The 22 references with contexts in paper D. Adamchuck V., V. Ksenevich K., N. Gorbachuk I., V. Shimanskij I., Д. Адамчук В., В. Ксеневич К., Н. Горбачук И., В. Шиманский И. (2016) “ИМПЕДАНСНАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК ДИОКСИДА ОЛОВА // IMPEDANCE SPECTROSCOPY OF POLYCRYSTALLINE TIN DIOXIDE FILMS” / spz:neicon:pimi:y:2016:i:3:p:312-321

1
Barsoukov, E. Impedance Spectroscopy. Theory, Experiment and Applications / E. Barsoukov, J. Ross Macdonald. – Second Edition. – John Wiley & Sons, Inc., Hoboken, New Jersey, 2005. – 595 p.
Total in-text references: 3
  1. In-text reference with the coordinate start=6653
    Prefix
    DOI: 10.21122/2220-9506-2016-7-3-312-321 Введение Импедансная спектроскопия является эффективным методом для изучения электрофизических характеристик различных материалов: кристаллических и неупорядоченных полупроводников, гетерогенных систем, композиционных структур
    Exact
    [1]
    Suffix
    . Проведение измерений электропроводности на переменном токе позволяет, в частности, изучать электрохимические и электрофизические процессы в ионопроводящих материалах, исследовать особенности диффузионного транспорта носителей заряда в неупорядоченных системах, определять характеризующие электронный транспорт параметры.

  2. In-text reference with the coordinate start=17843
    Prefix
    Использование элемента постоянной фазы СРЕ вызвано необходимостью учета разброса значений сопротивлений межзеренных границ и их емкостей. Импеданс данного элемента определяется следующей формулой
    Exact
    [1]
    Suffix
    : Z = A-1 (iω)-n, где А – фактор пропорциональности, размерность которого зависит от экспоненциального показателя n. Eсли n = 1, то элемент CPE тождествен конденсатору и A0 имеет размерность емкости, а если n = 0, то — резистору и A имеет размерность сопротивления.

  3. In-text reference with the coordinate start=18467
    Prefix
    Следует отметить, что данный элемент не имеет строго определенного физического смысла и является обобщенным и универсальным средством для моделирования импеданса обширного класса систем с различной микроструктурой, в частности для поликристаллических пленок
    Exact
    [1]
    Suffix
    . Кроме того, применение элемента постоянной фазы целесообразно в случае неидеального конденсатора, т.е. когда распределение примесных и дефектных центров неоднородно по толщине оксида [17].

2
Chizhov, A.S. Frequency-dependent electrical conductivity of nanocrystalline SnO2 / A.S. Chizhov, M.N. Rumyantseva, A.M. Gaskov // Inorganic Materials. – 2013. – Vol. 49, no. 10. – P. 1000–1004.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=7446
    Prefix
    заключается в том, что она является неразрушающим методом измерений, использующим относительно несложное и недорогостоящее оборудование, обеспечивая при этом достаточную для практических целей погрешность эксперимента. Зависимости действительной и мнимой частей импеданса от частоты поликристаллических материалов определяются преимущественным механизмом электронного транспорта
    Exact
    [2]
    Suffix
    , который в значительной мере зависит от их стехиометрического состава и кристаллической структуры. Проводимость поликристаллических материалов определяется как объемными характеристиками зерен (стехиометрическим и фазовым составом, наличием примесей [3–4]), так и состоянием межзеренных границ и может быть рассмотрена как сумма электропроводностей, характеризуемых различными мех

  2. In-text reference with the coordinate start=8547
    Prefix
    Анализ годографов импеданса в рамках метода эквивалентных схем позволяет для поликристаллических материалов разделить вклады в проводимость от межкристаллитных границ и объема зерен [8]. Следует отметить, что эта проблема не является простой ввиду наличия многих факторов, способных повлиять на механизм проводимости нестехиометрической пленки в целом
    Exact
    [2]
    Suffix
    . Количественный анализ частотной зависимости импеданса на основе выбранной эквивалентной схемы позволяет интерпретировать ее элементы в соответствии с физико-химическими процессами в образцах при протекании в них электрического тока.

3
Богданов, К.П. Равновесие собственных точечных дефектов в диоксиде олова / К.П. Богданов, Д.Ц. Димитров, О.Ф. Луцкая, Ю.М. Таиров // Физика и техника полупроводников. – 1998. – Т. 32, No 10. – С. 1158–1160.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7711
    Prefix
    частей импеданса от частоты поликристаллических материалов определяются преимущественным механизмом электронного транспорта [2], который в значительной мере зависит от их стехиометрического состава и кристаллической структуры. Проводимость поликристаллических материалов определяется как объемными характеристиками зерен (стехиометрическим и фазовым составом, наличием примесей
    Exact
    [3–4]
    Suffix
    ), так и состоянием межзеренных границ и может быть рассмотрена как сумма электропроводностей, характеризуемых различными механизмами транспорта заряда [5–8]. Также не менее важную роль в процессах электропереноса в этих материалах играет наличие в поликристаллических оксидах разброса высот барьеров, обусловленного вариациями размеров и форм микрокристаллов, неоднородным распределени

4
Громов, В.Ф. Механизмы сенсорного эффекта в кондуктометрических датчиках на основе диоксида олова для детектирования газов-восстановителей / В.Ф. Громов, Г.Н. Герасимов, Т.В. Белышева, Л.И. Трахтенберг // Ж. Рос. хим. об-ва им. Д.И. Менделеева. – 2008. – Т. 52, No 5. – С. 80–87.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7711
    Prefix
    частей импеданса от частоты поликристаллических материалов определяются преимущественным механизмом электронного транспорта [2], который в значительной мере зависит от их стехиометрического состава и кристаллической структуры. Проводимость поликристаллических материалов определяется как объемными характеристиками зерен (стехиометрическим и фазовым составом, наличием примесей
    Exact
    [3–4]
    Suffix
    ), так и состоянием межзеренных границ и может быть рассмотрена как сумма электропроводностей, характеризуемых различными механизмами транспорта заряда [5–8]. Также не менее важную роль в процессах электропереноса в этих материалах играет наличие в поликристаллических оксидах разброса высот барьеров, обусловленного вариациями размеров и форм микрокристаллов, неоднородным распределени

5
Кофстад, П. Отклонение от стехиометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах металлов /П. Кофстад; пер. с англ. – М. : Мир, 1975. – 396 с.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7875
    Prefix
    Проводимость поликристаллических материалов определяется как объемными характеристиками зерен (стехиометрическим и фазовым составом, наличием примесей [3–4]), так и состоянием межзеренных границ и может быть рассмотрена как сумма электропроводностей, характеризуемых различными механизмами транспорта заряда
    Exact
    [5–8]
    Suffix
    . Также не менее важную роль в процессах электропереноса в этих материалах играет наличие в поликристаллических оксидах разброса высот барьеров, обусловленного вариациями размеров и форм микрокристаллов, неоднородным распределением дефектов и примесей по поверхностям и объемам микрокристаллов.

6
Godinho, K.G. Energetic and Electronic Structure Analysis of Intrinsic Defects in SnO2 / K.G. Godinho, A. Walsh, G.W. Watson // J. Phys. Chem. C. – 2009. – Vol. 113. – P. 439– 448.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7875
    Prefix
    Проводимость поликристаллических материалов определяется как объемными характеристиками зерен (стехиометрическим и фазовым составом, наличием примесей [3–4]), так и состоянием межзеренных границ и может быть рассмотрена как сумма электропроводностей, характеризуемых различными механизмами транспорта заряда
    Exact
    [5–8]
    Suffix
    . Также не менее важную роль в процессах электропереноса в этих материалах играет наличие в поликристаллических оксидах разброса высот барьеров, обусловленного вариациями размеров и форм микрокристаллов, неоднородным распределением дефектов и примесей по поверхностям и объемам микрокристаллов.

7
Bansal, S. Charge transport mechanism in high conductivity undoped tin oxide thin films deposited by reactive sputtering / S. Bansal, D.K. Pandya, S.C. Kashyap // Thin Solid Films. – 2012. – Vol. 524. – P. 30–34.
Total in-text references: 4
  1. In-text reference with the coordinate start=7875
    Prefix
    Проводимость поликристаллических материалов определяется как объемными характеристиками зерен (стехиометрическим и фазовым составом, наличием примесей [3–4]), так и состоянием межзеренных границ и может быть рассмотрена как сумма электропроводностей, характеризуемых различными механизмами транспорта заряда
    Exact
    [5–8]
    Suffix
    . Также не менее важную роль в процессах электропереноса в этих материалах играет наличие в поликристаллических оксидах разброса высот барьеров, обусловленного вариациями размеров и форм микрокристаллов, неоднородным распределением дефектов и примесей по поверхностям и объемам микрокристаллов.

  2. In-text reference with the coordinate start=9790
    Prefix
    Как правило, синтезируемый различными методами диоксид олова характеризуется поликристаллической структурой и обладает проводимостью n-типа. Роль мелких доноров в нем так же, как и в некоторых других металлооксидных полупроводниках, играют кислородные вакансии
    Exact
    [7]
    Suffix
    . Как показано в [7, 10], кристаллы SnO2 содержат вакансии кислорода с различными уровнями энергии в запрещенной зоне полупроводника: 10–40 мэВ, 24 ± 4 мэВ, 60 мэВ, 150 мэВ [10], 15– 49 мэВ [7].

  3. In-text reference with the coordinate start=9810
    Prefix
    Как правило, синтезируемый различными методами диоксид олова характеризуется поликристаллической структурой и обладает проводимостью n-типа. Роль мелких доноров в нем так же, как и в некоторых других металлооксидных полупроводниках, играют кислородные вакансии [7]. Как показано в
    Exact
    [7, 10]
    Suffix
    , кристаллы SnO2 содержат вакансии кислорода с различными уровнями энергии в запрещенной зоне полупроводника: 10–40 мэВ, 24 ± 4 мэВ, 60 мэВ, 150 мэВ [10], 15– 49 мэВ [7]. Проводимость поликристаллических пленок SnO2 обусловлена переносом электронов между кристаллитами оксида и определяется высотой потенциальных барьеров между ними, а также концентрацией электронов проводимости вблизи грани

  4. In-text reference with the coordinate start=9987
    Prefix
    Роль мелких доноров в нем так же, как и в некоторых других металлооксидных полупроводниках, играют кислородные вакансии [7]. Как показано в [7, 10], кристаллы SnO2 содержат вакансии кислорода с различными уровнями энергии в запрещенной зоне полупроводника: 10–40 мэВ, 24 ± 4 мэВ, 60 мэВ, 150 мэВ [10], 15– 49 мэВ
    Exact
    [7]
    Suffix
    . Проводимость поликристаллических пленок SnO2 обусловлена переносом электронов между кристаллитами оксида и определяется высотой потенциальных барьеров между ними, а также концентрацией электронов проводимости вблизи границ кристаллитов.

8
Васильев, Р.Б. Импеданс-спектроскопия ультрадисперсной керамики с варьируемым размером кристаллитов / Р.Б. Васильев [и др.] // ФТП. – 2006. – Т. 40, No 1. – С. 108–111.
Total in-text references: 3
  1. In-text reference with the coordinate start=7875
    Prefix
    Проводимость поликристаллических материалов определяется как объемными характеристиками зерен (стехиометрическим и фазовым составом, наличием примесей [3–4]), так и состоянием межзеренных границ и может быть рассмотрена как сумма электропроводностей, характеризуемых различными механизмами транспорта заряда
    Exact
    [5–8]
    Suffix
    . Также не менее важную роль в процессах электропереноса в этих материалах играет наличие в поликристаллических оксидах разброса высот барьеров, обусловленного вариациями размеров и форм микрокристаллов, неоднородным распределением дефектов и примесей по поверхностям и объемам микрокристаллов.

  2. In-text reference with the coordinate start=8372
    Prefix
    поликристаллических оксидах разброса высот барьеров, обусловленного вариациями размеров и форм микрокристаллов, неоднородным распределением дефектов и примесей по поверхностям и объемам микрокристаллов. Анализ годографов импеданса в рамках метода эквивалентных схем позволяет для поликристаллических материалов разделить вклады в проводимость от межкристаллитных границ и объема зерен
    Exact
    [8]
    Suffix
    . Следует отметить, что эта проблема не является простой ввиду наличия многих факторов, способных повлиять на механизм проводимости нестехиометрической пленки в целом [2]. Количественный анализ частотной зависимости импеданса на основе выбранной эквивалентной схемы позволяет интерпретировать ее элементы в соответствии с физико-химическими процессами в образцах при протекании в них эл

  3. In-text reference with the coordinate start=17199
    Prefix
    на переменном токе поликристаллических полупроводников для учета влияния проводимости и емкости как кристаллитов, так и границ зерен может быть использована эквивалентная схема замещения, в состав которой входят два последовательно соединенных контура, каждый из которых состоит из параллельно включенных резистора и конденсатора и характеризуется своей постоянной времени τ = RC
    Exact
    [8, 15]
    Suffix
    . В нашем случае можно предположить, что на эквивалентной схеме замещения усредненное значение сопротивления кристаллитов моделируется элементом R1, а усредненное значение сопротивления границ зерен – элементом R2.

9
Ginley, D. Handbook of Transparent Conductors / D. Ginley, H. Hosono, David C. P. (Eds.) – Associate Editors. – 2011. – 547 p.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=9242
    Prefix
    прозрачных проводящих металлооксидных материалов, который наряду с хорошей электрической (близкой к металлической) проводимостью и прозрачностью в видимом диапазоне спектра характеризуется также высокой химической стойкостью. Поэтому пленки SnO2 широко используются в качестве прозрачных электродов в светодиодах, жидкокристаллических дисплеях, солнечных элементах и др.
    Exact
    [9–11]
    Suffix
    . Кроме того, в силу высокой адсорбционной и реакционной способности поверхности диоксида олова он является перспективным материалом для создания газовых сенсоров, сигнал в которых вызван изменением концентрации носителей заряда в приповерхностном слое [12].

10
Batzill, M. The surface and materials science of tin oxide / M. Batzill, U. Diebold // Progress in Surface Science. – 2005. – Vol. 79. – P. 47–154.
Total in-text references: 3
  1. In-text reference with the coordinate start=9242
    Prefix
    прозрачных проводящих металлооксидных материалов, который наряду с хорошей электрической (близкой к металлической) проводимостью и прозрачностью в видимом диапазоне спектра характеризуется также высокой химической стойкостью. Поэтому пленки SnO2 широко используются в качестве прозрачных электродов в светодиодах, жидкокристаллических дисплеях, солнечных элементах и др.
    Exact
    [9–11]
    Suffix
    . Кроме того, в силу высокой адсорбционной и реакционной способности поверхности диоксида олова он является перспективным материалом для создания газовых сенсоров, сигнал в которых вызван изменением концентрации носителей заряда в приповерхностном слое [12].

  2. In-text reference with the coordinate start=9810
    Prefix
    Как правило, синтезируемый различными методами диоксид олова характеризуется поликристаллической структурой и обладает проводимостью n-типа. Роль мелких доноров в нем так же, как и в некоторых других металлооксидных полупроводниках, играют кислородные вакансии [7]. Как показано в
    Exact
    [7, 10]
    Suffix
    , кристаллы SnO2 содержат вакансии кислорода с различными уровнями энергии в запрещенной зоне полупроводника: 10–40 мэВ, 24 ± 4 мэВ, 60 мэВ, 150 мэВ [10], 15– 49 мэВ [7]. Проводимость поликристаллических пленок SnO2 обусловлена переносом электронов между кристаллитами оксида и определяется высотой потенциальных барьеров между ними, а также концентрацией электронов проводимости вблизи грани

  3. In-text reference with the coordinate start=9970
    Prefix
    Роль мелких доноров в нем так же, как и в некоторых других металлооксидных полупроводниках, играют кислородные вакансии [7]. Как показано в [7, 10], кристаллы SnO2 содержат вакансии кислорода с различными уровнями энергии в запрещенной зоне полупроводника: 10–40 мэВ, 24 ± 4 мэВ, 60 мэВ, 150 мэВ
    Exact
    [10]
    Suffix
    , 15– 49 мэВ [7]. Проводимость поликристаллических пленок SnO2 обусловлена переносом электронов между кристаллитами оксида и определяется высотой потенциальных барьеров между ними, а также концентрацией электронов проводимости вблизи границ кристаллитов.

11
Zak, A.K. Substrate free synthesis of wide area stannic oxide nano-structured sheets via a sol-gel method using gelatin / A. Khorsand Zak, A. Moradi Golsheikh, W. Haliza Abd Majid, S.M. Banihashemian // Materials Letters. – 2013. – Vol. 109. – P. 309–312.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=9242
    Prefix
    прозрачных проводящих металлооксидных материалов, который наряду с хорошей электрической (близкой к металлической) проводимостью и прозрачностью в видимом диапазоне спектра характеризуется также высокой химической стойкостью. Поэтому пленки SnO2 широко используются в качестве прозрачных электродов в светодиодах, жидкокристаллических дисплеях, солнечных элементах и др.
    Exact
    [9–11]
    Suffix
    . Кроме того, в силу высокой адсорбционной и реакционной способности поверхности диоксида олова он является перспективным материалом для создания газовых сенсоров, сигнал в которых вызван изменением концентрации носителей заряда в приповерхностном слое [12].

12
Гаськов, А.М. Химическая модификация нанокристаллического диоксида олова для селективных газовых сенсоров / В.В. Кривецкий, М.Н. Румянцева, А.М. Гаськов // Успехи химии. – 2013. – Т. 82, No 10. – С. 917–941.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=9510
    Prefix
    Кроме того, в силу высокой адсорбционной и реакционной способности поверхности диоксида олова он является перспективным материалом для создания газовых сенсоров, сигнал в которых вызван изменением концентрации носителей заряда в приповерхностном слое
    Exact
    [12]
    Suffix
    . Как правило, синтезируемый различными методами диоксид олова характеризуется поликристаллической структурой и обладает проводимостью n-типа. Роль мелких доноров в нем так же, как и в некоторых других металлооксидных полупроводниках, играют кислородные вакансии [7].

13
Ksenevich, V.K. Fabrication and characterization of transparent tin dioxide films with variable stoichiometric composition / V.K. Ksenevich, D.V. Adamchuk, V.B. Odzhaev, P. Zhukowski // Acta Physica Polonica A. – 2015. – Vol. 128. – P. 861–863.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=10851
    Prefix
    Одним из наиболее эффективных методов модификации электрических свойств диоксида олова является варьирование температуры отжига в процессе синтеза пленок, а также их дополнительная термообработка в кислородсодержащих и инертных средах при различных температурах
    Exact
    [13]
    Suffix
    . Целью работы являлось применение метода импедансной спектроскопии для анализа влияния отжига в инертной среде на электрофизические свойства и структуру нестехиометрических пленок диоксида олова.

14
Домашевская, Э.П. Механизмы окисления тонких металлических пленок олова / Э.П. Домашевская [и др.] // Конденсированные среды и межфазные границы. – 2012. – Т. 14, No 3. – C. 328–333.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=12242
    Prefix
    Двухстадийный отжиг в окислительной атмосфере позволяет получить имеющие поликристаллическую структуру проводящие пленки, в состав которых входит диоксид олова орторомбической и тетрагональной модификаций, монооксид олова и нестехиометрические фазы диоксида олова
    Exact
    [14]
    Suffix
    . Затем полученные пленки подвергались отжигу в инертной среде в температурном интервале 300–800 °С. Краткое описание режимов отжига и условные обозначения образцов приведены в таблице 1. Таблица 1/Table 1 Режимы отжига и обозначение образцов Annealing temperatures and designation of samples Обозначение образцов Designation of samples Температуры отжига / Annealing temperatures S1 Отжиг на

15
Garkin, L.N. Impedance Spectroscopy of Metal-Oxide Nanocomposites / L.N. Garkin [et al.] // Glass Physics and Chemistry. – 2004. – Vol. 30. – P. 461–470.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=17199
    Prefix
    на переменном токе поликристаллических полупроводников для учета влияния проводимости и емкости как кристаллитов, так и границ зерен может быть использована эквивалентная схема замещения, в состав которой входят два последовательно соединенных контура, каждый из которых состоит из параллельно включенных резистора и конденсатора и характеризуется своей постоянной времени τ = RC
    Exact
    [8, 15]
    Suffix
    . В нашем случае можно предположить, что на эквивалентной схеме замещения усредненное значение сопротивления кристаллитов моделируется элементом R1, а усредненное значение сопротивления границ зерен – элементом R2.

16
Sluyters-Rehbach, M. Impedances of electrochemical systems: terminology, nomenclature, and representation. Part I: cells with metal electrodes and liquid solutions / M. Sluyters-Rehbach // Pure and Appl. Chem. – 1994. – Vol. 66, no. 9. – P. 1831–1891.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=18191
    Prefix
    Eсли n = 1, то элемент CPE тождествен конденсатору и A0 имеет размерность емкости, а если n = 0, то — резистору и A имеет размерность сопротивления. В «промежуточном» случае можно считать, что A имеет размерность Ω–1·sn
    Exact
    [16]
    Suffix
    . Следует отметить, что данный элемент не имеет строго определенного физического смысла и является обобщенным и универсальным средством для моделирования импеданса обширного класса систем с различной микроструктурой, в частности для поликристаллических пленок [1].

17
Гнеденков, С.В. Импедансная спектроскопия в исследовании процессов переноса заряда / С.В. Гнеденков, С.Л. Синебрюхов // Вестник ДВО РАН. – 2006. – No 5. – С. 6–16.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=18663
    Prefix
    физического смысла и является обобщенным и универсальным средством для моделирования импеданса обширного класса систем с различной микроструктурой, в частности для поликристаллических пленок [1]. Кроме того, применение элемента постоянной фазы целесообразно в случае неидеального конденсатора, т.е. когда распределение примесных и дефектных центров неоднородно по толщине оксида
    Exact
    [17]
    Suffix
    . Значения рассчитанных элементов эквивалентных схем замещения для образцов S1 – S6 представлены в таблице 2. Как видно из таблицы 2, для показателя степени n CРЕ-элемента в результате моделирования были получены значения, близкие к 1 (в диапазоне 0,88–0,95) для всех образцов, т.е. импеданс данного элемента тождествен импедансу конденсатора.

18
Attaran-Kakhki, E. Fabrication and characterization of silver-tin dioxide core-shell structured nanocomposite particles / E. Attaran-Kakhki, M. Khosravi-Nouri1, N. Shahtahmassebi1, G. Zohuri // Materials Physics and Mechanics. – 2013. – No. 17. – P. 29–32.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=25276
    Prefix
    Рисунок 3 – Участки рентгенограмм образцов S1–S7 Figure 3 – X-ray diffraction patterns for samples S1–S7 На представленных рентгенограммах, полученных от пленок, не подвергнутых термическому отжигу, обнаружены совокупности дифракционных рефлексов, соответствующих как монооксиду олова SnO тетрагональной структуры, так и диоксиду олова SnO2 тетрагональной структуры типа рутила
    Exact
    [18–21]
    Suffix
    . После проведения термического отжига в аргоне в интервале температур 300–700 °C наблюдается угловое смещение дифракционных максимумов монооксида олова SnO, свидетельствующее об изменении параметров решетки, которое может быть обусловлено отклонением элементного состава от стехиометрического ввиду диффузионного перераспределения кислорода от поверхности вглубь пленки.

19
Agilan, S. Structural and ferromagnetic investigation of the size effects in pure and Co doped SnO2 nano-particles / S. Agilan, M. Saravanakumar, N. Muthukumarasamy, V. Rukkumani // Int. J. Chem. Sci. – 2015. – Vol. 13, no. 2. – P. 605–612.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=25276
    Prefix
    Рисунок 3 – Участки рентгенограмм образцов S1–S7 Figure 3 – X-ray diffraction patterns for samples S1–S7 На представленных рентгенограммах, полученных от пленок, не подвергнутых термическому отжигу, обнаружены совокупности дифракционных рефлексов, соответствующих как монооксиду олова SnO тетрагональной структуры, так и диоксиду олова SnO2 тетрагональной структуры типа рутила
    Exact
    [18–21]
    Suffix
    . После проведения термического отжига в аргоне в интервале температур 300–700 °C наблюдается угловое смещение дифракционных максимумов монооксида олова SnO, свидетельствующее об изменении параметров решетки, которое может быть обусловлено отклонением элементного состава от стехиометрического ввиду диффузионного перераспределения кислорода от поверхности вглубь пленки.

20
Boroojerdian, P. Structural and Optical Study of SnO Nanoparticles Synthesized Using Micro- wave–Assisted Hydrothermal Route / P. Boroojerdian // Int. J. Nanosci. Nanotechnol. – 2013. – Vol. 9, no. 2. – P. 95–100.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=25276
    Prefix
    Рисунок 3 – Участки рентгенограмм образцов S1–S7 Figure 3 – X-ray diffraction patterns for samples S1–S7 На представленных рентгенограммах, полученных от пленок, не подвергнутых термическому отжигу, обнаружены совокупности дифракционных рефлексов, соответствующих как монооксиду олова SnO тетрагональной структуры, так и диоксиду олова SnO2 тетрагональной структуры типа рутила
    Exact
    [18–21]
    Suffix
    . После проведения термического отжига в аргоне в интервале температур 300–700 °C наблюдается угловое смещение дифракционных максимумов монооксида олова SnO, свидетельствующее об изменении параметров решетки, которое может быть обусловлено отклонением элементного состава от стехиометрического ввиду диффузионного перераспределения кислорода от поверхности вглубь пленки.

  2. In-text reference with the coordinate start=26202
    Prefix
    Это объясняется термическим испарением атомов олова, приводящим к восстановлению стехиометрии до диоксида олова. Размер областей когерентного рассеяния (кристаллитов) в нестехиометрических пленках SnO2 без учета внутренних микронапряжений оценивался по соотношению Дебая–Шеррера
    Exact
    [20, 22]
    Suffix
    : где λ – длина волны рентгеновского излучения; β – полная ширина дифракционной линии на высоте половинной интенсивности (в радианах), θ – угловое положение дифракционного максимума, коэффициент K = 0,94.

21
Comini, E. Oxidation of Sn thin films to SnO2. MicroRaman mapping and X-ray diffraction studies / E. Comini [et al.] // J. Mater. Res. – 1998. – Vol. 13, no. 9. – P. 2457–2460.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=25276
    Prefix
    Рисунок 3 – Участки рентгенограмм образцов S1–S7 Figure 3 – X-ray diffraction patterns for samples S1–S7 На представленных рентгенограммах, полученных от пленок, не подвергнутых термическому отжигу, обнаружены совокупности дифракционных рефлексов, соответствующих как монооксиду олова SnO тетрагональной структуры, так и диоксиду олова SnO2 тетрагональной структуры типа рутила
    Exact
    [18–21]
    Suffix
    . После проведения термического отжига в аргоне в интервале температур 300–700 °C наблюдается угловое смещение дифракционных максимумов монооксида олова SnO, свидетельствующее об изменении параметров решетки, которое может быть обусловлено отклонением элементного состава от стехиометрического ввиду диффузионного перераспределения кислорода от поверхности вглубь пленки.

22
Ristića, M. Dependence of nanocrystalline SnO2 particle size on synthesis route / M. Ristića, M. Ivanda, S. Popović, S. Musića // Journal of Non-Crystalline Solids. – 2002. – Vol. 303, no. 2. – P. 270–280. Research was carried out within the framework
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=26202
    Prefix
    Это объясняется термическим испарением атомов олова, приводящим к восстановлению стехиометрии до диоксида олова. Размер областей когерентного рассеяния (кристаллитов) в нестехиометрических пленках SnO2 без учета внутренних микронапряжений оценивался по соотношению Дебая–Шеррера
    Exact
    [20, 22]
    Suffix
    : где λ – длина волны рентгеновского излучения; β – полная ширина дифракционной линии на высоте половинной интенсивности (в радианах), θ – угловое положение дифракционного максимума, коэффициент K = 0,94.