The 11 references with contexts in paper V. Niss S., A. Vaskou S., A. Turtsevich S., A. Kerentsev F., V. Kononenko K., В. Нисс С., О. Васьков С., А. Турцевич С., А. Керенцев Ф., В. Кононенко К. (2015) “ОЦЕНКА ТЕПЛОВЫХ ПАРАМЕТРОВ МОЩНЫХ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ МЕТОДОМ ТЕПЛОВОЙ РЕЛАКСАЦИОННОЙ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЙ СПЕКТРОМЕТРИИ // ESTIMATION OF THERMAL PARAMETERS OF POWER BIPOLAR TRANSISTORS BY THE METHOD OF THERMAL RELAXATION DIFFERENTIAL SPECTROMETRY” / spz:neicon:pimi:y:2015:i:2:p:249-256

1
Farkas, G. Thermal investigation of high power optical devices by transient testing / G. Farkas [et al.] // Components and Packaging Technologies, IEEE Transactions on. − 2005. – Vol. 28, No. 1. − P. 45−50.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=5349
    Prefix
    Оборудование T3Ster внедрено на большинстве крупнейших предприятий производителей изделий полупроводниковой электроники и используется, в частности, для оценки тепловых параметров мощных светодиодов, силовых МОП-транзисторов
    Exact
    [1]
    Suffix
    . Метод, разработанный MicReD, основывается на рассчитываемых из временной релаксации динамического теплового импеданса измеряемых образцов так называемых кумулятивной и дифференциальной структурных функций.

2
Smith, B. Utility of transient testing to characterize thermal interface materials / B. Smith [et al.] // EDA Publishing THERMINIC. − 2007. − P. 6–11.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=6019
    Prefix
    Данный метод основан на сложных многоступенчатых преобразованиях, что приводит к накоплению систематических ошибок и, как следствие, потере точности. Основные недостатки данного метода отмечались, к примеру, в работах фирмы IBM
    Exact
    [2]
    Suffix
    . Другой недостаток оборудования T3Ster – высокая стоимость, составляющая порядка 150 000 $ USA за один комплект. Цель работы − оценка тепловых параметров мощных биполярных транзисторов в пластмассовых корпусах TO-252 и TO-126 методом тепловой релаксационной дифференциальной спектрометрии (ТРДС).

3
Бумай, Ю.А. Релаксационный импедансспектрометр тепловых процессов / Ю.А. Бумай [и др.] // Электроника инфо. - 2010. - No 3. - C. 58–59.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=6942
    Prefix
    Тепловые постоянные элементов приборов и распределение структуры теплового сопротивления определены в виде дискретного и непрерывного спектров с использованием релаксационного импеданс-спектрометра
    Exact
    [3]
    Suffix
    . Детальные исследования тепловых характеристик полупроводниковых приборов прове дены методом ТРДС, хорошо зарекомендовав шим себя при анализе тепловых параметров внутренних элементов гетеролазеров, светоди одов и транзисторов [4–7].

4
Bumai, Yu.A. Measurement and analysis of thermal parameters and efficiency of laser heterostructures and light-emitting diodes / Yu.A. Bumai, A.S. Vaskou, V.K. Kononenko // Metrology and Meas urement Systems. – 2010. – Vol. 17, No. 1. – P. 39–46.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7180
    Prefix
    Детальные исследования тепловых характеристик полупроводниковых приборов прове дены методом ТРДС, хорошо зарекомендовав шим себя при анализе тепловых параметров внутренних элементов гетеролазеров, светоди одов и транзисторов
    Exact
    [4–7]
    Suffix
    . Релаксация прямого напряжения на диоде измеряется при подаче на исследуемый образец ступенчатого импульса тока длительностью в интервале от 10 мкс до 100 с. С учетом предварительно полученного температурного коэффициента напряжения (K-фактора) находится температура перегрева ак тивной области прибора.

5
Васьков, О.С. Метод тепловой релаксационной спектрометрии и определение параметров светодиодов / О.С. Васьков, В.К. Кононенко, В.С. Нисс // Докл. БГУИР. 2011. – No 4. – C. 74–79.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=7180
    Prefix
    Детальные исследования тепловых характеристик полупроводниковых приборов прове дены методом ТРДС, хорошо зарекомендовав шим себя при анализе тепловых параметров внутренних элементов гетеролазеров, светоди одов и транзисторов
    Exact
    [4–7]
    Suffix
    . Релаксация прямого напряжения на диоде измеряется при подаче на исследуемый образец ступенчатого импульса тока длительностью в интервале от 10 мкс до 100 с. С учетом предварительно полученного температурного коэффициента напряжения (K-фактора) находится температура перегрева ак тивной области прибора.

6
Турцевич, А.С. Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектромет ром / А.С. Турцевич [и др.] // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2012. – No 5. – С. 44–47.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=7180
    Prefix
    Детальные исследования тепловых характеристик полупроводниковых приборов прове дены методом ТРДС, хорошо зарекомендовав шим себя при анализе тепловых параметров внутренних элементов гетеролазеров, светоди одов и транзисторов
    Exact
    [4–7]
    Suffix
    . Релаксация прямого напряжения на диоде измеряется при подаче на исследуемый образец ступенчатого импульса тока длительностью в интервале от 10 мкс до 100 с. С учетом предварительно полученного температурного коэффициента напряжения (K-фактора) находится температура перегрева ак тивной области прибора.

  2. In-text reference with the coordinate start=8788
    Prefix
    Анализ растекания теплового потока в исследуемых структурах проводился на основе концепции температуропроводности (тепловой эффузии). Из послойных значений компонентов теплового сопротивления Rth и тепловой емкости Cth определена активная площадь сечения теплового потока Sa транзисторных структур и профиль ее распределения
    Exact
    [6, 7]
    Suffix
    . Структура теплового сопротивления образцов представлялась в виде шестизвенной электротепловой RC-модели. Дифференциальный спектр определяется на основе производных высшего порядка динамического теплового импеданса и соответствует модели Фостера, а дискретный – модели Кауера.

7
Васьков, О.С. Диагностика технологиче ских характеристик мощных транзисто ров с помощью релаксационного импе данс-спектрометра тепловых процессов / О.С. Васьков [и др.] // Изв. вузов. Материалы электронной техники. – 2014. – No 1. – С. 47–52.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=7180
    Prefix
    Детальные исследования тепловых характеристик полупроводниковых приборов прове дены методом ТРДС, хорошо зарекомендовав шим себя при анализе тепловых параметров внутренних элементов гетеролазеров, светоди одов и транзисторов
    Exact
    [4–7]
    Suffix
    . Релаксация прямого напряжения на диоде измеряется при подаче на исследуемый образец ступенчатого импульса тока длительностью в интервале от 10 мкс до 100 с. С учетом предварительно полученного температурного коэффициента напряжения (K-фактора) находится температура перегрева ак тивной области прибора.

  2. In-text reference with the coordinate start=8788
    Prefix
    Анализ растекания теплового потока в исследуемых структурах проводился на основе концепции температуропроводности (тепловой эффузии). Из послойных значений компонентов теплового сопротивления Rth и тепловой емкости Cth определена активная площадь сечения теплового потока Sa транзисторных структур и профиль ее распределения
    Exact
    [6, 7]
    Suffix
    . Структура теплового сопротивления образцов представлялась в виде шестизвенной электротепловой RC-модели. Дифференциальный спектр определяется на основе производных высшего порядка динамического теплового импеданса и соответствует модели Фостера, а дискретный – модели Кауера.

8
Pape, H. Development of a standard for transient measurement of junction-to-case thermal resistance / H. Pape [et al.] // Microelectron. Reliability. 2012. –Vol. 52, No. 7. – P. 1272–1278.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=8028
    Prefix
    Из временной зависимости температуры перехода при нагреве прямым током находятся дискретный и дифференциальный спектры теп лового сопротивления Rth прибора, значения тепловой емкости Cth и постоянной времени тепловой релаксации τ. Для уточнения вели чины полного теплового сопротивления Rjc ис пользован также метод структурных функций согласно стандарту JESD51-14
    Exact
    [8]
    Suffix
    . Из анализа временной зависимости температуры активной области транзистора нахо дится внутреннее тепловое сопротивление при бора и его структура в виде дискретного и не прерывного (дифференциального) спектра (за висимости от времени тепловой релаксации).

9
Foster, R.M. A reactance theorem / R.M. Foster // Bell Syst. Tech. J. 1924. – Vol. 3. м P. 259–267.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=9263
    Prefix
    Дифференциальный спектр определяется на основе производных высшего порядка динамического теплового импеданса и соответствует модели Фостера, а дискретный – модели Кауера. Два вида спектров (непрерывной и дискретный) теплового сопротивления используются для анализа и уточнения компонентов теплового сопротивления в рамках электротепловой модели Фостера
    Exact
    [9]
    Suffix
    и более точной и адекватной модели Кауэра [10]. Релаксационный метод основан на анализе переходных электрических процессов, связанных с разогревом полупроводникового прибора проходящим через него током.

10
Cauer, W. Die siebschaltungen der fermmeldetechnik / W. Cauer // Math. und Mechanik / Angew Z. – 1930. –Vol. 10, No. 5. – P. 425–433.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=9309
    Prefix
    Два вида спектров (непрерывной и дискретный) теплового сопротивления используются для анализа и уточнения компонентов теплового сопротивления в рамках электротепловой модели Фостера [9] и более точной и адекватной модели Кауэра
    Exact
    [10]
    Suffix
    . Релаксационный метод основан на анализе переходных электрических процессов, связанных с разогревом полупроводникового прибора проходящим через него током. Временные зависимости изменения напряжения на p-n-переходе, которые дают возможность анализа путей прохождения теплового потока по элементам структуры, получаются при помощи импеданс-спектрометра, схема которого показана на рисунке 1.

11
Gulino, R. Guidelines for using ST’s MOSFET SMD packages / R. Gulino // Ap plication Note AN1703. STMicroelectronics. – 2003. – P. 1/22–22/22. Estimation of thermal parameters of power bipolar transistors by the method of thermal relaxation differential spectrometry
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=12828
    Prefix
    W Sa, мм2 mm2 Sкр, мм2 mm2 MJD44H11 n-p-n TO252 2,72,354,20 КТ817Г4,61,032,25 2N5191 TO126 5,50,811,96 КТ817А10,40,642,25 Спектры ТРДС и сравнение транзисторов КТ817Г (корпус ТО252), изготовленных с разным качеством монтажа кристаллов, представлены на рисунке 2. Корпус TO-252 ограничи вает рассеиваемую мощность Р < 3 Вт при до пустимой температуре перегрева кристаллов 150 °С
    Exact
    [11]
    Suffix
    . а b Рисунок 2 – Дифференциальный (непрерывный) и дискретный (вертикальные линии) спектры теплового сопротивления Rth(t) и профиль эффективной площади Sа транзисторов КТ817Г 21v1 и 21v2 в корпусе ТО-252 с разным качеством посадки кристаллов (a); соотношение компонентов теплового сопротивления Rth и тепловой емкости Cth (b) Figure 2 – Differential (continuous) and discrete (vertical lines) spe