The 12 references with contexts in paper A. Burmakou P., V. Kuleshov N., A. Stoliarov V., А. Бурмаков П., В. Кулешов Н., А. Столяров В. (2018) “СИСТЕМА СТАБИЛИЗАЦИИ ПРОЦЕССА РЕАКТИВНОГО МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ // SYSTEM OF STABILIZATION OF REACTIVE MAGNETRON SPUTTERING PROCESS” / spz:neicon:pimi:y:2018:i:2:p:114-120

1
Berg, S. Fundamental understanding and modeling of reactive sputtering processes / S. Berg, T. Nyberg // Thin Solid Films. – 2005. – Vol. 476, no. 2. – P. 215–230.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7883
    Prefix
    В процессах нанесения пленок химических соединений основной проблемой магнетронных технологий является недостаточная воспроизводимость состава покрытий, обусловленная неустойчивостью параметров магнетронного разряда при наличии реактивного газа
    Exact
    [1–3]
    Suffix
    . Для стабилизации процесса нанесения необходимо обеспечить обратную связь между параметрами магнетронного разряда и расходом инертного и реактивного газов [4] путем автоматического управления расходом газов в реальном времени, используя характеристики разряда.

2
Берлин, Е.В. Ионно-плазменные процессы в тонкопленочной технологии / Е.В. Берлин, Л.А. Сейдман.– Москва: Техносфера, 2010. – 528 с.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7883
    Prefix
    В процессах нанесения пленок химических соединений основной проблемой магнетронных технологий является недостаточная воспроизводимость состава покрытий, обусловленная неустойчивостью параметров магнетронного разряда при наличии реактивного газа
    Exact
    [1–3]
    Suffix
    . Для стабилизации процесса нанесения необходимо обеспечить обратную связь между параметрами магнетронного разряда и расходом инертного и реактивного газов [4] путем автоматического управления расходом газов в реальном времени, используя характеристики разряда.

3
Brudnik, A. Plasma-emission-controlled magnetron sputtering of TiO2 x thin films / A. Brudnik, Н. Czternastek, K. Zakrzewska // Thin Solid Films. – 1991. – Vol. 199, no. 1. – P. 45–58. doi: 10.1016/0040-6090(91)90051-X
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7883
    Prefix
    В процессах нанесения пленок химических соединений основной проблемой магнетронных технологий является недостаточная воспроизводимость состава покрытий, обусловленная неустойчивостью параметров магнетронного разряда при наличии реактивного газа
    Exact
    [1–3]
    Suffix
    . Для стабилизации процесса нанесения необходимо обеспечить обратную связь между параметрами магнетронного разряда и расходом инертного и реактивного газов [4] путем автоматического управления расходом газов в реальном времени, используя характеристики разряда.

4
Sproul, W.D. Control of reactive sputtering processes / W.D. Sproul, D.J. Christie, D.C. Carter // Thin Solid Films. – 2005. – Vol. 491, no. 1/2. – P. 1–17. doi: 10.1016/j.tsf.2005.05.022
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=8061
    Prefix
    химических соединений основной проблемой магнетронных технологий является недостаточная воспроизводимость состава покрытий, обусловленная неустойчивостью параметров магнетронного разряда при наличии реактивного газа [1–3]. Для стабилизации процесса нанесения необходимо обеспечить обратную связь между параметрами магнетронного разряда и расходом инертного и реактивного газов
    Exact
    [4]
    Suffix
    путем автоматического управления расходом газов в реальном времени, используя характеристики разряда. Такое управление может базироваться на излучении разряда, регистрируемом методом оптической эмиссионной спектроскопии (оптическое управление), химическом составе плазмы разряда, регистрируемом методом масс-спектроскопии, или на электрических (ток, напряжение, мощность) параметрах разряда,

5
Регулятор расхода газа [Электронный ресурс] / ООО «ВТТ». – Режим доступа: https://vacuumtt.all. biz/regulyator-rashoda-gaza-g627980. – Дата доступа: 14 февраля 2018 г.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=8862
    Prefix
    Наиболее простым в реализации является управление по электрическим параметрам разряда, однако его применение ограничено в силу слабой или неоднозначной зависимости этих параметров от свойств плазмы магнетронного разряда. Известные системы стабилизации
    Exact
    [5–7]
    Suffix
    реализующие указанные подходы имеют ряд общих недостатков: – малое максимальное количество подключаемых датчиков и исполнительных устройств, что является недостаточным для сложных технологических установок с большим числом распылителей; – цепи входных и выходных сигналов указанных систем подключаются к единому модулю, что вызывает определённые трудности с установкой устройств в случа

6
Plasma monitor and process control systems [Electronic resource] / PLASUS Spectroscopic plasma monitor and process control systems. – Mode of access: http://www.plasus.de/index.php?page=system_ allgemein⟨=en. – Date of access: 14.02.2018.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=8862
    Prefix
    Наиболее простым в реализации является управление по электрическим параметрам разряда, однако его применение ограничено в силу слабой или неоднозначной зависимости этих параметров от свойств плазмы магнетронного разряда. Известные системы стабилизации
    Exact
    [5–7]
    Suffix
    реализующие указанные подходы имеют ряд общих недостатков: – малое максимальное количество подключаемых датчиков и исполнительных устройств, что является недостаточным для сложных технологических установок с большим числом распылителей; – цепи входных и выходных сигналов указанных систем подключаются к единому модулю, что вызывает определённые трудности с установкой устройств в случа

7
Speedflo [Electronic resource] / Gencoa. – Mode of access: http://www.gencoa.com/speedflo. – Date of access: 14.02.2018.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=8862
    Prefix
    Наиболее простым в реализации является управление по электрическим параметрам разряда, однако его применение ограничено в силу слабой или неоднозначной зависимости этих параметров от свойств плазмы магнетронного разряда. Известные системы стабилизации
    Exact
    [5–7]
    Suffix
    реализующие указанные подходы имеют ряд общих недостатков: – малое максимальное количество подключаемых датчиков и исполнительных устройств, что является недостаточным для сложных технологических установок с большим числом распылителей; – цепи входных и выходных сигналов указанных систем подключаются к единому модулю, что вызывает определённые трудности с установкой устройств в случа

8
Свадковский, И.В. Ионно-плазменные методы формирования тонкопленочных покрытий: Монография / И.В. Свадковский; под ред. А.П. Достанко. – Минск: Бестпринт, 2002. – 214 с. Приборы и методы измерений 2018. – Т. 9, No 2. – С. 114–120 Бурмаков А.П. и др.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=9847
    Prefix
    Осаждение пленочных покрытий сложного химического состава В технологиях реактивного магнетронного распыления подача реактивного газа в вакуумную камеру значительно усложняет физические процессы, сопровождающие распыление катода и формирование пленочного покрытия
    Exact
    [8, 9]
    Suffix
    . Магнетронный разряд становится неустойчивым, т. е. возможно самопроизвольное изменение параметров плазмы магнетронного разряда при сохранении на постоянном уровне характеристик процесса: мощности разряда, давления в вакуумной камере, расхода инертного и реактивного газов, скорости откачки газов из вакуумной камеры.

9
Достанко, А.П. Плазменные процессы в производстве изделий электронной техники: в 3-х т. / А.П Достанко; под ред. А.П. Достанко. – Минск : ФУАинформ, 2000. – 495 с.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=9847
    Prefix
    Осаждение пленочных покрытий сложного химического состава В технологиях реактивного магнетронного распыления подача реактивного газа в вакуумную камеру значительно усложняет физические процессы, сопровождающие распыление катода и формирование пленочного покрытия
    Exact
    [8, 9]
    Suffix
    . Магнетронный разряд становится неустойчивым, т. е. возможно самопроизвольное изменение параметров плазмы магнетронного разряда при сохранении на постоянном уровне характеристик процесса: мощности разряда, давления в вакуумной камере, расхода инертного и реактивного газов, скорости откачки газов из вакуумной камеры.

10
Бурмаков, А.П. Алгоритмы оптического управления реактивным магнетронным осаждением пленочных покрытий / А.П. Бурмаков, В.Н. Кулешов // Журнал прикладной спектроскопии. – 2012. – Т. 79, No 3. – С. 430–435. doi: 10.1007/s10812-012-9616-0
Total in-text references: 4
  1. In-text reference with the coordinate start=11840
    Prefix
    Общий подход к алгоритмам оптического управления процессами реактивного магнетронного распыления сводится к одновременной регистрации относительной интенсивности элементов эмиссионного спектра разряда (спектральных линий, молекулярных полос), которые однозначно характеризуют состав осаждаемого потока
    Exact
    [10]
    Suffix
    . Используя интенсивности этих элементов, необходимо вырабатывать сигналы в реальном времени, управляющие параметрами разряда. При этом управляющие сигналы должны обеспечивать вывод химического состава плазмы на требуемые величины и его поддержание с необходимой точностью.

  2. In-text reference with the coordinate start=12374
    Prefix
    Если расположить параметры разряда по степени их влияния на воспроизводимость свойств пленочного покрытия, то, в первую очередь, необходимо управлять расходом реактивного газа, затем мощностью разряда и далее давлением в вакуумной камере
    Exact
    [10]
    Suffix
    . Разработка системы стабилизации При разработке системы стабилизации, исходя из цели разработки, к ней предъявлялись следующие требования: – реализовать алгоритмы управления процессами реактивного магнетронного осаждения; – модульность системы для возможности адаптации её к различным технологическим установкам; – гибкая настройка системы для возможности реализации широкого круга технолог

  3. In-text reference with the coordinate start=17362
    Prefix
    Используемый протокол обмена между устройствами позволяет использовать до 127 датчиков и исполнительных устройств на шине CAN. Задачей микрокомпьютера является опрос сигналов с датчиков и управление исполнительными устройствами по алгоритмам, обеспечивающим воспроизводимость свойств покрытий
    Exact
    [10]
    Suffix
    . Микрокомпьютер предоставляет пользовательский интерфейс, а также интерфейс для удаленного управления. Разработано клиентское приложение пользовательского интерфейса, которое доступно из сети по адресу устройства.

  4. In-text reference with the coordinate start=18776
    Prefix
    ДА–Н1 – контур поддержания общего давления в камере путём управления расходом аргона по величине сигнала давления. 2. ДЦ–Н2 – контур, реализующий для процесса осаждения оксида титана одноканальный алгоритм управления
    Exact
    [10]
    Suffix
    расходом кислорода по интенсивности спектральных линий титана. Тестирование системы проводилось следующим образом: 1. В предварительно откачанную вакуумную камеру до давления порядка 10-3 Па производился напуск аргона, давление которого поддерживалось на постоянном уровне 0,5 Па с помощью контура управления ДА–Н1. 2.

11
Бурмаков, А.П. Монохроматизация излучения для спектрального контроля плазменных технологических процессов / А.П. Бурмаков, А.А. Лабуда, Н.Н. Никифоренко // Журнал прикладной спектроскопии. – 1998. – Т. 65, No 4. – С. 587–589. doi: 10.1007/BF02675656
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=14760
    Prefix
    – С. 114–120 Бурмаков А.П. и др. определяется алгоритмом управления конкретного процесса нанесения пленочного покрытия. ДЦ состоит из светофильтра, выделяющего необходимый спектральный элемент из излучения плазмы разряда
    Exact
    [11]
    Suffix
    , фотодиода и контроллера, обеспечивающего передачу величины сигнала интенсивности на шину CAN. Для регистрации интенсивности каждого спектрального элемента используется по одному ДЦ. Исполнительными устройствами системы являются натекатели газов, регулирующие расход каждого рабочего газа и формирующие требуемую смесь газов, а также клапана, коммутирующие газовую смесь на распылител

12
Компактный широкодиапазонный спектрометр Модель S100 [Электронный ресурс] / SOLAR Laser Systems. – Режим доступа: https://solarlaser.com/ ru/products/compact-spectrometers/compact-wide-rangespectrometer-model-s100/. – Дата доступа: 14.02.2018 г.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=19755
    Prefix
    Управление расходом кислорода производилось с помощью контура управления ДЦ–Н2, который обеспечивал вывод интенсивности спектральных линий титана на заданный уровень, соответствующий осаждению плёнки оксида титана стехиометрического состава. Для контроля за ходом процесса фиксировалась динамика изменения интенсивности спектральных линий магнетронного разряда с помощью спектрометра S100
    Exact
    [12]
    Suffix
    . На рисунке 2 изображена динамика интенсивности спектральных линий кислорода 777,3 нм и титана 519,3 нм, начиная с момента подачи кислорода в вакуумную камеру. Эти линии являются характерными для процесса нанесения оксида титана, так как их интенсивности пропорциональны концентрации атомов кислорода и титана в осаждаемом потоке, следовательно, в формируемой пленке.