The 16 references with contexts in paper S. Sianko F., V. Zelenin A., С. Сенько Ф., В. Зеленин А. (2018) “ОЦЕНКА РАЗМЕРОВ ТОПОГРАФИЧЕСКИХ ДЕФЕКТОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР // ESTIMATION OF TOPOGRAPHIC DEFECTS DIMENSIONS OF SEMICONDUCTOR SILICON STRUCTURES” / spz:neicon:pimi:y:2018:i:1:p:74-84

1
Моро, У. Микролитография. Принципы, методы, материалы / У. Моро ; пер. с англ. : в 2 ч. Ч. 2. – М. : Мир, 1990. – 608 с.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=8079
    Prefix
    Это означает, что допустимая неплоскостность составляет 2 мкм на 1 см длины. В противном случае часть элементов кристалла будет находиться вне фокуса и их размеры уже не будут соответствовать требуемым нормам
    Exact
    [1]
    Suffix
    . Нормативно-техническая документация на полупроводниковые пластины в качестве одного из основных требований выдвигает соответствие качества обработки поверхности 14 классу шероховатости [2, 3], что соответствует высоте неровностей профиля Rz менее 25 нм.

2
Pei, Z.J. A study of surface grinding of 300 mm silicon wafers / Z.J. Pei // International Journal of Mashine Tools & Manufacture. – 2002. – Vol. 42 (3) – P. 385–393.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=8271
    Prefix
    В противном случае часть элементов кристалла будет находиться вне фокуса и их размеры уже не будут соответствовать требуемым нормам [1]. Нормативно-техническая документация на полупроводниковые пластины в качестве одного из основных требований выдвигает соответствие качества обработки поверхности 14 классу шероховатости
    Exact
    [2, 3]
    Suffix
    , что соответствует высоте неровностей профиля Rz менее 25 нм. Однако фактические требования к качеству поверхности гораздо выше, т.к. современные полупроводниковые приборы базируются на технологии, использующей пленки толщиной 10 нм и менее.

3
Pei, Z.J. Fine grinding of silicon wafers / Z.J. Pei, A. Strasbaugh // International Journal of Mashine Tools & Manufacture. – 2001. – Vol. 41 (5). – P. 659–672.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=8271
    Prefix
    В противном случае часть элементов кристалла будет находиться вне фокуса и их размеры уже не будут соответствовать требуемым нормам [1]. Нормативно-техническая документация на полупроводниковые пластины в качестве одного из основных требований выдвигает соответствие качества обработки поверхности 14 классу шероховатости
    Exact
    [2, 3]
    Suffix
    , что соответствует высоте неровностей профиля Rz менее 25 нм. Однако фактические требования к качеству поверхности гораздо выше, т.к. современные полупроводниковые приборы базируются на технологии, использующей пленки толщиной 10 нм и менее.

4
Пасынков, В.В. Материалы электронной техники / В.В. Пасынков, В.С. Сорокин. – СПб. : Лань, 2003. – 368 c.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=8650
    Prefix
    Однако фактические требования к качеству поверхности гораздо выше, т.к. современные полупроводниковые приборы базируются на технологии, использующей пленки толщиной 10 нм и менее. Кроме того, многочисленные исследования качества поверхности пластин после полировки показали наличие разнообразных дефектов
    Exact
    [4–7]
    Suffix
    , связанных как непосредственно с полировкой, так и с предыдущими операциями, в частности выращиванием слитков, их резкой на пластины, травлением и т.д. Контроль поверхностей такого уровня качества достигается теневыми методами, которые позволяют выявлять дефекты размером порядка 1/100 длины волны, что для видимого света составляет величину порядка 7 нм.

  2. In-text reference with the coordinate start=14415
    Prefix
    Определим соотношение между расстояниями от источника света до контролируемой поверхности, от контролируемой поверхности до экрана и радиусами кривизны R элементов контролируемой поверхности. Воспользуемся формулой сферического зеркала
    Exact
    [4]
    Suffix
    : (2) где F – расстояние от контролируемой поверхности до точки фокусировки отраженного светового потока. Отсюда: (3) Для обеспечения однозначности результатов контроля различных неровностей одной и той же поверхности необходимо, чтобы изображения всех элементарных участков, составляющих контролируемую поверхность, формировались одинаковым образом.

5
Нанотехнологии в электронике / под ред. Ю.А.Чаплыгина. – М. : Техносфера, 2005. – 450 с.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=8650
    Prefix
    Однако фактические требования к качеству поверхности гораздо выше, т.к. современные полупроводниковые приборы базируются на технологии, использующей пленки толщиной 10 нм и менее. Кроме того, многочисленные исследования качества поверхности пластин после полировки показали наличие разнообразных дефектов
    Exact
    [4–7]
    Suffix
    , связанных как непосредственно с полировкой, так и с предыдущими операциями, в частности выращиванием слитков, их резкой на пластины, травлением и т.д. Контроль поверхностей такого уровня качества достигается теневыми методами, которые позволяют выявлять дефекты размером порядка 1/100 длины волны, что для видимого света составляет величину порядка 7 нм.

6
Sievert, W. New standards improve chemistry between device makers, suppliers / W. Sievert // Semiconductor magazine. – 2000. – Vol. 1. – Iss. 3. – P. 30–34.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=8650
    Prefix
    Однако фактические требования к качеству поверхности гораздо выше, т.к. современные полупроводниковые приборы базируются на технологии, использующей пленки толщиной 10 нм и менее. Кроме того, многочисленные исследования качества поверхности пластин после полировки показали наличие разнообразных дефектов
    Exact
    [4–7]
    Suffix
    , связанных как непосредственно с полировкой, так и с предыдущими операциями, в частности выращиванием слитков, их резкой на пластины, травлением и т.д. Контроль поверхностей такого уровня качества достигается теневыми методами, которые позволяют выявлять дефекты размером порядка 1/100 длины волны, что для видимого света составляет величину порядка 7 нм.

7
Бохан, Ю.И. Доминирующие факторы лазерного геттерирования кремниевых пластин / Ю.И. Бохан, В.С. Каменков, Н.К. Толочко // Физика и техника полупроводников. – 2015. – Т. 49, вып. 2. – С. 278–282.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=8650
    Prefix
    Однако фактические требования к качеству поверхности гораздо выше, т.к. современные полупроводниковые приборы базируются на технологии, использующей пленки толщиной 10 нм и менее. Кроме того, многочисленные исследования качества поверхности пластин после полировки показали наличие разнообразных дефектов
    Exact
    [4–7]
    Suffix
    , связанных как непосредственно с полировкой, так и с предыдущими операциями, в частности выращиванием слитков, их резкой на пластины, травлением и т.д. Контроль поверхностей такого уровня качества достигается теневыми методами, которые позволяют выявлять дефекты размером порядка 1/100 длины волны, что для видимого света составляет величину порядка 7 нм.

8
Сенько, С.Ф. Особенности формирования изображений дефектов при контроле поверхностей методом оптической топографии / С.Ф. Сенько // Микроэлектроника. – 2003. – Т. 32, No 6. – С. 375–385.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=9108
    Prefix
    Контроль поверхностей такого уровня качества достигается теневыми методами, которые позволяют выявлять дефекты размером порядка 1/100 длины волны, что для видимого света составляет величину порядка 7 нм. Среди них широкое распространение получил метод оптической топографии
    Exact
    [8–10]
    Suffix
    , называемый в зарубежной литературе методом Makyoh топографии [11, 12]. С помощью данного метода проведены обширные исследования топографических дефектов поверхности полупроводниковых пластин и их связи с другими видами дефектов [13–16].

9
Сенько, С.Ф. Цветовая диагностика топографических дефектов / С.Ф. Сенько, А.С. Сенько // Доклады БГУИР. – Апрель–июнь 2003. – Т. 1, No 2. – С. 103–106.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=9108
    Prefix
    Контроль поверхностей такого уровня качества достигается теневыми методами, которые позволяют выявлять дефекты размером порядка 1/100 длины волны, что для видимого света составляет величину порядка 7 нм. Среди них широкое распространение получил метод оптической топографии
    Exact
    [8–10]
    Suffix
    , называемый в зарубежной литературе методом Makyoh топографии [11, 12]. С помощью данного метода проведены обширные исследования топографических дефектов поверхности полупроводниковых пластин и их связи с другими видами дефектов [13–16].

10
Зеленин, В.А. Новые методы и приборы контроля в технологии микроэлектроники / В.А. Зеленин, С.Ф. Сенько // Технологии Физтеха. Юбилейный сборник трудов : в 2 т. Т. 1 / под общ. ред. академик НАН Беларуси С.А. Астапчик. – Минск : ЭКОПЕРСПЕКТИВА, 2003. – С. 234−253.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=9108
    Prefix
    Контроль поверхностей такого уровня качества достигается теневыми методами, которые позволяют выявлять дефекты размером порядка 1/100 длины волны, что для видимого света составляет величину порядка 7 нм. Среди них широкое распространение получил метод оптической топографии
    Exact
    [8–10]
    Suffix
    , называемый в зарубежной литературе методом Makyoh топографии [11, 12]. С помощью данного метода проведены обширные исследования топографических дефектов поверхности полупроводниковых пластин и их связи с другими видами дефектов [13–16].

11
Riesz, F. Geometrical optical model of the image formation in Makyoh (magic-mirror) topography / Ferenc Riesz // J. Phys. D: Appl. Phys. – 2000. – Vol. 33. – Р. 3033–3040.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=9182
    Prefix
    Контроль поверхностей такого уровня качества достигается теневыми методами, которые позволяют выявлять дефекты размером порядка 1/100 длины волны, что для видимого света составляет величину порядка 7 нм. Среди них широкое распространение получил метод оптической топографии [8–10], называемый в зарубежной литературе методом Makyoh топографии
    Exact
    [11, 12]
    Suffix
    . С помощью данного метода проведены обширные исследования топографических дефектов поверхности полупроводниковых пластин и их связи с другими видами дефектов [13–16]. Установлены виды дефектов и причины их возникновения, в частности ямок, бугорков, волнистости поверхности и др.

12
Riesz, F. Makyoh Topography for the Study of LargeArea Extended Defects in Semiconductors. / Ferenc Riesz // Phys. Stat. Sol. (a). – 1999. – Vol. 171, no. 1. – Р. 403–409.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=9182
    Prefix
    Контроль поверхностей такого уровня качества достигается теневыми методами, которые позволяют выявлять дефекты размером порядка 1/100 длины волны, что для видимого света составляет величину порядка 7 нм. Среди них широкое распространение получил метод оптической топографии [8–10], называемый в зарубежной литературе методом Makyoh топографии
    Exact
    [11, 12]
    Suffix
    . С помощью данного метода проведены обширные исследования топографических дефектов поверхности полупроводниковых пластин и их связи с другими видами дефектов [13–16]. Установлены виды дефектов и причины их возникновения, в частности ямок, бугорков, волнистости поверхности и др.

13
Riesz, F. Makyoh-topography study of the swirl defects in Si wafers / R. Ferenc, A.E. Pap, M. Ádám, I.E. Lukács // Thin Solid Films. – 2008. – Vol. 516, iss. 22. – Р. 8087–8091.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=9364
    Prefix
    Среди них широкое распространение получил метод оптической топографии [8–10], называемый в зарубежной литературе методом Makyoh топографии [11, 12]. С помощью данного метода проведены обширные исследования топографических дефектов поверхности полупроводниковых пластин и их связи с другими видами дефектов
    Exact
    [13–16]
    Suffix
    . Установлены виды дефектов и причины их возникновения, в частности ямок, бугорков, волнистости поверхности и др. Установлена их взаимосвязь с другими дефектами подложек, например свирл-дефектами, линиями скольжения.

14
Mock, P. How to avoid plastic deformation inGaAs wafers duaring molecular beam epitaxial growth / P. Mock, G.W. Smith // Cryst. Res. Technol. – 2000. – Vol. 35. – P. 541-548.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=9364
    Prefix
    Среди них широкое распространение получил метод оптической топографии [8–10], называемый в зарубежной литературе методом Makyoh топографии [11, 12]. С помощью данного метода проведены обширные исследования топографических дефектов поверхности полупроводниковых пластин и их связи с другими видами дефектов
    Exact
    [13–16]
    Suffix
    . Установлены виды дефектов и причины их возникновения, в частности ямок, бугорков, волнистости поверхности и др. Установлена их взаимосвязь с другими дефектами подложек, например свирл-дефектами, линиями скольжения.

15
Berry, M.V. Oriental magic mirrors and the Laplacian image / M.V. Berry // European Journal of Physics. – 2006. – Vol. 27. – P.109–118.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=9364
    Prefix
    Среди них широкое распространение получил метод оптической топографии [8–10], называемый в зарубежной литературе методом Makyoh топографии [11, 12]. С помощью данного метода проведены обширные исследования топографических дефектов поверхности полупроводниковых пластин и их связи с другими видами дефектов
    Exact
    [13–16]
    Suffix
    . Установлены виды дефектов и причины их возникновения, в частности ямок, бугорков, волнистости поверхности и др. Установлена их взаимосвязь с другими дефектами подложек, например свирл-дефектами, линиями скольжения.

16
Chidambaram, S. Fine grinding of silicon wafers: a mathematical model for the chuck shape / S. Chidambaram, Z.J. Pei, S. Kassir // International Journal of Mashine Tools & Manufacture. – 2003. – Vol. 43 (7). – P. 739–746.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=9364
    Prefix
    Среди них широкое распространение получил метод оптической топографии [8–10], называемый в зарубежной литературе методом Makyoh топографии [11, 12]. С помощью данного метода проведены обширные исследования топографических дефектов поверхности полупроводниковых пластин и их связи с другими видами дефектов
    Exact
    [13–16]
    Suffix
    . Установлены виды дефектов и причины их возникновения, в частности ямок, бугорков, волнистости поверхности и др. Установлена их взаимосвязь с другими дефектами подложек, например свирл-дефектами, линиями скольжения.