The 11 references with contexts in paper O. Reutskaya G., Y. Pleskachevsky M., О. Реутская Г., Ю. Плескачевский М. (2017) “ИЗМЕРЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ГАЗОВ CO И NO2 МУЛЬТИСЕНСОРНОЙ МИКРОСИСТЕМОЙ В РЕЖИМЕ ИМПУЛЬСНОГО НАГРЕВА // MEASUREMENT OF CO AND NO2 GAS CONCENTRATION'S BY MULTISENSOR MICROSYSTEM IN THE MODE OF PULSE HEATING” / spz:neicon:pimi:y:2017:i:2:p:160-167

1
Романова, И. Высокочувствительные датчики газа. Новинки от Figaro Engineering / И. Романова // Электроника. Наука. Технология. Бизнес. – 2011. – No 1. – С. 64–70.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=6923
    Prefix
    В основной номенклатуре полупроводниковых сенсоров выделяют сенсоры, которые работают в режимах постоянного и импульсного нагревов чувствительного элемента. Потребляемая мощность в режиме постоянного нагрева составляет от 250 до 600 Вт в среднем, а в режиме импульсного нагрева – не более 20 Вт
    Exact
    [1]
    Suffix
    . Принцип действия полупроводниковых сенсоров резистивного типа основан на изменении проводимости газочувствительного слоя при хемосорбции на его поверхности анализируемых газов [2]. В качестве чувствительных полупроводниковых слоев используют мелкодисперсные нанокристаллические оксиды металлов (SnO2, ZnO, In2O3 и др.) с легирующими добавками Pt, Pd [3–5].

  2. In-text reference with the coordinate start=7884
    Prefix
    Для того чтобы физико-химические процессы протекали на поверхности чувствительного слоя достаточно быстро, обеспечивая быстродействие на уровне нескольких секунд, сенсор периодически разогревается до температуры 450–500 °С
    Exact
    [1, 4]
    Suffix
    . В результате этого чувствительность сенсора восстанавливается до исходного состояния. Во время отжига происходит активное освобождение поверхностных слоев полупроводника от сорбированных «отравляющих» газовых компонент [6, 7].

2
Morrison, S.R. Selectivity in semiconductor gas sensors / S.R. Morrison // Sensor & Actuator. – 1997, No. 12. –Р.425–440.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7109
    Prefix
    Потребляемая мощность в режиме постоянного нагрева составляет от 250 до 600 Вт в среднем, а в режиме импульсного нагрева – не более 20 Вт [1]. Принцип действия полупроводниковых сенсоров резистивного типа основан на изменении проводимости газочувствительного слоя при хемосорбции на его поверхности анализируемых газов
    Exact
    [2]
    Suffix
    . В качестве чувствительных полупроводниковых слоев используют мелкодисперсные нанокристаллические оксиды металлов (SnO2, ZnO, In2O3 и др.) с легирующими добавками Pt, Pd [3–5].

3
Yamazoe, N. Toward innovations of gas sensor technology / N. Yamazoe // Sensors and Actuators B. – 2005. – Vol. 108. – Р. 2–14.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7302
    Prefix
    Принцип действия полупроводниковых сенсоров резистивного типа основан на изменении проводимости газочувствительного слоя при хемосорбции на его поверхности анализируемых газов [2]. В качестве чувствительных полупроводниковых слоев используют мелкодисперсные нанокристаллические оксиды металлов (SnO2, ZnO, In2O3 и др.) с легирующими добавками Pt, Pd
    Exact
    [3–5]
    Suffix
    . Благодаря структурной пористости формируемых материалов, достигаемой с помощью некоторых технологических приемов, их удельная поверхность высокая и составляет около 30 м2/г. Нагревателем служит резистивный слой, выполненный из инертных материалов (Pt, RuO2, Au и др.) и электрически изолированный от полупроводникового слоя [4, 5].

4
Shimizu, Y. Basic Aspects and Challenges of Semiconductor Gas Sensors / Y. Shimizu, M. Egashira // Cambridge University Press, MRS Bulletin. – 2013. – Р. 18–24.
Total in-text references: 3
  1. In-text reference with the coordinate start=7302
    Prefix
    Принцип действия полупроводниковых сенсоров резистивного типа основан на изменении проводимости газочувствительного слоя при хемосорбции на его поверхности анализируемых газов [2]. В качестве чувствительных полупроводниковых слоев используют мелкодисперсные нанокристаллические оксиды металлов (SnO2, ZnO, In2O3 и др.) с легирующими добавками Pt, Pd
    Exact
    [3–5]
    Suffix
    . Благодаря структурной пористости формируемых материалов, достигаемой с помощью некоторых технологических приемов, их удельная поверхность высокая и составляет около 30 м2/г. Нагревателем служит резистивный слой, выполненный из инертных материалов (Pt, RuO2, Au и др.) и электрически изолированный от полупроводникового слоя [4, 5].

  2. In-text reference with the coordinate start=7651
    Prefix
    Благодаря структурной пористости формируемых материалов, достигаемой с помощью некоторых технологических приемов, их удельная поверхность высокая и составляет около 30 м2/г. Нагревателем служит резистивный слой, выполненный из инертных материалов (Pt, RuO2, Au и др.) и электрически изолированный от полупроводникового слоя
    Exact
    [4, 5]
    Suffix
    . Для того чтобы физико-химические процессы протекали на поверхности чувствительного слоя достаточно быстро, обеспечивая быстродействие на уровне нескольких секунд, сенсор периодически разогревается до температуры 450–500 °С [1, 4].

  3. In-text reference with the coordinate start=7884
    Prefix
    Для того чтобы физико-химические процессы протекали на поверхности чувствительного слоя достаточно быстро, обеспечивая быстродействие на уровне нескольких секунд, сенсор периодически разогревается до температуры 450–500 °С
    Exact
    [1, 4]
    Suffix
    . В результате этого чувствительность сенсора восстанавливается до исходного состояния. Во время отжига происходит активное освобождение поверхностных слоев полупроводника от сорбированных «отравляющих» газовых компонент [6, 7].

5
Румянцева, М.Н. Влияние микроструктуры полупроводниковых сенсорных материалов на хемосорбцию кислорода на их поверхности / М.Н. Румянцева, Е. А. Макеева, А.М. Гаськов // Журнал Российского химического общества им. Д.И. Менделеева. – 2008. – Т. LII, No 2. – С. 122–129.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=7302
    Prefix
    Принцип действия полупроводниковых сенсоров резистивного типа основан на изменении проводимости газочувствительного слоя при хемосорбции на его поверхности анализируемых газов [2]. В качестве чувствительных полупроводниковых слоев используют мелкодисперсные нанокристаллические оксиды металлов (SnO2, ZnO, In2O3 и др.) с легирующими добавками Pt, Pd
    Exact
    [3–5]
    Suffix
    . Благодаря структурной пористости формируемых материалов, достигаемой с помощью некоторых технологических приемов, их удельная поверхность высокая и составляет около 30 м2/г. Нагревателем служит резистивный слой, выполненный из инертных материалов (Pt, RuO2, Au и др.) и электрически изолированный от полупроводникового слоя [4, 5].

  2. In-text reference with the coordinate start=7651
    Prefix
    Благодаря структурной пористости формируемых материалов, достигаемой с помощью некоторых технологических приемов, их удельная поверхность высокая и составляет около 30 м2/г. Нагревателем служит резистивный слой, выполненный из инертных материалов (Pt, RuO2, Au и др.) и электрически изолированный от полупроводникового слоя
    Exact
    [4, 5]
    Suffix
    . Для того чтобы физико-химические процессы протекали на поверхности чувствительного слоя достаточно быстро, обеспечивая быстродействие на уровне нескольких секунд, сенсор периодически разогревается до температуры 450–500 °С [1, 4].

6
Васильев, А. Газовые сенсоры для пожарных извещателей / А. Васильев, И. Олихов, А. Соколов // Электроника: НТБ. – 2005. – No 2. – C. 24–27.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=8118
    Prefix
    В результате этого чувствительность сенсора восстанавливается до исходного состояния. Во время отжига происходит активное освобождение поверхностных слоев полупроводника от сорбированных «отравляющих» газовых компонент
    Exact
    [6, 7]
    Suffix
    . Анализ развития рынка газовых сенсоров показал, что перспективными для массового применения в газоаналитической аппаратуре являются полупроводниковые газовые сенсоры, отличающиеся высокой надежностью, простотой в эксплуатации и относительно низкой стоимостью.

7
Покаташкин, В.И. Применение тонкопленочных полупроводниковых газовых NiO-сенсоров в озонометрии / В.И. Покаташкин [и др.] // Вестник БГУ. Сер. 1. – 2008. – No 2. – С. 38–42.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=8118
    Prefix
    В результате этого чувствительность сенсора восстанавливается до исходного состояния. Во время отжига происходит активное освобождение поверхностных слоев полупроводника от сорбированных «отравляющих» газовых компонент
    Exact
    [6, 7]
    Suffix
    . Анализ развития рынка газовых сенсоров показал, что перспективными для массового применения в газоаналитической аппаратуре являются полупроводниковые газовые сенсоры, отличающиеся высокой надежностью, простотой в эксплуатации и относительно низкой стоимостью.

8
Бубнов, Ю.З. Анализ тепловых режимов полупроводниковых сенсоров / Ю.З. Бубнов // Изв. вузов. Приборостроение. – 2010. – Т. 53, No 4. – С. 38–41.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=8805
    Prefix
    важных задач в повышении потребительских характеристик полупроводниковых газовых сенсоров – снижение их энергопотребления, что связано в первую очередь с условиями работы газоаналитических приборов нового поколения в автономном режиме, т.е. при электропитании от портативных аккумуляторов. Потребляемая мощность этих приборов должна составлять несколько десятков милливатт
    Exact
    [8, 9]
    Suffix
    . Целью данной работы являлось исследование эффективности режима импульсного нагрева для мультисенсорной микросистемы по сравнению с режимом постоянного нагрева с точки зрения повышенной чувствительности к низким концентрациям опасных газов СО и NO2 и обеспечение его заданной работоспособности, не превышая при этом значений мощности одиночных сенсорных аналогов.

9
Баркалин, В.В. Конечно-элементное моделирование термомеханических свойств нанопористых материалов / В.В. Баркалин, Е.А. Белогуров, И.А. Таратын, В.В. Хатько, Я.И. Шукевич // Нано- и микросистемная техника. – 2012. – No1. – С. 18–24.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=8805
    Prefix
    важных задач в повышении потребительских характеристик полупроводниковых газовых сенсоров – снижение их энергопотребления, что связано в первую очередь с условиями работы газоаналитических приборов нового поколения в автономном режиме, т.е. при электропитании от портативных аккумуляторов. Потребляемая мощность этих приборов должна составлять несколько десятков милливатт
    Exact
    [8, 9]
    Suffix
    . Целью данной работы являлось исследование эффективности режима импульсного нагрева для мультисенсорной микросистемы по сравнению с режимом постоянного нагрева с точки зрения повышенной чувствительности к низким концентрациям опасных газов СО и NO2 и обеспечение его заданной работоспособности, не превышая при этом значений мощности одиночных сенсорных аналогов.

  2. In-text reference with the coordinate start=10565
    Prefix
    Применение в топологии микросистемы сквозных отверстий и самой пористой подложки позволяет снизить потребляемую мощность за счет уменьшения объема контактирующего с нагревателем материала подложки и снижения коэффициента теплопроводности алюмооксидной подложки
    Exact
    [9]
    Suffix
    . Время предварительного отжига микросистем для формирования чувствительных слоев при мощности 60 мВт на каждом из сенсоров составило 360 ч. Зависимость сопротивления от приложенной мощности на каждом из сенсоров микросистемы после предварительного отжига представлена на рисунке 2.

10
Реутская, О.Г. Мультисенсорная микросистема для измерения концентрации газов СО, H2, C3H8, CO2 / О.Г. Реутская, И.А. Таратын, Ю.М. Плескачевский // Приборы и методы измерений. – 2016. – Т. 7, No 3. – С.272–278.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=12655
    Prefix
    Чувствительность S, % определяли по формуле: S = (Ro – Rg)/Ro×100 % (1) при воздействии газовоздушной смеси, содержащей CO, и по формуле: S = (Rg – Ro)/ Ro ×100 % (2) при воздействии газовоздушной смеси содержащей NO2. В обеих формулах Ro и Rg – электрическое сопротивление газочувствительного слоя на воздухе и при воздействии газовоздушной смеси соответственно
    Exact
    [10, 11]
    Suffix
    . Рисунок 1 – Схема мультисенсорной микросистемы в корпусе: 1 – корпус; 2 – кристалл микросистемы; 3 – чувствительный слой SnO2+Pt+Pd; 4 – чувствительный слой In2O3+Al2O3+Pt Figure 1 – Multisensor microsystem in the housing: 1 – housing; 2 – substrate of multisensor microsystem; 3 – sensitive layer SnO2+Pt+Pd; 4 – sensitive layer In2O3+Al2O3+Pt Приборы и методы измерений 2017.

11
Kotsikau, D. Metal oxide semiconductor sensors for detection of toxic and explosive gases / D. Kotsikau, M. Ivanovskaya // Kluwer Academic Publishers. – 2004. – Ch.7. – Р. 93–115.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=12655
    Prefix
    Чувствительность S, % определяли по формуле: S = (Ro – Rg)/Ro×100 % (1) при воздействии газовоздушной смеси, содержащей CO, и по формуле: S = (Rg – Ro)/ Ro ×100 % (2) при воздействии газовоздушной смеси содержащей NO2. В обеих формулах Ro и Rg – электрическое сопротивление газочувствительного слоя на воздухе и при воздействии газовоздушной смеси соответственно
    Exact
    [10, 11]
    Suffix
    . Рисунок 1 – Схема мультисенсорной микросистемы в корпусе: 1 – корпус; 2 – кристалл микросистемы; 3 – чувствительный слой SnO2+Pt+Pd; 4 – чувствительный слой In2O3+Al2O3+Pt Figure 1 – Multisensor microsystem in the housing: 1 – housing; 2 – substrate of multisensor microsystem; 3 – sensitive layer SnO2+Pt+Pd; 4 – sensitive layer In2O3+Al2O3+Pt Приборы и методы измерений 2017.

  2. In-text reference with the coordinate start=13289
    Prefix
    +Pt+Pd; 4 – чувствительный слой In2O3+Al2O3+Pt Figure 1 – Multisensor microsystem in the housing: 1 – housing; 2 – substrate of multisensor microsystem; 3 – sensitive layer SnO2+Pt+Pd; 4 – sensitive layer In2O3+Al2O3+Pt Приборы и методы измерений 2017. – Т. 8, No 2. – С. 160–167 Реутская О.Г., Плескачевский Ю.М. Измерения проводились на специализированном стенде, который описан в работе
    Exact
    [11]
    Suffix
    . Было установлено, что при малых мощностях после воздействия детектируемого газа сопротивление сенсора не достигает значения Ro, и наблюдается постепенное уменьшение сигнала. Серия измерений для определения сенсорного отклика при постоянном нагреве для выше описанных режимов была проведена и для NO2 с концентрацией 4 ppm.