The 7 references with contexts in paper R. Vorobey I., O. Gusev K., A. Zharin L., A. Petlitsky N., V. Pilipenko A., A. Turtsevitch S., A. Tyavlovsky K., Р. Воробей И., О. Гусев К., А. Жарин Л., А. Петлицкий Н., В. Пилипенко А., А. Турцевич С., А. Тявловский К. (2015) “РЕЖИМ САМОКАЛИБРОВКИ ЗОНДА КЕЛЬВИНА ДЛЯ КОНТРОЛЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН // KELVIN PROBE SELF-CALIBRATION MODE FOR SEMICONDUCTOR WAFERS PROPERTIES MONITORING” / spz:neicon:pimi:y:2014:i:2:p:46-52

1
Zharin, A.L. Contact Potential Difference Techniques as Probing Tools in Tribology and Surface Mapping // Applied Scanning Probe Methods. – 2010. – V. 14. – P. 687–720.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2091
    Prefix
    методы обладают высокой разрешающей способностью, чувствительностью к любым отклонениям электрофизических параметров полупроводниковых пластин, бесконтактностью измерений, возможностью измерений полупроводника под диэлектрическим покрытием. В настоящем исследовании в качестве базового использован метод Кельвина–Зисмана, известный в литературе также как зонд Кельвина
    Exact
    [1]
    Suffix
    . Регистрируемый зондом Кельвина поверхностный электростатический потенциал является универсальным параметром, содержащим информацию о химических, структурных, механических, электронных свойствах поверхностей материалов, а также о скрытых границах раздела материалов с диэлектрическими покрытиями.

2
Ибрагимов, Х.И. Работа выхода электрона в физико-химических исследованиях / Х.И. Ибрагимов, В.А. Корольков. – М.: Интермет Инжиниринг, 2002. – 526 с.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=2904
    Prefix
    В то же время высокая чувствительность зондовых зарядочувствительных методов к любым изменениям состояния поверхности образца и самого измерительного преобразователя (зонда Кельвина), в том числе и не вызванным влиянием контролируемого фактора, затрудняет интерпретацию результатов измерений
    Exact
    [2, 3]
    Suffix
    . Принципиальным недостатком известных методов измерения электрофизических параметров полупроводниковых пластин на основе бесконтактной регистрации потенциала поверхности, в том числе с использованием дополнительных воздействий на образец, является низкая воспроизводимость результатов, получаемых с использованием различных зондов или даже одного и того же зонда, но через бо

3
Тявловский, А.К. Моделирование метрологических характеристик емкостных первичных преобразователей средств зондовой электрометрии / А.К. Тявловский, О.К. Гусев, А.Л. Жарин // Приборы и методы измерений. – 2011. – No 1(2). – С. 122–127.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=2904
    Prefix
    В то же время высокая чувствительность зондовых зарядочувствительных методов к любым изменениям состояния поверхности образца и самого измерительного преобразователя (зонда Кельвина), в том числе и не вызванным влиянием контролируемого фактора, затрудняет интерпретацию результатов измерений
    Exact
    [2, 3]
    Suffix
    . Принципиальным недостатком известных методов измерения электрофизических параметров полупроводниковых пластин на основе бесконтактной регистрации потенциала поверхности, в том числе с использованием дополнительных воздействий на образец, является низкая воспроизводимость результатов, получаемых с использованием различных зондов или даже одного и того же зонда, но через бо

  2. In-text reference with the coordinate start=3718
    Prefix
    Вследствие изменения состояния зонда Кельвина, определяемого трудно контролируемыми процессами окисления, адсорбции и десорбции различных веществ на его поверхности и рядом других факторов, различие измеренных абсолютных значений потенциала поверхности одного и того же объекта может достигать 30 %
    Exact
    [3, 4]
    Suffix
    , что не позволяет считать результаты таких измерений достоверными. Целью настоящего исследования являлось повышение воспроизводимости и достоверности результатов измерений электрофизических параметров полупроводниковых пластин зондовыми зарядочувствительными методами за счет реализации режима самокалибровки зонда Кельвина непосредственно в процессе измерений, выполняемых в р

4
Kim, J.S. Kelvin probe and ultraviolet photoemission measurements of indium tin oxide work function: a comparison / J.S. Kim [et al.] // Synthetic Metals. – 2000. – No 111–112. – Pр. 311– 314.
Total in-text references: 2
  1. In-text reference with the coordinate start=3396
    Prefix
    известных методов измерения электрофизических параметров полупроводниковых пластин на основе бесконтактной регистрации потенциала поверхности, в том числе с использованием дополнительных воздействий на образец, является низкая воспроизводимость результатов, получаемых с использованием различных зондов или даже одного и того же зонда, но через большие интервалы времени
    Exact
    [4]
    Suffix
    . Вследствие изменения состояния зонда Кельвина, определяемого трудно контролируемыми процессами окисления, адсорбции и десорбции различных веществ на его поверхности и рядом других факторов, различие измеренных абсолютных значений потенциала поверхности одного и того же объекта может достигать 30 % [3, 4], что не позволяет считать результаты таких измерений достоверны

  2. In-text reference with the coordinate start=3718
    Prefix
    Вследствие изменения состояния зонда Кельвина, определяемого трудно контролируемыми процессами окисления, адсорбции и десорбции различных веществ на его поверхности и рядом других факторов, различие измеренных абсолютных значений потенциала поверхности одного и того же объекта может достигать 30 %
    Exact
    [3, 4]
    Suffix
    , что не позволяет считать результаты таких измерений достоверными. Целью настоящего исследования являлось повышение воспроизводимости и достоверности результатов измерений электрофизических параметров полупроводниковых пластин зондовыми зарядочувствительными методами за счет реализации режима самокалибровки зонда Кельвина непосредственно в процессе измерений, выполняемых в р

5
Kronik, L. Surface photovoltage phenomena: theory, experiment, and applications / L. Kronik, Y. Shapira // Surface Science Reports. – 1999. – V. 37. – P. 1–206.
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=8160
    Prefix
    Анализ изменений электрического потенциала поверхности полупроводниковой пластины при воздействии на нее оптическим излучением с различными длинами волны позволяет определить такие параметры полупроводника, как время жизни и длина диффузии неравновесных носителей заряда (ННЗ) на границе раздела
    Exact
    [5]
    Suffix
    . Анализ динамики изменения потенциала поверхности полупроводниковой пластины после воздействия коронным разрядом обеспечивает определение генерационного времени жизни ННЗ [6]. В то же время результаты таких измерений характеризуются низкими воспроизводимостью и достоверностью, что связано с неопределенностью состояния используемого в измерениях зонда Кельвина.

6
Chiang, C. L. Measurement of the minoritycarrier diffusion length in thin semiconductor films / C. L. Chiang, R. Schwarz, D. E. Slobodin, J. Kolodzey, S. Wagner // IEEE Trans. Electron Devices. – 1986. – No. 33. – P. 1587–1592.
Total in-text references: 3
  1. In-text reference with the coordinate start=8352
    Prefix
    нее оптическим излучением с различными длинами волны позволяет определить такие параметры полупроводника, как время жизни и длина диффузии неравновесных носителей заряда (ННЗ) на границе раздела [5]. Анализ динамики изменения потенциала поверхности полупроводниковой пластины после воздействия коронным разрядом обеспечивает определение генерационного времени жизни ННЗ
    Exact
    [6]
    Suffix
    . В то же время результаты таких измерений характеризуются низкими воспроизводимостью и достоверностью, что связано с неопределенностью состояния используемого в измерениях зонда Кельвина. Рисунок 1 – Схема контроля полупроводниковых пластин с использованием методов зондовой электрометрии и воздействия коронным разрядом Результаты исследования Рассмотрим проблему повышения до

  2. In-text reference with the coordinate start=9141
    Prefix
    Потенциал поверхности, получаемой в результате воздействия коронным разрядом структуры корона-окисел– полупроводник (КОП-структуры), включает аддитивную составляющую контактной разности потенциалов (КРП), зависящую от состояния поверхности зонда
    Exact
    [6]
    Suffix
    : 푉퐺=푉퐹퐵+푉표푥+φs, (1) где VFB – напряжение плоских зон; φS – КРП между зондом и поверхностью образца; Vox – напряжение на окисле, рассчитываемое как: 푉표푥= 푄퐺 퐶표푥 =− 푄푆 퐶표푥 , (2) где QG – плотность осажденного на поверхность заряда; QS – плотность заряда в полупроводнике; Cox – удельная электрическая емкость окисла.

  3. In-text reference with the coordinate start=10163
    Prefix
    휕푡 . (4) Таким образом, для определения динамики изменения потенциала поверхности достаточно регистрировать динамику изменения контактной разности потенциалов, непосредственно измеряемой зондом Кельвина. На использовании данного равенства, не содержащего абсолютного значения КРП φS, основаны известные методы контроля электрофизических параметров полупроводниковых пластин
    Exact
    [6]
    Suffix
    . В то же время, дальнейшее определение количественых значений электрофизических параметров полупроводниковой пластины требует наличия информации о состоянии зонда Кельвина и ряде параметров полупроводниковой пластины, как правило, неизвестных с достаточной точностью.

7
Воробей, Р.И. Контроль дефектов структуры кремний-диэлектрик на основе анализа пространственного распределения потенциала по поверхности полупроводниковых пластин / Р.И. Воробей [и др.] // Приборы и методы из-
Total in-text references: 1
  1. In-text reference with the coordinate start=16284
    Prefix
    Сопоставление результатов визуализации пространственного распределения потенциала поверхности полупроводниковой пластины после различных технологических операций (отжига, окисления, эпитаксии и т.д.) позволяет проследить развитие дефектов в процессе технологической обработки
    Exact
    [7]
    Suffix
    . Как показали результаты проведенных исследований, калибровка визуализированного изображения по электрофизическим параметрам самого контролируемого образца позволяет сопоставлять результаты контроля после различных технологических операций обработки пластины, либо выполненного в разное время, независимо от изменения состояния поверхности зонда Кельвина.