The 13 references with contexts in paper O. Reutskaya G., I. Taratyn A., Y. Pleskachevsky M., О. Реутская Г., И. Таратын А., Ю. Плескачевский М. (2016) “МУЛЬТИСЕНСОРНАЯ МИКРОСИСТЕМА ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ГАЗОВ СО, H2 , C3H8 , CO2 // MULTISENSOR MICROSYSTEM FOR MEASURING THE CONCENTRATION OF GASES CO, H2 , C3 H8 , CO2” / spz:neicon:pimi:y:2016:i:3:p:271-278

1
Романова, И. Высокочувствительные датчики газа. Новинки от Figaro Engineering / И. Романова // Электроника. Наука. Технология. Бизнес. – 2011. – No 1. – С. 64–70.
Total in-text references: 3
  1. In-text reference with the coordinate start=7464
    Prefix
    Потребляемая мощность в режиме постоянного нагрева составляет от 280 до 650 мВт в среднем, а в режиме импульсного нагрева – ≤ 55 мВт. Данные значения приведены для одиночных сенсоров
    Exact
    [1]
    Suffix
    . Принцип действия полупроводниковых сенсоров основан на изменении проводимости газочувствительного слоя при хемосорбции на его поверхности анализируемых газов [2]. В качестве чувствительных полупроводниковых слоев используют мелкодисперсные нанокристаллические оксиды металлов (SnO2, ZnO, In2O3 и др.) с легирующими добавками Pl, Pd и др. [3–5].

  2. In-text reference with the coordinate start=8357
    Prefix
    Для обеспечения быстродействия протекающих на поверхности чувствительного слоя физико-химических процессов на уровне нескольких секунд сенсор периодически разогревается до температуры 450–500 °С
    Exact
    [1, 4]
    Suffix
    . В результате этого сопротивление сенсора восстанавливается до начального значения. При отжиге происходит активное освобождение поверхностных слоев полупроводника от сорбированных «отравляющих» газовых компонент [6, 7].

  3. In-text reference with the coordinate start=8764
    Prefix
    При отжиге происходит активное освобождение поверхностных слоев полупроводника от сорбированных «отравляющих» газовых компонент [6, 7]. Время измерения концентрации газов одиночным сенсором составляет приблизительно 5 мин в режиме постоянного нагрева и 2 мин – в режиме импульсного нагрева
    Exact
    [1, 5]
    Suffix
    . Контроль химического состава воздуха, резко изменяющегося из-за термического разложения перегретых или начинающих тлеть горючих материалов, позволяет обнаружить очаг пожара еще до появления пламени [8].

2
Morrison, S.R. Selectivity in semiconductor gas sensors / S.R. Morrison // Sensor & Actuator. – 1997. – No. 12. – Р. 425–440.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7634
    Prefix
    Данные значения приведены для одиночных сенсоров [1]. Принцип действия полупроводниковых сенсоров основан на изменении проводимости газочувствительного слоя при хемосорбции на его поверхности анализируемых газов
    Exact
    [2]
    Suffix
    . В качестве чувствительных полупроводниковых слоев используют мелкодисперсные нанокристаллические оксиды металлов (SnO2, ZnO, In2O3 и др.) с легирующими добавками Pl, Pd и др. [3–5]. Благодаря структурной пористости формируемых материалов, достигаемой с помощью некоторых технологических приемов, их удельная поверхность составляет около 30 м2/г.

3
Yamazoe, N. Toward innovations of gas sensor technology / N. Yamazoe // Sensors and Actuators B. – 2005. – Vol. 108. – Р. 2–14.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7822
    Prefix
    Принцип действия полупроводниковых сенсоров основан на изменении проводимости газочувствительного слоя при хемосорбции на его поверхности анализируемых газов [2]. В качестве чувствительных полупроводниковых слоев используют мелкодисперсные нанокристаллические оксиды металлов (SnO2, ZnO, In2O3 и др.) с легирующими добавками Pl, Pd и др.
    Exact
    [3–5]
    Suffix
    . Благодаря структурной пористости формируемых материалов, достигаемой с помощью некоторых технологических приемов, их удельная поверхность составляет около 30 м2/г. Нагревателем служит резистивный слой, выполненный из инертных материалов (Pl, RuO2, Au и др.) и электрически изолированный от полупроводникового слоя [4, 5].

4
Szychowska, A. Investigation of CO oxidation by NO with application of semiconductor gas sensors / A. Szychowska [et al.] // Polish J. of Environ. Stud. – 2008. – Vol. 17, no. 3. – P. 421–425.
Total in-text references: 3
  1. In-text reference with the coordinate start=7822
    Prefix
    Принцип действия полупроводниковых сенсоров основан на изменении проводимости газочувствительного слоя при хемосорбции на его поверхности анализируемых газов [2]. В качестве чувствительных полупроводниковых слоев используют мелкодисперсные нанокристаллические оксиды металлов (SnO2, ZnO, In2O3 и др.) с легирующими добавками Pl, Pd и др.
    Exact
    [3–5]
    Suffix
    . Благодаря структурной пористости формируемых материалов, достигаемой с помощью некоторых технологических приемов, их удельная поверхность составляет около 30 м2/г. Нагревателем служит резистивный слой, выполненный из инертных материалов (Pl, RuO2, Au и др.) и электрически изолированный от полупроводникового слоя [4, 5].

  2. In-text reference with the coordinate start=8152
    Prefix
    Благодаря структурной пористости формируемых материалов, достигаемой с помощью некоторых технологических приемов, их удельная поверхность составляет около 30 м2/г. Нагревателем служит резистивный слой, выполненный из инертных материалов (Pl, RuO2, Au и др.) и электрически изолированный от полупроводникового слоя
    Exact
    [4, 5]
    Suffix
    . Для обеспечения быстродействия протекающих на поверхности чувствительного слоя физико-химических процессов на уровне нескольких секунд сенсор периодически разогревается до температуры 450–500 °С [1, 4].

  3. In-text reference with the coordinate start=8357
    Prefix
    Для обеспечения быстродействия протекающих на поверхности чувствительного слоя физико-химических процессов на уровне нескольких секунд сенсор периодически разогревается до температуры 450–500 °С
    Exact
    [1, 4]
    Suffix
    . В результате этого сопротивление сенсора восстанавливается до начального значения. При отжиге происходит активное освобождение поверхностных слоев полупроводника от сорбированных «отравляющих» газовых компонент [6, 7].

5
Румянцева, М.Н. Влияние микроструктуры полупроводниковых сенсорных материалов на хемосорбцию кислорода на их поверхности / М.Н. Румянцева, Е.А. Макеева, А.М. Гаськов // Журнал Российского химического общества им. Д.И. Менделеева. – 2008. – Т. LII, No 2. – С. 122–129.
Total in-text references: 5
  1. In-text reference with the coordinate start=7822
    Prefix
    Принцип действия полупроводниковых сенсоров основан на изменении проводимости газочувствительного слоя при хемосорбции на его поверхности анализируемых газов [2]. В качестве чувствительных полупроводниковых слоев используют мелкодисперсные нанокристаллические оксиды металлов (SnO2, ZnO, In2O3 и др.) с легирующими добавками Pl, Pd и др.
    Exact
    [3–5]
    Suffix
    . Благодаря структурной пористости формируемых материалов, достигаемой с помощью некоторых технологических приемов, их удельная поверхность составляет около 30 м2/г. Нагревателем служит резистивный слой, выполненный из инертных материалов (Pl, RuO2, Au и др.) и электрически изолированный от полупроводникового слоя [4, 5].

  2. In-text reference with the coordinate start=8152
    Prefix
    Благодаря структурной пористости формируемых материалов, достигаемой с помощью некоторых технологических приемов, их удельная поверхность составляет около 30 м2/г. Нагревателем служит резистивный слой, выполненный из инертных материалов (Pl, RuO2, Au и др.) и электрически изолированный от полупроводникового слоя
    Exact
    [4, 5]
    Suffix
    . Для обеспечения быстродействия протекающих на поверхности чувствительного слоя физико-химических процессов на уровне нескольких секунд сенсор периодически разогревается до температуры 450–500 °С [1, 4].

  3. In-text reference with the coordinate start=8764
    Prefix
    При отжиге происходит активное освобождение поверхностных слоев полупроводника от сорбированных «отравляющих» газовых компонент [6, 7]. Время измерения концентрации газов одиночным сенсором составляет приблизительно 5 мин в режиме постоянного нагрева и 2 мин – в режиме импульсного нагрева
    Exact
    [1, 5]
    Suffix
    . Контроль химического состава воздуха, резко изменяющегося из-за термического разложения перегретых или начинающих тлеть горючих материалов, позволяет обнаружить очаг пожара еще до появления пламени [8].

  4. In-text reference with the coordinate start=18399
    Prefix
    Сравнение значений сопротивлений сенсоров микросистемы, расчет и вывод на экран значения чувствительности происходило со второго цикла измерений. Если чувствительность превышает 15 %, то можно говорить о наличие детектируемого газа в окружающей среде
    Exact
    [5]
    Suffix
    . Значение выходного параметра (чувствительность S) при воздействии газа рассчитывалось по формуле [5]: , (1) где R0 – сопротивление сенсора микросистемы без воздействия газа; R80 – сопротивление сенсора микросистемы при воздействии газа, через 80 с.

  5. In-text reference with the coordinate start=18509
    Prefix
    Если чувствительность превышает 15 %, то можно говорить о наличие детектируемого газа в окружающей среде [5]. Значение выходного параметра (чувствительность S) при воздействии газа рассчитывалось по формуле
    Exact
    [5]
    Suffix
    : , (1) где R0 – сопротивление сенсора микросистемы без воздействия газа; R80 – сопротивление сенсора микросистемы при воздействии газа, через 80 с.

6
Васильев, А. Газовые сенсоры для пожарных извещателей / А. Васильев, И. Олихов, А. Соколов // Электроника: НТБ. – 2005. – No 2. – C. 24–27.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=8593
    Prefix
    В результате этого сопротивление сенсора восстанавливается до начального значения. При отжиге происходит активное освобождение поверхностных слоев полупроводника от сорбированных «отравляющих» газовых компонент
    Exact
    [6, 7]
    Suffix
    . Время измерения концентрации газов одиночным сенсором составляет приблизительно 5 мин в режиме постоянного нагрева и 2 мин – в режиме импульсного нагрева [1, 5]. Контроль химического состава воздуха, резко изменяющегося из-за термического разложения перегретых или начинающих тлеть горючих материалов, позволяет обнаружить очаг пожара еще до появления пламени [8].

7
Покаташкин, В.И. Применение тонкопленочных полупроводниковых газовых NiO-сенсоров в озонометрии / В.И. Покаташкин [и др.] // Вестник БГУ. – Сер. 1. – 2008. – No 2. – С. 38–42.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=8593
    Prefix
    В результате этого сопротивление сенсора восстанавливается до начального значения. При отжиге происходит активное освобождение поверхностных слоев полупроводника от сорбированных «отравляющих» газовых компонент
    Exact
    [6, 7]
    Suffix
    . Время измерения концентрации газов одиночным сенсором составляет приблизительно 5 мин в режиме постоянного нагрева и 2 мин – в режиме импульсного нагрева [1, 5]. Контроль химического состава воздуха, резко изменяющегося из-за термического разложения перегретых или начинающих тлеть горючих материалов, позволяет обнаружить очаг пожара еще до появления пламени [8].

8
Фёдоров, А.В. Системы и технические средства раннего обнаружения пожара / А.В. Фёдоров [и др.] : монография. – М. : Академия ГПС МЧС России. – 2009. – 158 с.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=8987
    Prefix
    Контроль химического состава воздуха, резко изменяющегося из-за термического разложения перегретых или начинающих тлеть горючих материалов, позволяет обнаружить очаг пожара еще до появления пламени
    Exact
    [8]
    Suffix
    . Диапазон концентраций газов, которые выделяются до момента появления пламени, составляет для CO – 0,02 – 0,08 %, для H2 – 0,001–0,01 %, для C3H8 – 1–1,5 %, для СО2 – 0,01–0,02 % [8, 9].

  2. In-text reference with the coordinate start=9181
    Prefix
    состава воздуха, резко изменяющегося из-за термического разложения перегретых или начинающих тлеть горючих материалов, позволяет обнаружить очаг пожара еще до появления пламени [8]. Диапазон концентраций газов, которые выделяются до момента появления пламени, составляет для CO – 0,02 – 0,08 %, для H2 – 0,001–0,01 %, для C3H8 – 1–1,5 %, для СО2 – 0,01–0,02 %
    Exact
    [8, 9]
    Suffix
    . Изготовление модуля химических сенсоров на одном кристалле представляется одним из перспективных направлений в развитии газовой сенсорики [10]. Использование в качестве чувствительного элемента мультисенсорной микросистемы дает возможность, сохраняя характеристики одиночного сенсора и его габаритные размеры, уменьшить потребляемую мощность и сократить время цикла измерения при во

9
Елисеев, М.А. Бизнес и безопасность. Системы сверхраннего обнаружения пожара / М.А. Елисеев // Системы безопасности. – 2003. – No 2 (50). – С. 145–148.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=9181
    Prefix
    состава воздуха, резко изменяющегося из-за термического разложения перегретых или начинающих тлеть горючих материалов, позволяет обнаружить очаг пожара еще до появления пламени [8]. Диапазон концентраций газов, которые выделяются до момента появления пламени, составляет для CO – 0,02 – 0,08 %, для H2 – 0,001–0,01 %, для C3H8 – 1–1,5 %, для СО2 – 0,01–0,02 %
    Exact
    [8, 9]
    Suffix
    . Изготовление модуля химических сенсоров на одном кристалле представляется одним из перспективных направлений в развитии газовой сенсорики [10]. Использование в качестве чувствительного элемента мультисенсорной микросистемы дает возможность, сохраняя характеристики одиночного сенсора и его габаритные размеры, уменьшить потребляемую мощность и сократить время цикла измерения при во

10
Кнеллер, В.Ю. Датчики для контроля окружающей среды: потребности, технологии, рынок / В.Ю. Кнеллер // Датчики и системы. – No 8. – 2005. – C. 54–69.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=9335
    Prefix
    Диапазон концентраций газов, которые выделяются до момента появления пламени, составляет для CO – 0,02 – 0,08 %, для H2 – 0,001–0,01 %, для C3H8 – 1–1,5 %, для СО2 – 0,01–0,02 % [8, 9]. Изготовление модуля химических сенсоров на одном кристалле представляется одним из перспективных направлений в развитии газовой сенсорики
    Exact
    [10]
    Suffix
    . Использование в качестве чувствительного элемента мультисенсорной микросистемы дает возможность, сохраняя характеристики одиночного сенсора и его габаритные размеры, уменьшить потребляемую мощность и сократить время цикла измерения при воздействии концентрации газов CO, H2, CO2, C3H8.

  2. In-text reference with the coordinate start=9784
    Prefix
    элемента мультисенсорной микросистемы дает возможность, сохраняя характеристики одиночного сенсора и его габаритные размеры, уменьшить потребляемую мощность и сократить время цикла измерения при воздействии концентрации газов CO, H2, CO2, C3H8. На современном этапе развитие газовых полупроводниковых сенсоров существует несколько технологий создания мультисенсорных систем. Одна из них
    Exact
    [10]
    Suffix
    использует матрицу из 38 сенсоров, которые располагаются на поверхности чувствительной полупроводниковой пленки (разработка научно-исследовательского института г. Карлсруэ). Существенным недостатком такой системы является высокое энергопотребление.

11
Stankova, M. Sensitivity and selectivity improvement of rf sputtered WO3 microhotplate gas sensors / M. Stankova [et al.] // Sens. Actuators B, Chem. – 2006. –Vol. 113. – P. 241–248.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=10068
    Prefix
    Одна из них [10] использует матрицу из 38 сенсоров, которые располагаются на поверхности чувствительной полупроводниковой пленки (разработка научно-исследовательского института г. Карлсруэ). Существенным недостатком такой системы является высокое энергопотребление. Еще одна технология
    Exact
    [11]
    Suffix
    обеспечивает формирование на диэлектрической мембране методами объемного травления кремниевой подложки четырех химических сенсоров. Недостатками данной мультисенсорной системы являются сложность в изготовлении, нестабильное воспроизведение параметров поликремниевого нагревателя и низкий уровень рабочих температур сенсоров [11, 12].

  2. In-text reference with the coordinate start=10406
    Prefix
    Недостатками данной мультисенсорной системы являются сложность в изготовлении, нестабильное воспроизведение параметров поликремниевого нагревателя и низкий уровень рабочих температур сенсоров
    Exact
    [11, 12]
    Suffix
    . Целью данной работы являлась разработка мультисенсорной микросистемы для уменьшения времени измерения концентрации газов CO, H2, C3H8, CO2, а также снижение потребляемой мощности микросистемы в целом.

12
Реутская, О.Г. Четырехсенсорная газовая микросистема на подложке из пористого анодного оксида алюминия: конструкция, технология, моделирование / О.Г. Реутская, Е.А. Белогуров, И.А. Таратын, В.В. Хатько // Приборы и методы измерений. – 2013. – Т. 7, No 2. – С. 47–51.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=10406
    Prefix
    Недостатками данной мультисенсорной системы являются сложность в изготовлении, нестабильное воспроизведение параметров поликремниевого нагревателя и низкий уровень рабочих температур сенсоров
    Exact
    [11, 12]
    Suffix
    . Целью данной работы являлась разработка мультисенсорной микросистемы для уменьшения времени измерения концентрации газов CO, H2, C3H8, CO2, а также снижение потребляемой мощности микросистемы в целом.

  2. In-text reference with the coordinate start=13846
    Prefix
    при постоянной подаче питания в течение 5 ч (режим постоянного нагрева) Figure 2 – The dependence of the resistance of a single sensor on the nanoporous aluminum oxide wafer at constant power up for 5 h (mode continuous heating) Для уменьшения величины дрейфа сопротивления сенсора был использован импульсный нагрев. Сенсор периодически разогревали до температуры 450–500 °С
    Exact
    [12]
    Suffix
    . На рисунке 3 приведены результаты измерения одиночных сенсоров на подложке из наноструктурированного оксида алюминия с разными чувствительными слоями: SnO2+Pt+Pd – для первого сенсора, In2O3+Al2O3+Pt – для второго.

13
Микросенсорная газовая система для определения концентрации газов в окружающей среде / О.Г. Реутская, И.А. Таратын, И.В. Сафрошкина: патент 20011 Респ. Беларусь, МПК (2006.01) G 01N27/00/ No а 20130836; опубл.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=12813
    Prefix
    Использование в топологии микросистемы на основе наноструктурированного оксида алюминия сквозных отверстий, как и использование самой нанопористой диэлектрической подложки, привело к снижению потребляемой мощности газовой микросистемы за счет уменьшения объема, контактирующего с нагревателем материала подложки, и уменьшения коэффициента теплопроводности подложки
    Exact
    [13]
    Suffix
    . Измерения чувствительности микросистемы к концентрации газов CO, H2, CO2, C3H8 Время наработки микросистемы перед началом измерений при мощности потребления 60 мВт на каждом из сенсоров в режиме постоянного нагрева, составило 240 ч.