The 5 references with contexts in paper D. Brinkevich I., V. Prosolovich S., Yu. Yankovski N., S. Vabishchevich A., N. Vabishchevich V., V. Gaishun E., Д. Бринкевич И., В. Просолович С., Ю. Янковский Н., С. Вабищевич А., Н. Вабищевич В., В. Гайшун Е. (2016) “СКЛЕРОМЕТРИЧЕСКИЙ МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ МИКРОТВЕРДОСТИ ПЛЕНОК ФОТОРЕЗИСТА НА КРЕМНИИ // MEASUREMENT OF MICROHARDNESS OF PHOTORESIST FILMS ON SILICON BY THE SCRATCHING METHOD” / spz:neicon:pimi:y:2016:i:1:p:77-84

1
Моро, У. Микролитография. Принципы, методы, материалы. В 2-х ч. Ч. 2 / У. Моро – М. : Мир, 1990. – 632 с.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=3796
    Prefix
    Ключевые слова: фоторезист, кремний, склерометрия, индентирование, микротвердость. DOI: 10.21122/2220-9506-2016-7-1-77-84 Введение В последние годы интенсивно разрабатываются новые виды резистов для нано- и субмикронной литографии современной электроники
    Exact
    [1, 2]
    Suffix
    . В качестве перспективных материалов для резистов рассматриваются различные полимерные композиции на основе полиметилметакрилата [3, 4], политетрафторэтилена [5], полиимида [6, 7], полиэтилентерефталата [8] и других термически и механически стойких полимеров.

2
Булгакова, С.А. Химически усиленные резисты для литографии высокого разрешения / С.А. Булгакова [и др.] // Микроэлектроника. – 2013. – Т. 42, No 3. – С. 206–217.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=3796
    Prefix
    Ключевые слова: фоторезист, кремний, склерометрия, индентирование, микротвердость. DOI: 10.21122/2220-9506-2016-7-1-77-84 Введение В последние годы интенсивно разрабатываются новые виды резистов для нано- и субмикронной литографии современной электроники
    Exact
    [1, 2]
    Suffix
    . В качестве перспективных материалов для резистов рассматриваются различные полимерные композиции на основе полиметилметакрилата [3, 4], политетрафторэтилена [5], полиимида [6, 7], полиэтилентерефталата [8] и других термически и механически стойких полимеров.

3
Рау, Э.И. Комплексные исследования эффектов зарядки полимерного резиста (ПММА) при электронной литографии / Э.И. Рау [и др.] // Микроэлектроника. – 2013. – Т. 42, No 2. – С. 116–126.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=3943
    Prefix
    DOI: 10.21122/2220-9506-2016-7-1-77-84 Введение В последние годы интенсивно разрабатываются новые виды резистов для нано- и субмикронной литографии современной электроники [1, 2]. В качестве перспективных материалов для резистов рассматриваются различные полимерные композиции на основе полиметилметакрилата
    Exact
    [3, 4]
    Suffix
    , политетрафторэтилена [5], полиимида [6, 7], полиэтилентерефталата [8] и других термически и механически стойких полимеров. Особенно важную роль играют диазохинон-новолачные (ДХН) резисты [9, 10].

4
Генцелев, А.Н. Исследование влияния синхротронного излучения на термофизические параметры рентгенорезиста ПММА /А.Н. Генцелев [и др.] // Поверхность. – 2012. – No 1. – С. 14–20.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=3943
    Prefix
    DOI: 10.21122/2220-9506-2016-7-1-77-84 Введение В последние годы интенсивно разрабатываются новые виды резистов для нано- и субмикронной литографии современной электроники [1, 2]. В качестве перспективных материалов для резистов рассматриваются различные полимерные композиции на основе полиметилметакрилата
    Exact
    [3, 4]
    Suffix
    , политетрафторэтилена [5], полиимида [6, 7], полиэтилентерефталата [8] и других термически и механически стойких полимеров. Особенно важную роль играют диазохинон-новолачные (ДХН) резисты [9, 10].

5
Назьмов, В.П. Абляция политетрафторэтилена под воздействием синхротронного излучения при формировании микроструктур с высоким аспектным отношением / В.П. Назьмов [и др.] // Поверхность. – 2001. – No 3. – С. 10–14.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=3972
    Prefix
    DOI: 10.21122/2220-9506-2016-7-1-77-84 Введение В последние годы интенсивно разрабатываются новые виды резистов для нано- и субмикронной литографии современной электроники [1, 2]. В качестве перспективных материалов для резистов рассматриваются различные полимерные композиции на основе полиметилметакрилата [3, 4], политетрафторэтилена
    Exact
    [5]
    Suffix
    , полиимида [6, 7], полиэтилентерефталата [8] и других термически и механически стойких полимеров. Особенно важную роль играют диазохинон-новолачные (ДХН) резисты [9, 10]. Определение микротвердости фоторезистивных пленок на кремниевых подложках является весьма актуальным, поскольку непосредственно характеризует такие важные свойства фоторезистов, как адгезия к под