate start=9489
    Prefix
    В случае равномерного изгиба пластины толщиной D величину деформации (l – l0) для ее поверхностных слоев можно рассчитать на основе измерения радиуса ее кривизны R: где r – радиус пластины. Для сферически изогнутых структур радиус кривизны R можно определить из соотношения
    Exact
    [4]
    Suffix
    : где r – радиус структуры; δ – стрела прогиба. Величину R можно также определить интерферометрическими методами при формировании колец Ньютона, либо лазерными – на основании измерения смещения Δx отраженного луча на экране при перемещении контролируемой пластины на расстояние х по формуле [1]: где h – расстояние от пластины до экрана. 256 0, 1 llE l − σ=− ⋅ −μ (1) 0 arcs

  3. In-text reference with the coordinate start=10355
    Prefix
    расстояние от пластины до экрана. 256 0, 1 llE l − σ=− ⋅ −μ (1) 0 arcsin , 360 π −= r D llR(2) 2 , 2 r R= δ (3) 2 , hx R x = ∆ (4) 257 Подавляющее большинство методов контроля остаточных напряжений в структурах пленка–подложка основаны на измерении их упругой деформации, в частности радиуса кривизны R структур с последующим расчетом напряжений с использованием формул Стоуни
    Exact
    [4–8]
    Suffix
    . В зависимости от способа определения R различают дисковый метод, метод изгиба стержня и др. Измерение напряжений в структуре круглая полупроводниковая подложка–пленка, как правило, проводят дисковым методом на основе определения изменения радиуса кривизны R структур вследствие изгиба, обусловленного осаждением или выращиванием пленки на одной стороне подложки-основы.

  4. In-text reference with the coordinate start=10829
    Prefix
    Измерение напряжений в структуре круглая полупроводниковая подложка–пленка, как правило, проводят дисковым методом на основе определения изменения радиуса кривизны R структур вследствие изгиба, обусловленного осаждением или выращиванием пленки на одной стороне подложки-основы. Остаточные напряжения σ в пленке в этом случае определяют по формуле
    Exact
    [4]
    Suffix
    : где Es, μs – модуль Юнга и коэффициент Пуассона материала подложки; Ds – толщина подложки; t – толщина пленки. Для учета первоначального прогиба структур измерения проводят до (R1) и после (R2) проведения технологической операции осаждения пленки в одних и тех же точках на пластине.

5
Айвазян, Г.Е. Об определении внутренних напряжений в системе пленка – подложка / Г.Е. Айвазян // Известия НАН РА и ГИУА. Сер. ТН. – 2000. – Т. LIII, No 1. – С. 63–67.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=8362
    Prefix
    Превышение величины остаточных напряжений сверх некоторого критического уровня приводит к возникновению различного рода дефектов, например, микротрещин, дислокаций в материале подложки, закороток и обрывов металлизации, и т. д., что существенно ухудшает параметры изготавливаемых структур и снижает выход годных приборов
    Exact
    [3–8]
    Suffix
    . В связи с этим оценка величины локальных остаточных напряжений в элементах ИС и их распределения по площади полупроводниковой пластины является одной из актуальных задач современного приборостроения.

  2. In-text reference with the coordinate start=10355
    Prefix
    расстояние от пластины до экрана. 256 0, 1 llE l − σ=− ⋅ −μ (1) 0 arcsin , 360 π −= r D llR(2) 2 , 2 r R= δ (3) 2 , hx R x = ∆ (4) 257 Подавляющее большинство методов контроля остаточных напряжений в структурах пленка–подложка основаны на измерении их упругой деформации, в частности радиуса кривизны R структур с последующим расчетом напряжений с использованием формул Стоуни
    Exact
    [4–8]
    Suffix
    . В зависимости от способа определения R различают дисковый метод, метод изгиба стержня и др. Измерение напряжений в структуре круглая полупроводниковая подложка–пленка, как правило, проводят дисковым методом на основе определения изменения радиуса кривизны R структур вследствие изгиба, обусловленного осаждением или выращиванием пленки на одной стороне подложки-основы.

6
Ayvazyan, G.E. Anisotropic Warpage of Wafers with Anodized Porous Silicon Layers / G.E. Ayvazyan // Phys. Stat. Sol. (a). – 1999. – Vol. 175. – P. 7–8.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=8362
    Prefix
    Превышение величины остаточных напряжений сверх некоторого критического уровня приводит к возникновению различного рода дефектов, например, микротрещин, дислокаций в материале подложки, закороток и обрывов металлизации, и т. д., что существенно ухудшает параметры изготавливаемых структур и снижает выход годных приборов
    Exact
    [3–8]
    Suffix
    . В связи с этим оценка величины локальных остаточных напряжений в элементах ИС и их распределения по площади полупроводниковой пластины является одной из актуальных задач современного приборостроения.

  2. In-text reference with the coordinate start=10355
    Prefix
    расстояние от пластины до экрана. 256 0, 1 llE l − σ=− ⋅ −μ (1) 0 arcsin , 360 π −= r D llR(2) 2 , 2 r R= δ (3) 2 , hx R x = ∆ (4) 257 Подавляющее большинство методов контроля остаточных напряжений в структурах пленка–подложка основаны на измерении их упругой деформации, в частности радиуса кривизны R структур с последующим расчетом напряжений с использованием формул Стоуни
    Exact
    [4–8]
    Suffix
    . В зависимости от способа определения R различают дисковый метод, метод изгиба стержня и др. Измерение напряжений в структуре круглая полупроводниковая подложка–пленка, как правило, проводят дисковым методом на основе определения изменения радиуса кривизны R структур вследствие изгиба, обусловленного осаждением или выращиванием пленки на одной стороне подложки-основы.

7
Ullman, J. Reduction of Intrinsic Stress in Cubic Boron Nitride Films / J. Ullman, A.J. Kellock, J.E. Baglin // Thin Solid Films. – 1999. – Vol. 341. – P. 238–245.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=8362
    Prefix
    Превышение величины остаточных напряжений сверх некоторого критического уровня приводит к возникновению различного рода дефектов, например, микротрещин, дислокаций в материале подложки, закороток и обрывов металлизации, и т. д., что существенно ухудшает параметры изготавливаемых структур и снижает выход годных приборов
    Exact
    [3–8]
    Suffix
    . В связи с этим оценка величины локальных остаточных напряжений в элементах ИС и их распределения по площади полупроводниковой пластины является одной из актуальных задач современного приборостроения.

  2. In-text reference with the coordinate start=10355
    Prefix
    расстояние от пластины до экрана. 256 0, 1 llE l − σ=− ⋅ −μ (1) 0 arcsin , 360 π −= r D llR(2) 2 , 2 r R= δ (3) 2 , hx R x = ∆ (4) 257 Подавляющее большинство методов контроля остаточных напряжений в структурах пленка–подложка основаны на измерении их упругой деформации, в частности радиуса кривизны R структур с последующим расчетом напряжений с использованием формул Стоуни
    Exact
    [4–8]
    Suffix
    . В зависимости от способа определения R различают дисковый метод, метод изгиба стержня и др. Измерение напряжений в структуре круглая полупроводниковая подложка–пленка, как правило, проводят дисковым методом на основе определения изменения радиуса кривизны R структур вследствие изгиба, обусловленного осаждением или выращиванием пленки на одной стороне подложки-основы.

8
Дюжев, Н.А. Методика измерения механических напряжений в тонких пленках на пластине с помощью оптического профилометра / Н.А. Дюжев, А.А. Дедкова, Е.Э. Гусев, А.В. Новак // Известия вузов. Электроника. – 2016. – No 4. – С. 367–372.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=8362
    Prefix
    Превышение величины остаточных напряжений сверх некоторого критического уровня приводит к возникновению различного рода дефектов, например, микротрещин, дислокаций в материале подложки, закороток и обрывов металлизации, и т. д., что существенно ухудшает параметры изготавливаемых структур и снижает выход годных приборов
    Exact
    [3–8]
    Suffix
    . В связи с этим оценка величины локальных остаточных напряжений в элементах ИС и их распределения по площади полупроводниковой пластины является одной из актуальных задач современного приборостроения.

  2. In-text reference with the coordinate start=10355
    Prefix
    расстояние от пластины до экрана. 256 0, 1 llE l − σ=− ⋅ −μ (1) 0 arcsin , 360 π −= r D llR(2) 2 , 2 r R= δ (3) 2 , hx R x = ∆ (4) 257 Подавляющее большинство методов контроля остаточных напряжений в структурах пленка–подложка основаны на измерении их упругой деформации, в частности радиуса кривизны R структур с последующим расчетом напряжений с использованием формул Стоуни
    Exact
    [4–8]
    Suffix
    . В зависимости от способа определения R различают дисковый метод, метод изгиба стержня и др. Измерение напряжений в структуре круглая полупроводниковая подложка–пленка, как правило, проводят дисковым методом на основе определения изменения радиуса кривизны R структур вследствие изгиба, обусловленного осаждением или выращиванием пленки на одной стороне подложки-основы.