The 3 references with contexts in paper V. Odzhaev B., A. Pyatlitski N., V. Prosolovich S., V. Filipenya A., S. Shvedau V., V. Chernyi V., V. Yavid Yu., Yu. Yankouski N., В. Оджаев Б., А. Петлицкий Н., В. Просолович С., В. Филипеня А., С. Шведов В., В. Черный В., В. Явид Ю., Ю. Янковский Н. (2015) “АНАЛИЗ КАЧЕСТВА ПОДЗАТВОРНОГО ДИЭЛЕКТРИКА МОП-СТРУКТУР ПО ВОЛЬТ-ФАРАДНЫМ ХАРАКТЕРИСТИКАМ // QUALITY ANALYSIS OF THE GATE DIELECTRIC OF THE MOS-STRUCTURES BY CAPACITY-VOLTAGE CHARACTERISTICS” / spz:neicon:pimi:y:2015:i:1:p:94-98

1
Оджаев, В.Б. Влияние технологических примесей на электрофизические параметры МОП-транзистора / В.Б. Оджаев [и др.] // Весці НАНБ Сер. фіз.-тэх. навук. − 2014. − No 4. − С. 14−17.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2094
    Prefix
    технологических, особенно высокотемпературных, операций, которые в максимально возможной степени снижали бы попадание неконтролируемых (технологических) примесей (ТП) при формировании структуры. Повышенная концентрация ТП обусловливает значительное ухудшение эксплуатационных характеристик создаваемых приборов и снижение процента выхода годных кристаллов. Ранее было показано
    Exact
    [1]
    Suffix
    , что электрофизические характеристики МОП-транзисторов существенным образом зависят от качества подзатворного диэлектрика. Предполагалось, что увеличение порогового напряжения и токов утечки затвора, а также снижение тока и напряжения насыщения, крутизны характеристики МОП-транзистора в линейной области и в области насыщения, проводимости структуры в линейной области обуслов

2
SEMI M33-0988.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=4532
    Prefix
    Измерения ВФХ проводились на частоте f = 1,0 МГц, с разверткой по напряжению от – 5 до + 3 В, с шагом 50 мВ для тестов на р-кармане, для тестов на nкармане – при напряжении ± 3 В с тем же шагом. Концентрация металлических примесей на поверхности пластин определялась методом полного внешнего отражения рентгеновского излучения на установке Rigaku TXRF 3750
    Exact
    [2, 3]
    Suffix
    . Вольт-фарадные характеристики МОПструктур представлены на рисунке 1. Следует отметить, что для приборов серии А в случае измерений на n-кармане наблюдается сдвиг характеристик вдоль оси напряжений в сторону более отрицательных значений по сравнению с измерениями для приборов серии В.

3
Berneike, W. Surface analysis for Si-Wafers using total reflection X-ray fluorescence analysis / W. Berneike [et al.] // Fresenius’Z. Anal. Chem. − 1989. − Vol. 333. − Р. 524−526.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=4532
    Prefix
    Измерения ВФХ проводились на частоте f = 1,0 МГц, с разверткой по напряжению от – 5 до + 3 В, с шагом 50 мВ для тестов на р-кармане, для тестов на nкармане – при напряжении ± 3 В с тем же шагом. Концентрация металлических примесей на поверхности пластин определялась методом полного внешнего отражения рентгеновского излучения на установке Rigaku TXRF 3750
    Exact
    [2, 3]
    Suffix
    . Вольт-фарадные характеристики МОПструктур представлены на рисунке 1. Следует отметить, что для приборов серии А в случае измерений на n-кармане наблюдается сдвиг характеристик вдоль оси напряжений в сторону более отрицательных значений по сравнению с измерениями для приборов серии В.