The 11 references with contexts in paper S. Nikanenka V., E. Lutsenko V., A. Danilchyk V., V. Dlugunovich A., V. Zhdanovskii A., A. Kreidzich V., A. Liplianin A., M. Rzheutski V., С. Никоненко В., Е. Луценко В., А. Данильчик В., В. Длугунович А., В. Ждановский А., А. Крейдич В., А. Липлянин А., М. Ржеуцкий В. (2015) “КОМПЛЕКС ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЙ ФОТОМЕТРИЧЕСКИХ, РАДИОМЕТРИЧЕСКИХ, СПЕКТРОРАДИОМЕТРИЧЕСКИХ И ПРОСТРАНСТВЕННЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ИЗЛУЧЕНИЯ ЛАЗЕРНЫХ ДИОДОВ И СВЕТОДИОДОВ В СПЕКТРАЛЬНОМ ДИАПАЗОНЕ ОТ 250 ДО 900 НМ // SETUP FOR MEASUREMENT OF THE PHOTOMETRIC, RADIOMETRIC, SPECTRAL AND SPATIAL CHARACTERISTICS OF RADIATION OF LASER DIODES AND LEDS IN THE SPECTRAL RANGE FROM 250 TO 900 NM” / spz:neicon:pimi:y:2015:i:1:p:10-17

1
Bürmen, M. LED light sources: a survey of quality-affecting factors and methods for their as sessment / M. Bürmen, F. Pernuš, B. Likar / Meas. Sci. Technol. – 2008. – Vol. 19. – No 12. – P. 122002.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=3507
    Prefix
    Значимой проблемой также является и изменение (деградация) первоначальных параметров излучения всех типов источников УФИ. Например, уменьшение интенсивности излучения бактерицидных ламп, что существенно снижает обеззараживающий эффект, и др.
    Exact
    [1]
    Suffix
    . Введение сертификации продукции в Республике Беларусь и проведение ее по правилам и процедурам согласно международными стандартами ISO серии 9000 предусматривает контроль качества продукции с помощью средств измерений, откалиброванных стандартизованными методами на национальной эталонной базе.

2
Галыго, А.В. Эталонная база Республики Беларусь в области оптической радиометрии / А.В. Галыго [и др.] // Приборы и методы измерений. – 2010. – No 1. – С. 131–140.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=5447
    Prefix
    также, что до недавнего времени в Беларуси отсутствовала возможность измерений в аккредитованных испытательных и калибровочных лабораториях пространственного распределения силы света, плотности мощности и спектральной плотности энергетической яркости (СПЭЯ) излучения СИД и ЛД, а также создаваемой ими в УФ диапазоне спектра спектральной плотности энергетической освещенности (СПЭО)
    Exact
    [2]
    Suffix
    . Измерения оптических характеристик твердотельных источников излучения Спектральное и пространственное распределения мощности излучения СИД, ЛД и традиционных источников УФИ существенно отличаются, поэтому традиционные методы измерений оптических характеристик их излучения приемлемы не в полной мере [3].

3
Miller, C.C. Standardization of LED measurements / C.C. Miller, Y. Ohno // LEDs Magazine. – 2004. – No 38/9. – Р. 68–67.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=5758
    Prefix
    Измерения оптических характеристик твердотельных источников излучения Спектральное и пространственное распределения мощности излучения СИД, ЛД и традиционных источников УФИ существенно отличаются, поэтому традиционные методы измерений оптических характеристик их излучения приемлемы не в полной мере
    Exact
    [3]
    Suffix
    . Кроме того, хотя СИД и ЛД относятся к ТТИИ, существующие методы измерений оптических характеристик и параметров их излучения имеют между собой существенные отличия. В настоящее время для измерений характеристик лазерного излучения (ЛИ) действует система стандартов ISO, которые в целом достаточно обоснованы, но особенности излучения полупроводниковых лазеров, имеющих большую расходи

4
СТБ ISO 13694-2004. Оптика и оптические приборы. Лазеры и относящееся к лазерам оборудование. Методы испытаний распределения плотности мощности (энергии) лазерного излучения.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=6209
    Prefix
    В настоящее время для измерений характеристик лазерного излучения (ЛИ) действует система стандартов ISO, которые в целом достаточно обоснованы, но особенности излучения полупроводниковых лазеров, имеющих большую расходимость, в них не учитываются. Например, в стандартах
    Exact
    [4–8]
    Suffix
    методы измерений пространственных характеристик ЛИ применимы только для излучения с углом расходимости менее 30 мрад, в то время как углы расходимости излучения полупроводниковых лазеров составляют от 1° до 90°.

5
СТБ ISO 11146-1-2006. Лазеры и относящееся к лазерам оборудование. Методы испытаний для определения ширин, углов расходимости и параметров качества пучка. Часть 1. Стигматические пучки и пучки с простым астигматизмом.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=6209
    Prefix
    В настоящее время для измерений характеристик лазерного излучения (ЛИ) действует система стандартов ISO, которые в целом достаточно обоснованы, но особенности излучения полупроводниковых лазеров, имеющих большую расходимость, в них не учитываются. Например, в стандартах
    Exact
    [4–8]
    Suffix
    методы измерений пространственных характеристик ЛИ применимы только для излучения с углом расходимости менее 30 мрад, в то время как углы расходимости излучения полупроводниковых лазеров составляют от 1° до 90°.

6
СТБ ISO 11146-2-2006. Лазеры и относящееся к лазерам оборудование. Методы испытаний для определения ширин, углов расходимости и параметров качества пучка. Часть 2. Пучки с общим астигматизмом.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=6209
    Prefix
    В настоящее время для измерений характеристик лазерного излучения (ЛИ) действует система стандартов ISO, которые в целом достаточно обоснованы, но особенности излучения полупроводниковых лазеров, имеющих большую расходимость, в них не учитываются. Например, в стандартах
    Exact
    [4–8]
    Suffix
    методы измерений пространственных характеристик ЛИ применимы только для излучения с углом расходимости менее 30 мрад, в то время как углы расходимости излучения полупроводниковых лазеров составляют от 1° до 90°.

7
СТБ ISO 11146-3-2006. Лазеры и относящееся к лазерам оборудование. Методы испытаний для определения ширин, углов расходимости и параметров качества пучка. Часть 3. Собственная и геометрическая классификация лазерных пучков, преобразование и методы испытаний.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=6209
    Prefix
    В настоящее время для измерений характеристик лазерного излучения (ЛИ) действует система стандартов ISO, которые в целом достаточно обоснованы, но особенности излучения полупроводниковых лазеров, имеющих большую расходимость, в них не учитываются. Например, в стандартах
    Exact
    [4–8]
    Suffix
    методы измерений пространственных характеристик ЛИ применимы только для излучения с углом расходимости менее 30 мрад, в то время как углы расходимости излучения полупроводниковых лазеров составляют от 1° до 90°.

8
ГОСТ ISO 11554-2007. Оптика и фотоника. Лазеры и относящееся к лазерам оборудование. Методы испытаний для определения мощности, энергии и временных характеристик лазерного излучения.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=6209
    Prefix
    В настоящее время для измерений характеристик лазерного излучения (ЛИ) действует система стандартов ISO, которые в целом достаточно обоснованы, но особенности излучения полупроводниковых лазеров, имеющих большую расходимость, в них не учитываются. Например, в стандартах
    Exact
    [4–8]
    Suffix
    методы измерений пространственных характеристик ЛИ применимы только для излучения с углом расходимости менее 30 мрад, в то время как углы расходимости излучения полупроводниковых лазеров составляют от 1° до 90°.

  2. In-text reference with the coordinate start=15027
    Prefix
    Комплекс предназначен для измерений с учетом рекомендаций [9] следующих характеристик излучения СИД и СИД изделий: силы света, усредненной силы света, пространственного распределения силы света и СПЭЯ, а также создаваемых этим излучением освещенности и СПЭО. Комплекс также обеспечивает измерения следующих характеристик ЛИ в соответствии с требованиями
    Exact
    [8]
    Suffix
    : средней мощности, плотности мощности и пространственного распределения плотности мощности. 812 6 16 11 2 3 4 1 5 14 15 13 10 9 7 17 Рисунок 2 – Схема комплекса для измерений оптических характеристик твердотельных источников излучения: 1 – блок источников излучения; 2 – субблок лазерных источников излучения; 3 – субблок светодиодов источников излучения; 4 – субблок ламповых источников и

9
CIE 127:2007 Technical report CIE. Measurement of LEDs. 2nd edition Publication. – Vienna, CIE Central Bureau, 2007. – 32 р.
Total in-text references: 10
  1. In-text reference with the coordinate start=6732
    Prefix
    Для СИД основным документом в международной метрологической практике, в котором определены фотометрические, радиометрические, спектрорадиометрические и колориметрические величины, характеризующие их излучение и методы их измерений, являются рекомендации Международной комиссии по освещению CIE-127
    Exact
    [9]
    Suffix
    . Согласно [9] измерения оптических характеристик излучения СИД необходимо выполнять на относительно небольших расстояниях, хотя в этих условиях они не являются точечными источниками излучения.

  2. In-text reference with the coordinate start=6746
    Prefix
    Для СИД основным документом в международной метрологической практике, в котором определены фотометрические, радиометрические, спектрорадиометрические и колориметрические величины, характеризующие их излучение и методы их измерений, являются рекомендации Международной комиссии по освещению CIE-127 [9]. Согласно
    Exact
    [9]
    Suffix
    измерения оптических характеристик излучения СИД необходимо выполнять на относительно небольших расстояниях, хотя в этих условиях они не являются точечными источниками излучения. К тому же как первичные, так и вторичные оптические компоненты СИД оказывают существенное влияние на пространственное и спектральное перераспределение излучения, соответственно универсальной геомет

  3. In-text reference with the coordinate start=8086
    Prefix
    Расстояние от СИД до апертурной диафрагмы фотометра (радиометра) для условия A составляет 316 мм, для условия B – 100 мм, что соответствует телесному углу 0,001 ср для условия A, и 0,01 ср для условия B. Соответствующие плоские углы равны 2º и 6,5º. Измерения фотометрических и радиометрических величин в общем случае согласно
    Exact
    [9]
    Suffix
    можно проводить методами, реализующими как детекторный (передача размеров единиц величин осуществляется с помощью эталонов сравнения – детекторов), так и излучательный (с помощью эталонных источников излучения) подходы.

  4. In-text reference with the coordinate start=9043
    Prefix
    Для испытания различных типов СИД нужно иметь такое же количество типов эталонных СИД, что является крайне затратным подходом. Поэтому нами был реализован детекторный подход для измерений фотометрических характеристик излучения СИД. Согласно
    Exact
    [9]
    Suffix
    в этом случае следует применять калиброванный фотометр с индексом спектрального рассогласования не хуже 3 %. Тогда усредненную силу света светодиода для стандартного условия CIE А (или В), в канделах, можно определить по формуле: ILEDA()()2,)(BABABLE (1) где lA(B) – расстояние, соответствующее стандартным условиям CIE А или B, м; EA(B) – освещенность, измеренная фотометром при

  5. In-text reference with the coordinate start=9544
    Prefix
    силу света светодиода для стандартного условия CIE А (или В), в канделах, можно определить по формуле: ILEDA()()2,)(BABABLE (1) где lA(B) – расстояние, соответствующее стандартным условиям CIE А или B, м; EA(B) – освещенность, измеренная фотометром при стандартных условиях CIE А или B, лк. Измерения силы света рекомендовано выполнять в направлении механической оси СИД
    Exact
    [9]
    Suffix
    . Однако механическая ось, как правило, не совпадает с оптической осью излучения СИД, что обусловлено пространственной неточностью посадки светодиодного кристалла и дефектами первичной оптики СИД.

  6. In-text reference with the coordinate start=10862
    Prefix
    Но даже в этих случаях стандартные условия CIE А и B не в полной мере характеризуют излучение с пространственным распределением, характерным для современных СИД, применяемых в светотехнических устройствах. Введение стандартных условий CIE А и В, повидимому, было обусловлено тем, что в 1997 г.
    Exact
    [9]
    Suffix
    , когда они были впервые приняты, абсолютное большинство СИД представляло из себя 3, 5 и 10 мм пластиковые светодиоды с узкой индикатрисой силы излучения. Поэтому для объективной характеризации необходимо проводить измерение пространственного распределения силы света и энергетической силы излучения СИД и ЛД.

  7. In-text reference with the coordinate start=11382
    Prefix
    Поэтому для объективной характеризации необходимо проводить измерение пространственного распределения силы света и энергетической силы излучения СИД и ЛД. Для измерений пространственного распределения силы света ILEDv нами применялся гониофотометрический метод. Расстояние между фотометром и СИД в этом случае должно быть как можно большим
    Exact
    [9]
    Suffix
    , чтобы СИД можно было считать точечным источником. Данный метод также позволял при использовании калиброванного радиометра измерять и пространственное распределение плотности мощности излучения ЛД и СИД.

  8. In-text reference with the coordinate start=12647
    Prefix
    Символами O и □ обозначены линии соответствующие двум взаимоперпендикулярным плоскостям и не являются экспериментальными данными Для измерений спектральной плотности энергетической освещенности (СПЭО), создаваемой излучением СИД, согласно рекомендациям
    Exact
    [9]
    Suffix
    , нами применялся метод замещения, используя эталонные лампы, калиброванные по СПЭО и спектрорадиометр. В этом случае СПЭО (Вт∙м -3 ) при длине волны  рассчитывается по формуле: es exLED exLEDes Y Y EE λ λ λλ, (3) где Eeλs – СПЭО эталонной лампы; YeλxLED – измеренный сигнал при освещении испытуемым СИД; Yeλs – измеренный сигнал при освещении эталонной лампой.

  9. In-text reference with the coordinate start=13141
    Prefix
    В этом случае СПЭО (Вт∙м -3 ) при длине волны  рассчитывается по формуле: es exLED exLEDes Y Y EE λ λ λλ, (3) где Eeλs – СПЭО эталонной лампы; YeλxLED – измеренный сигнал при освещении испытуемым СИД; Yeλs – измеренный сигнал при освещении эталонной лампой. Для измерений спектральной плотности энергетической яркости (СПЭЯ) излучения СИД в
    Exact
    [9]
    Suffix
    рекомендации ограничены только краткой фразой о необходимости «применять фотометр с изображающей оптикой», что весьма неудобно с точки зрения технической реализации. Так как размеры кристалла УФ СИД обычно не превышают 1 мм, то для формирования изображения необходимо использование УФ оптики с большим увеличением, не дающей при этом значительных спектральных и пространственных ис

  10. In-text reference with the coordinate start=14729
    Prefix
    Комплекс для измерений оптических характеристик твердотельных источников излучения в диапазоне от 250 до 900 нм В 2010–2013 гг. в Институте физики НАН Беларуси был разработан и создан комплекс для измерений оптических характеристик ТТИИ в диапазоне от 250 до 900 нм. Схема комплекса приведена на рисунке 2. Комплекс предназначен для измерений с учетом рекомендаций
    Exact
    [9]
    Suffix
    следующих характеристик излучения СИД и СИД изделий: силы света, усредненной силы света, пространственного распределения силы света и СПЭЯ, а также создаваемых этим излучением освещенности и СПЭО.

10
Устройство юстировки твердотельных источников излучения : пат. No 123984, Российская Федерация, МПКG02B7/00 / В.А. Длугунович, В.А. Ждановский, А.А. Липлянин, С.В. Никоненко, О.Б. Тарасова; заявитель Институт физики НАН Беларуси. – No RU 123984; заявл. 03.07.2012.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=16437
    Prefix
    Фотометрическая часть комплекса основана на фотометре LMT 520B, радиометрическая – на головке OPHIR PD300-UV-SH. Для измерений фотометрических и радиометрических величин используется система юстировки 7
    Exact
    [10]
    Suffix
    . При измерениях устанавливаются параметры питания и температуры источников излучения (блок 6, содержит высокоточные стабилизированные источники питания, термоконтроллеры и мультиметры), что позволяет моделировать условия, приближенные к реальным условиям эксплуатации светотехнических изделий.

11
Эталонный монохромный светодиод : пат. No 115889, Российская Федерация, МПКG01J1/00 / А.В. Данильчик, Е.В. Луценко, С.В. Никоненко; заявитель Институт физики НАН Беларуси. – No RU 115889; заявл.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=17932
    Prefix
    При измерениях СПЭЯ излучения и создаваемой СПЭО комплекс калибруется по эталонным лампам (дейтериевой CL7-H и кварцевогалогенной BN-LH250-BC). Для измерений СПЭЯ излучения СИД в УФ диапазоне используется специально разработанные референсные монохромные СИД
    Exact
    [11]
    Suffix
    с пиковой длинной волны излучения 365 нм и 385 нм, которые имеют однородное распределение яркости излучения по апертуре. Результаты метрологической аттестации комплекса При проведении метрологической аттестации комплекса были установлены следующие основные метрологические характеристики: диапазон измерений силы света и усредненной силы света от 0,01 до 60 кд, относительная рас